Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2001
• Автори: Мокрицкий, В.А., Ленков, С.В., Маслов, О.В., Савельев, С.А.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
• Теми: Материалы для микроэлектроники
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70854
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения / В.А. Мокрицкий, С.В. Ленков, О.В. Маслов, С.А. Савельев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 9-10. — Бібліогр.: 1 назв. — рос.

Исходные монокристаллы СdZnTe (КЦТ) имеют большое число дефектов, что снижает сопротивление кристалла и увеличивает шумы прибора. Природа и роль подобных дефектов исследованы методом термостимулированной проводимости. Для улучшения свойств КЦТ их подвергали термополевой обработке, в результате чего...