Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов
Исследованы оптические характеристики тонких пленок нового широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄. Область прозрачности пленок составляет 0,3—25 мкм, показатель преломления при λ=0,63 мкм равен 2,2. Оптические характеристики после термообработки (473 К), естественного старения (два года), а также обра...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2001 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70857 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов / Н.И. Попович, Н.И. Довгошей, И.Э. Качер // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 19-20. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862722280368373760 |
|---|---|
| author | Попович, Н.И. Довгошей, Н.И. Качер, И.Э. |
| author_facet | Попович, Н.И. Довгошей, Н.И. Качер, И.Э. |
| citation_txt | Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов / Н.И. Попович, Н.И. Довгошей, И.Э. Качер // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 19-20. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Исследованы оптические характеристики тонких пленок нового широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄. Область прозрачности пленок составляет 0,3—25 мкм, показатель преломления при λ=0,63 мкм равен 2,2. Оптические характеристики после термообработки (473 К), естественного старения (два года), а также обработки лазерным излучением (10⁶ Вт/см²) остаются неизменными. Изучена возможность применения ZnGa₂S₄ в качестве просветляющих и защитных покрытий для оптических кристаллов в диапазоне длин волн 0,3—25 мкм.
The optical characteristics of new widezone ZnGa₂S₄ semiconductor thin films have been investigated. The transparance range of films is 0,3— 25 mm, the refraction index for λ=0,63 mm equels 2,2. The optical characteristics after thermal processing (473 K), natural ageing (two years) as well as treatment by laser beam (10⁶ W/sm²) are remained without changes. The possibility of ZnGa₂S₄ application as antirefrection coating and protective coats for optical crystals in range of 0,3—20 mm long waves has been studied.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:35:04Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70857 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:35:04Z |
| publishDate | 2001 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Попович, Н.И. Довгошей, Н.И. Качер, И.Э. 2014-11-15T14:20:38Z 2014-11-15T14:20:38Z 2001 Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов / Н.И. Попович, Н.И. Довгошей, И.Э. Качер // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 19-20. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70857 535.3:535.51 Исследованы оптические характеристики тонких пленок нового широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄. Область прозрачности пленок составляет 0,3—25 мкм, показатель преломления при λ=0,63 мкм равен 2,2. Оптические характеристики после термообработки (473 К), естественного старения (два года), а также обработки лазерным излучением (10⁶ Вт/см²) остаются неизменными. Изучена возможность применения ZnGa₂S₄ в качестве просветляющих и защитных покрытий для оптических кристаллов в диапазоне длин волн 0,3—25 мкм. The optical characteristics of new widezone ZnGa₂S₄ semiconductor thin films have been investigated. The transparance range of films is 0,3— 25 mm, the refraction index for λ=0,63 mm equels 2,2. The optical characteristics after thermal processing (473 K), natural ageing (two years) as well as treatment by laser beam (10⁶ W/sm²) are remained without changes. The possibility of ZnGa₂S₄ application as antirefrection coating and protective coats for optical crystals in range of 0,3—20 mm long waves has been studied. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микроэлектроника Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов Application of the ZnGa₂S₄ widezone semiconductor films for antireflection coating of optical elements Article published earlier |
| spellingShingle | Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов Попович, Н.И. Довгошей, Н.И. Качер, И.Э. Функциональная микроэлектроника |
| title | Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов |
| title_alt | Application of the ZnGa₂S₄ widezone semiconductor films for antireflection coating of optical elements |
| title_full | Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов |
| title_fullStr | Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов |
| title_full_unstemmed | Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов |
| title_short | Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов |
| title_sort | применение пленок широкозонного полупроводника znga₂s₄ для просветления оптических элементов |
| topic | Функциональная микроэлектроника |
| topic_facet | Функциональная микроэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70857 |
| work_keys_str_mv | AT popovični primenenieplenokširokozonnogopoluprovodnikaznga2s4dlâprosvetleniâoptičeskihélementov AT dovgošeini primenenieplenokširokozonnogopoluprovodnikaznga2s4dlâprosvetleniâoptičeskihélementov AT kačerié primenenieplenokširokozonnogopoluprovodnikaznga2s4dlâprosvetleniâoptičeskihélementov AT popovični applicationoftheznga2s4widezonesemiconductorfilmsforantireflectioncoatingofopticalelements AT dovgošeini applicationoftheznga2s4widezonesemiconductorfilmsforantireflectioncoatingofopticalelements AT kačerié applicationoftheznga2s4widezonesemiconductorfilmsforantireflectioncoatingofopticalelements |