Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников

Разработаны малогабаритные длинноволновые (λ=5–14 мкм) источники ИК-излучения, работающие при комнатной и более высоких температурах. Источники генерируют положительные и отрицательные световые потоки относительно уровня фонового излучения. Конструкция дает возможность работать с охлажденными фотопр...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:	2001
Автор:	Болгов, С.С.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
Теми:	Функциональная микроэлектроника
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70856
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников / С.С. Болгов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 15-18. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70856
record_format	dspace
spelling	Болгов, С.С. 2014-11-15T14:18:37Z 2014-11-15T14:18:37Z 2001 Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников / С.С. Болгов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 15-18. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70856 621.315.592 Разработаны малогабаритные длинноволновые (λ=5–14 мкм) источники ИК-излучения, работающие при комнатной и более высоких температурах. Источники генерируют положительные и отрицательные световые потоки относительно уровня фонового излучения. Конструкция дает возможность работать с охлажденными фотоприемниками при температуре источника, равной окружающей среде, как с обычными люминесцентными светодиодами. Обсуждается область использования источников. The small-outline (λ=5–14 mm) infrared sources operating at room and higher temperatures have been developed. The sources generate positive and negative light flows relative to level of background radiation. The design allows to operate with cooled light sensors at source temperature that is equal to the ambient temperature as with the ordinary luminescent light-emitting diodes. The fields of application of sources are discussed. Автор благодарен В. К. Малютенко и Г. И. Тесленко за обсуждение результатов работы, а также А. К. Мельнику за помощь при проведении спектральных измерений. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микроэлектроника Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников The long-wave infrared sources based on wide-bandgep semiconductors Article published earlier
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
title	Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников
spellingShingle	Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников Болгов, С.С. Функциональная микроэлектроника
title_short	Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников
title_full	Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников
title_fullStr	Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников
title_full_unstemmed	Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников
title_sort	длинноволновые источники ик-излучения на основе широкозонных полупроводников
author	Болгов, С.С.
author_facet	Болгов, С.С.
topic	Функциональная микроэлектроника
topic_facet	Функциональная микроэлектроника
publishDate	2001
language	Russian
container_title	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format	Article
title_alt	The long-wave infrared sources based on wide-bandgep semiconductors
description	Разработаны малогабаритные длинноволновые (λ=5–14 мкм) источники ИК-излучения, работающие при комнатной и более высоких температурах. Источники генерируют положительные и отрицательные световые потоки относительно уровня фонового излучения. Конструкция дает возможность работать с охлажденными фотоприемниками при температуре источника, равной окружающей среде, как с обычными люминесцентными светодиодами. Обсуждается область использования источников. The small-outline (λ=5–14 mm) infrared sources operating at room and higher temperatures have been developed. The sources generate positive and negative light flows relative to level of background radiation. The design allows to operate with cooled light sensors at source temperature that is equal to the ambient temperature as with the ordinary luminescent light-emitting diodes. The fields of application of sources are discussed.
issn	2225-5818
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70856
citation_txt	Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников / С.С. Болгов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 15-18. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
work_keys_str_mv	AT bolgovss dlinnovolnovyeistočnikiikizlučeniânaosnoveširokozonnyhpoluprovodnikov AT bolgovss thelongwaveinfraredsourcesbasedonwidebandgepsemiconductors
first_indexed	2025-11-27T22:19:15Z
last_indexed	2025-11-27T22:19:15Z
_version_	1850852906359586816

Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников

Репозитарії

Схожі ресурси