Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов
Исследованы оптические характеристики тонких пленок нового широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄. Область прозрачности пленок составляет 0,3—25 мкм, показатель преломления при λ=0,63 мкм равен 2,2. Оптические характеристики после термообработки (473 К), естественного старения (два года), а также обра...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2001 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70857 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов / Н.И. Попович, Н.И. Довгошей, И.Э. Качер // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 19-20. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70857 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Попович, Н.И. Довгошей, Н.И. Качер, И.Э. 2014-11-15T14:20:38Z 2014-11-15T14:20:38Z 2001 Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов / Н.И. Попович, Н.И. Довгошей, И.Э. Качер // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 19-20. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70857 535.3:535.51 Исследованы оптические характеристики тонких пленок нового широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄. Область прозрачности пленок составляет 0,3—25 мкм, показатель преломления при λ=0,63 мкм равен 2,2. Оптические характеристики после термообработки (473 К), естественного старения (два года), а также обработки лазерным излучением (10⁶ Вт/см²) остаются неизменными. Изучена возможность применения ZnGa₂S₄ в качестве просветляющих и защитных покрытий для оптических кристаллов в диапазоне длин волн 0,3—25 мкм. The optical characteristics of new widezone ZnGa₂S₄ semiconductor thin films have been investigated. The transparance range of films is 0,3— 25 mm, the refraction index for λ=0,63 mm equels 2,2. The optical characteristics after thermal processing (473 K), natural ageing (two years) as well as treatment by laser beam (10⁶ W/sm²) are remained without changes. The possibility of ZnGa₂S₄ application as antirefrection coating and protective coats for optical crystals in range of 0,3—20 mm long waves has been studied. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микроэлектроника Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов Application of the ZnGa₂S₄ widezone semiconductor films for antireflection coating of optical elements Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов |
| spellingShingle |
Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов Попович, Н.И. Довгошей, Н.И. Качер, И.Э. Функциональная микроэлектроника |
| title_short |
Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов |
| title_full |
Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов |
| title_fullStr |
Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов |
| title_full_unstemmed |
Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов |
| title_sort |
применение пленок широкозонного полупроводника znga₂s₄ для просветления оптических элементов |
| author |
Попович, Н.И. Довгошей, Н.И. Качер, И.Э. |
| author_facet |
Попович, Н.И. Довгошей, Н.И. Качер, И.Э. |
| topic |
Функциональная микроэлектроника |
| topic_facet |
Функциональная микроэлектроника |
| publishDate |
2001 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Application of the ZnGa₂S₄ widezone semiconductor films for antireflection coating of optical elements |
| description |
Исследованы оптические характеристики тонких пленок нового широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄. Область прозрачности пленок составляет 0,3—25 мкм, показатель преломления при λ=0,63 мкм равен 2,2. Оптические характеристики после термообработки (473 К), естественного старения (два года), а также обработки лазерным излучением (10⁶ Вт/см²) остаются неизменными. Изучена возможность применения ZnGa₂S₄ в качестве просветляющих и защитных покрытий для оптических кристаллов в диапазоне длин волн 0,3—25 мкм.
The optical characteristics of new widezone ZnGa₂S₄ semiconductor thin films have been investigated. The transparance range of films is 0,3— 25 mm, the refraction index for λ=0,63 mm equels 2,2. The optical characteristics after thermal processing (473 K), natural ageing (two years) as well as treatment by laser beam (10⁶ W/sm²) are remained without changes. The possibility of ZnGa₂S₄ application as antirefrection coating and protective coats for optical crystals in range of 0,3—20 mm long waves has been studied.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70857 |
| citation_txt |
Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов / Н.И. Попович, Н.И. Довгошей, И.Э. Качер // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 19-20. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT popovični primenenieplenokširokozonnogopoluprovodnikaznga2s4dlâprosvetleniâoptičeskihélementov AT dovgošeini primenenieplenokširokozonnogopoluprovodnikaznga2s4dlâprosvetleniâoptičeskihélementov AT kačerié primenenieplenokširokozonnogopoluprovodnikaznga2s4dlâprosvetleniâoptičeskihélementov AT popovični applicationoftheznga2s4widezonesemiconductorfilmsforantireflectioncoatingofopticalelements AT dovgošeini applicationoftheznga2s4widezonesemiconductorfilmsforantireflectioncoatingofopticalelements AT kačerié applicationoftheznga2s4widezonesemiconductorfilmsforantireflectioncoatingofopticalelements |
| first_indexed |
2025-12-07T18:35:04Z |
| last_indexed |
2025-12-07T18:35:04Z |
| _version_ |
1850875580638035969 |