Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2001
• Main Author: Болгов, С.С.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
• Subjects: Функциональная микроэлектроника
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70856
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников / С.С. Болгов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 15-18. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Разработаны малогабаритные длинноволновые (λ=5–14 мкм) источники ИК-излучения, работающие при комнатной и более высоких температурах. Источники генерируют положительные и отрицательные световые потоки относительно уровня фонового излучения. Конструкция дает возможность работать с охлажденными фотоприемниками при температуре источника, равной окружающей среде, как с обычными люминесцентными светодиодами. Обсуждается область использования источников. The small-outline (λ=5–14 mm) infrared sources operating at room and higher temperatures have been developed. The sources generate positive and negative light flows relative to level of background radiation. The design allows to operate with cooled light sensors at source temperature that is equal to the ambient temperature as with the ordinary luminescent light-emitting diodes. The fields of application of sources are discussed.