Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов
Исследованы оптические характеристики тонких пленок нового широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄. Область прозрачности пленок составляет 0,3—25 мкм, показатель преломления при λ=0,63 мкм равен 2,2. Оптические характеристики после термообработки (473 К), естественного старения (два года), а также обра...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2001 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70857 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов / Н.И. Попович, Н.И. Довгошей, И.Э. Качер // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 19-20. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами
за авторством: Кондрат, А.Б., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Кондрат, А.Б., та інші
Опубліковано: (2001)
Моделирование свойств CdZnTe и параметров детекторов γ-излучения на его основе
за авторством: Кондрик, А.И.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Кондрик, А.И.
Опубліковано: (2004)
Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
за авторством: Кутний, В.Е., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Кутний, В.Е., та інші
Опубліковано: (2005)
Блок детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe для систем радиационного контроля
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2005)
Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов
за авторством: Власенко, А.И., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Власенко, А.И., та інші
Опубліковано: (2001)
Акустооптические модуляторы для систем спектрального анализа радиосигналов
за авторством: Брайко, Г.И., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Брайко, Г.И., та інші
Опубліковано: (2003)
Микрочиповые лазеры
за авторством: Матковский, А.О., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Матковский, А.О., та інші
Опубліковано: (2002)
Оптимизация геометрических характеристик p-n-структур для оптоэлектроники
за авторством: Викулин, И.М., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Викулин, И.М., та інші
Опубліковано: (2004)
Применение феррогранатовых эпитаксиальных структур в сверхвысокочастотной электронике
за авторством: Ющук, С.И., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Ющук, С.И., та інші
Опубліковано: (2005)
Анизотропный термоэлектрический компаратор
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2002)
СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн
за авторством: Иващук, А.В., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Иващук, А.В., та інші
Опубліковано: (2003)
Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2002)
Методика определения динамического диапазона полупроводниковых фотоприемников
за авторством: Докторович, И.В., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Докторович, И.В., та інші
Опубліковано: (2002)
Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников
за авторством: Косяченко, Л.А., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Косяченко, Л.А., та інші
Опубліковано: (2001)
Использование фотоприемных устройств в качестве контрольных для снижения погрешности измерений
за авторством: Ницович, Б.М., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ницович, Б.М., та інші
Опубліковано: (2004)
Координатно-чувствительный фотоэлектромагнитный детектор ИК-излучения на основе HgCdTe
за авторством: Боднарук, О.А., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Боднарук, О.А., та інші
Опубліковано: (2004)
Устройства на основе фотонных кристаллов
за авторством: Нелин, Е.А.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Нелин, Е.А.
Опубліковано: (2004)
Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников
за авторством: Болгов, С.С.
Опубліковано: (2001)
за авторством: Болгов, С.С.
Опубліковано: (2001)
Двухспектральный фотоприемник
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2005)
Методы построения микроэлектронных радиоизмерительных преобразователей с частотным принципом работы
за авторством: Осадчук, В.С., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Осадчук, В.С., та інші
Опубліковано: (2004)
Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов
за авторством: Емцев, П.А.
Опубліковано: (2003)
за авторством: Емцев, П.А.
Опубліковано: (2003)
Контурные тепловые трубы с алюминиевым испарителем для комбинированных систем охлаждения РЭА
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)
Многоуровневая оптическая память на микро- и наноразмерных структурах
за авторством: Демёхин, В.В., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Демёхин, В.В., та інші
Опубліковано: (2004)
Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2004)
Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2003)
Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
за авторством: Круковский, С.И.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Круковский, С.И.
Опубліковано: (2002)
Теоретические аспекты оптимизации металлических токосъемных контактов солнечных элементов
за авторством: Горский, П.В., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Горский, П.В., та інші
Опубліковано: (2001)
Устройство для охлаждения элементов микроэлектронной аппаратуры
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2004)
Применение самовосстанавливающихся элементов для электрической защиты солнечных батарей
за авторством: Тонкошкур, А.С., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Тонкошкур, А.С., та інші
Опубліковано: (2018)
Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях
за авторством: Москалюк, В.А., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Москалюк, В.А., та інші
Опубліковано: (2003)
Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
за авторством: Бобренко, Ю.Н., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Бобренко, Ю.Н., та інші
Опубліковано: (2009)
Исследование кристаллической структуры тонких пленок органического полупроводника - дигидродибензотетраазааннулена
за авторством: Удовицкий, В.Г.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Удовицкий, В.Г.
Опубліковано: (2008)
Измерение температуры с использованием оптических датчиков на основе двулучепреломляющих кристаллов
за авторством: Габа, В.М.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Габа, В.М.
Опубліковано: (2009)
Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
за авторством: Краснов, В.А., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Краснов, В.А., та інші
Опубліковано: (2008)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2008)
Состояние и тенденции развития твердотельных фотопреобразователей солнечной энергии
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2001)
Основные типы мистического опыта просветления
за авторством: Жиртуева, Н.С.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Жиртуева, Н.С.
Опубліковано: (2004)
Физика высокопроводящих прозрачных материалов на основе широкозонного оксида цинка
за авторством: Лашкарев, Г.В., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Лашкарев, Г.В., та інші
Опубліковано: (2017)
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2009)