Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2001
• Hauptverfasser: Косяченко, Л.А., Раренко, И.М., Марков, А.В., Остапов, С.Э.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
• Schlagworte: Функциональная микроэлектроника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70855
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Особенности электрических характеристик n⁺–p-перехода на основе узкозонных полупроводников / Л.А. Косяченко, И.М. Раренко, А.В. Марков, С.Э. Остапов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 11-14. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

С помощью численных методов решено уравнение Пуассона для n⁺–p-перехода, рассмотрены особенности распределения объемного заряда, напряженности электрического поля и потенциала. Показано, что при сужении запрещенной зоны становится существенным влияние свободных носителей на распределение объемного заряда в переходе по координате, что приводит к отклонению зависимости потенциала от квадратичной, а напряженности электрического поля — от линейной. Результаты могут быть использованы, в частности, для детектирования инфракрасного излучения в спектральной области 8—14 мкм. The Poisson equation for n⁺–p-junction has been solved by numerical methods, the peculiarities of distribution of space charge, field strength and potential have been considered. It has been shown that at band-gap narrowing the influence of free carriers on distribution of space charge in junction on co-ordinate is essential that this leads to bias relationship of potential from quadratic one and field strength from linear one. The results can be used, in particular, for detection of infrared radiation in 8— 14 mm spectrum field.