Косяченко, Л., Раренко, И., Марков, А., & Остапов, С. (2001). Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников. Технология и конструирование в электронной аппаратуре.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Косяченко, Л.А, И.М Раренко, А.В Марков, und С.Э Остапов. "Особенности электрических характеристик N+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников." Технология и конструирование в электронной аппаратуре 2001.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Косяченко, Л.А, et al. "Особенности электрических характеристик N+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников." Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.