Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2001
• Main Authors: Ковтун, Г.П., Кравченко, А.И., Щербань, А.П.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
• Subjects: Материалы для микроэлектроники
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70853
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 6-8. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Изложены результаты исследований глубокого рафинирования галлия, цинка, кадмия и теллура дистилляционным методом, включая отгонку легколетучих примесей, перегонку и фильтрацию основного металла, с использованием простых устройств. Показано, что суммарное содержание основных примесных элементов в гал...