Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников
С помощью численных методов решено уравнение Пуассона для n⁺–p-перехода, рассмотрены особенности распределения объемного заряда, напряженности электрического поля и потенциала. Показано, что при сужении запрещенной зоны становится существенным влияние свободных носителей на распределение объемного з...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2001 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70855 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Особенности электрических характеристик n⁺–p-перехода на основе узкозонных полупроводников / Л.А. Косяченко, И.М. Раренко, А.В. Марков, С.Э. Остапов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 11-14. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70855 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Косяченко, Л.А. Раренко, И.М. Марков, А.В. Остапов, С.Э. 2014-11-15T14:16:58Z 2014-11-15T14:16:58Z 2001 Особенности электрических характеристик n⁺–p-перехода на основе узкозонных полупроводников / Л.А. Косяченко, И.М. Раренко, А.В. Марков, С.Э. Остапов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 11-14. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70855 546.711.49 С помощью численных методов решено уравнение Пуассона для n⁺–p-перехода, рассмотрены особенности распределения объемного заряда, напряженности электрического поля и потенциала. Показано, что при сужении запрещенной зоны становится существенным влияние свободных носителей на распределение объемного заряда в переходе по координате, что приводит к отклонению зависимости потенциала от квадратичной, а напряженности электрического поля — от линейной. Результаты могут быть использованы, в частности, для детектирования инфракрасного излучения в спектральной области 8—14 мкм. The Poisson equation for n⁺–p-junction has been solved by numerical methods, the peculiarities of distribution of space charge, field strength and potential have been considered. It has been shown that at band-gap narrowing the influence of free carriers on distribution of space charge in junction on co-ordinate is essential that this leads to bias relationship of potential from quadratic one and field strength from linear one. The results can be used, in particular, for detection of infrared radiation in 8— 14 mm spectrum field. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микроэлектроника Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников The peculiarities of electrical characteristics n⁺–p-junction on the base of narrow-bondgap semiconductors Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников |
| spellingShingle |
Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников Косяченко, Л.А. Раренко, И.М. Марков, А.В. Остапов, С.Э. Функциональная микроэлектроника |
| title_short |
Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников |
| title_full |
Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников |
| title_fullStr |
Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников |
| title_full_unstemmed |
Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников |
| title_sort |
особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников |
| author |
Косяченко, Л.А. Раренко, И.М. Марков, А.В. Остапов, С.Э. |
| author_facet |
Косяченко, Л.А. Раренко, И.М. Марков, А.В. Остапов, С.Э. |
| topic |
Функциональная микроэлектроника |
| topic_facet |
Функциональная микроэлектроника |
| publishDate |
2001 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
The peculiarities of electrical characteristics n⁺–p-junction on the base of narrow-bondgap semiconductors |
| description |
С помощью численных методов решено уравнение Пуассона для n⁺–p-перехода, рассмотрены особенности распределения объемного заряда, напряженности электрического поля и потенциала. Показано, что при сужении запрещенной зоны становится существенным влияние свободных носителей на распределение объемного заряда в переходе по координате, что приводит к отклонению зависимости потенциала от квадратичной, а напряженности электрического поля — от линейной. Результаты могут быть использованы, в частности, для детектирования инфракрасного излучения в спектральной области 8—14 мкм.
The Poisson equation for n⁺–p-junction has been solved by numerical methods, the peculiarities of distribution of space charge, field strength and potential have been considered. It has been shown that at band-gap narrowing the influence of free carriers on distribution of space charge in junction on co-ordinate is essential that this leads to bias relationship of potential from quadratic one and field strength from linear one. The results can be used, in particular, for detection of infrared radiation in 8— 14 mm spectrum field.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70855 |
| citation_txt |
Особенности электрических характеристик n⁺–p-перехода на основе узкозонных полупроводников / Л.А. Косяченко, И.М. Раренко, А.В. Марков, С.Э. Остапов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 11-14. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT kosâčenkola osobennostiélektričeskihharakteristiknpperehodanaosnoveuzkozonnyhpoluprovodnikov AT rarenkoim osobennostiélektričeskihharakteristiknpperehodanaosnoveuzkozonnyhpoluprovodnikov AT markovav osobennostiélektričeskihharakteristiknpperehodanaosnoveuzkozonnyhpoluprovodnikov AT ostapovsé osobennostiélektričeskihharakteristiknpperehodanaosnoveuzkozonnyhpoluprovodnikov AT kosâčenkola thepeculiaritiesofelectricalcharacteristicsnpjunctiononthebaseofnarrowbondgapsemiconductors AT rarenkoim thepeculiaritiesofelectricalcharacteristicsnpjunctiononthebaseofnarrowbondgapsemiconductors AT markovav thepeculiaritiesofelectricalcharacteristicsnpjunctiononthebaseofnarrowbondgapsemiconductors AT ostapovsé thepeculiaritiesofelectricalcharacteristicsnpjunctiononthebaseofnarrowbondgapsemiconductors |
| first_indexed |
2025-12-01T07:59:00Z |
| last_indexed |
2025-12-01T07:59:00Z |
| _version_ |
1850859528196718592 |