Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников
Разработаны малогабаритные длинноволновые (λ=5–14 мкм) источники ИК-излучения, работающие при комнатной и более высоких температурах. Источники генерируют положительные и отрицательные световые потоки относительно уровня фонового излучения. Конструкция дает возможность работать с охлажденными фотопр...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2001 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70856 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников / С.С. Болгов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 15-18. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862599315390726144 |
|---|---|
| author | Болгов, С.С. |
| author_facet | Болгов, С.С. |
| citation_txt | Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников / С.С. Болгов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 15-18. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Разработаны малогабаритные длинноволновые (λ=5–14 мкм) источники ИК-излучения, работающие при комнатной и более высоких температурах. Источники генерируют положительные и отрицательные световые потоки относительно уровня фонового излучения. Конструкция дает возможность работать с охлажденными фотоприемниками при температуре источника, равной окружающей среде, как с обычными люминесцентными светодиодами. Обсуждается область использования источников.
The small-outline (λ=5–14 mm) infrared sources operating at room and higher temperatures have been developed. The sources generate positive and negative light flows relative to level of background radiation. The design allows to operate with cooled light sensors at source temperature that is equal to the ambient temperature as with the ordinary luminescent light-emitting diodes. The fields of application of sources are discussed.
|
| first_indexed | 2025-11-27T22:19:15Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70856 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-27T22:19:15Z |
| publishDate | 2001 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Болгов, С.С. 2014-11-15T14:18:37Z 2014-11-15T14:18:37Z 2001 Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников / С.С. Болгов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 15-18. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70856 621.315.592 Разработаны малогабаритные длинноволновые (λ=5–14 мкм) источники ИК-излучения, работающие при комнатной и более высоких температурах. Источники генерируют положительные и отрицательные световые потоки относительно уровня фонового излучения. Конструкция дает возможность работать с охлажденными фотоприемниками при температуре источника, равной окружающей среде, как с обычными люминесцентными светодиодами. Обсуждается область использования источников. The small-outline (λ=5–14 mm) infrared sources operating at room and higher temperatures have been developed. The sources generate positive and negative light flows relative to level of background radiation. The design allows to operate with cooled light sensors at source temperature that is equal to the ambient temperature as with the ordinary luminescent light-emitting diodes. The fields of application of sources are discussed. Автор благодарен В. К. Малютенко и Г. И. Тесленко за обсуждение результатов работы, а также А. К. Мельнику за помощь при проведении спектральных измерений. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микроэлектроника Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников The long-wave infrared sources based on wide-bandgep semiconductors Article published earlier |
| spellingShingle | Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников Болгов, С.С. Функциональная микроэлектроника |
| title | Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников |
| title_alt | The long-wave infrared sources based on wide-bandgep semiconductors |
| title_full | Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников |
| title_fullStr | Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников |
| title_full_unstemmed | Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников |
| title_short | Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников |
| title_sort | длинноволновые источники ик-излучения на основе широкозонных полупроводников |
| topic | Функциональная микроэлектроника |
| topic_facet | Функциональная микроэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70856 |
| work_keys_str_mv | AT bolgovss dlinnovolnovyeistočnikiikizlučeniânaosnoveširokozonnyhpoluprovodnikov AT bolgovss thelongwaveinfraredsourcesbasedonwidebandgepsemiconductors |