Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов - Попович, Н.И.; Довгошей, Н.И.; Качер, И.Э. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
Исследованы оптические характеристики тонких пленок нового широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄. Область прозрачности пленок составляет 0,3—25 мкм, показатель преломления при λ=0,63 мкм равен 2,2. Оптические характеристики после термообработки (473 К), естественного старения (два года), а также обработки лазерным излучением (10⁶ Вт/см²) остаются неизменными. Изучена возможность применения ZnGa₂S₄ в качестве просветляющих и защитных покрытий для оптических кристаллов в диапазоне длин волн 0,3—25 мкм. The optical characteristics of new widezone ZnGa₂S₄ semiconductor thin films have been investigated. The transparance range of films is 0,3— 25 mm, the refraction index for λ=0,63 mm equels 2,2. The optical characteristics after thermal processing (473 K), natural ageing (two years) as well as treatment by laser beam (10⁶ W/sm²) are remained without changes. The possibility of ZnGa₂S₄ application as antirefrection coating and protective coats for optical crystals in range of 0,3—20 mm long waves has been studied.