Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения
Исходные монокристаллы СdZnTe (КЦТ) имеют большое число дефектов, что снижает сопротивление кристалла и увеличивает шумы прибора. Природа и роль подобных дефектов исследованы методом термостимулированной проводимости. Для улучшения свойств КЦТ их подвергали термополевой обработке, в результате чего...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2001 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70854 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения / В.А. Мокрицкий, С.В. Ленков, О.В. Маслов, С.А. Савельев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 9-10. — Бібліогр.: 1 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862697331813515264 |
|---|---|
| author | Мокрицкий, В.А. Ленков, С.В. Маслов, О.В. Савельев, С.А. |
| author_facet | Мокрицкий, В.А. Ленков, С.В. Маслов, О.В. Савельев, С.А. |
| citation_txt | Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения / В.А. Мокрицкий, С.В. Ленков, О.В. Маслов, С.А. Савельев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 9-10. — Бібліогр.: 1 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Исходные монокристаллы СdZnTe (КЦТ) имеют большое число дефектов, что снижает сопротивление кристалла и увеличивает шумы прибора. Природа и роль подобных дефектов исследованы методом термостимулированной проводимости. Для улучшения свойств КЦТ их подвергали термополевой обработке, в результате чего сопротивление кристаллов увеличилось на 20%, амплитуда шума уменьшилась в 5–8 раз, улучшилась форма спектра излучения γ-¹³⁷Cs. Созданные на основе КЦТ детекторы обнаружили анизотропию чувствительности к γ-излучению: при компланарном расположении пучка γ-квантов и вектора электрического поля параметры прибора оптимальны.
The CdZnTe initial monocrystals have a wide range of defects that lowers resistance of crystal and increases noises of device. The natur and role of such devices by method of conductivity of thermostimulation have been investigated. For improvement CdZnTe properties they have been subjected to heat-field processing as a result of wich the resistance of crystals on 20% has been increased, noise amplitude in 5–8 times has been decreased, the shape of a spectrum of gamma radiation ¹³⁷Cs has been improved. The detectors created on base of CdZnTe have found out anizotroping sensitivity to gamma radiation at complaner arrangement of a gamma quantum beam and a vector of an electrical field the parameters of device are optimum.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:29:41Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70854 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:29:41Z |
| publishDate | 2001 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Мокрицкий, В.А. Ленков, С.В. Маслов, О.В. Савельев, С.А. 2014-11-15T14:14:56Z 2014-11-15T14:14:56Z 2001 Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения / В.А. Мокрицкий, С.В. Ленков, О.В. Маслов, С.А. Савельев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 9-10. — Бібліогр.: 1 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70854 539.216.2 Исходные монокристаллы СdZnTe (КЦТ) имеют большое число дефектов, что снижает сопротивление кристалла и увеличивает шумы прибора. Природа и роль подобных дефектов исследованы методом термостимулированной проводимости. Для улучшения свойств КЦТ их подвергали термополевой обработке, в результате чего сопротивление кристаллов увеличилось на 20%, амплитуда шума уменьшилась в 5–8 раз, улучшилась форма спектра излучения γ-¹³⁷Cs. Созданные на основе КЦТ детекторы обнаружили анизотропию чувствительности к γ-излучению: при компланарном расположении пучка γ-квантов и вектора электрического поля параметры прибора оптимальны. The CdZnTe initial monocrystals have a wide range of defects that lowers resistance of crystal and increases noises of device. The natur and role of such devices by method of conductivity of thermostimulation have been investigated. For improvement CdZnTe properties they have been subjected to heat-field processing as a result of wich the resistance of crystals on 20% has been increased, noise amplitude in 5–8 times has been decreased, the shape of a spectrum of gamma radiation ¹³⁷Cs has been improved. The detectors created on base of CdZnTe have found out anizotroping sensitivity to gamma radiation at complaner arrangement of a gamma quantum beam and a vector of an electrical field the parameters of device are optimum. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы для микроэлектроники Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения Processing CdZnTe monocrystals for application in sensors of gamma radiation Article published earlier |
| spellingShingle | Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения Мокрицкий, В.А. Ленков, С.В. Маслов, О.В. Савельев, С.А. Материалы для микроэлектроники |
| title | Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения |
| title_alt | Processing CdZnTe monocrystals for application in sensors of gamma radiation |
| title_full | Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения |
| title_fullStr | Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения |
| title_full_unstemmed | Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения |
| title_short | Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения |
| title_sort | обработка монокристаллов сd–zn–te для применения в датчиках γ-излучения |
| topic | Материалы для микроэлектроники |
| topic_facet | Материалы для микроэлектроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70854 |
| work_keys_str_mv | AT mokrickiiva obrabotkamonokristallovsdzntedlâprimeneniâvdatčikahγizlučeniâ AT lenkovsv obrabotkamonokristallovsdzntedlâprimeneniâvdatčikahγizlučeniâ AT maslovov obrabotkamonokristallovsdzntedlâprimeneniâvdatčikahγizlučeniâ AT savelʹevsa obrabotkamonokristallovsdzntedlâprimeneniâvdatčikahγizlučeniâ AT mokrickiiva processingcdzntemonocrystalsforapplicationinsensorsofgammaradiation AT lenkovsv processingcdzntemonocrystalsforapplicationinsensorsofgammaradiation AT maslovov processingcdzntemonocrystalsforapplicationinsensorsofgammaradiation AT savelʹevsa processingcdzntemonocrystalsforapplicationinsensorsofgammaradiation |