Состояние и тенденции развития твердотельных фотопреобразователей солнечной энергии

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2001
• Автори: Николаенко, Ю.Е., Вакив, Н.М., Круковский, С.И., Ерохов, В.Ю., Мельник, И.И., Завербный, И.Р.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
• Теми: Энергетическая микроэлектроника
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70858
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Состояние и тенденции развития твердотельных фотопреобразователей солнечной энергии / Ю.Е. Николаенко, Н.М. Вакив, С.И. Круковский, В.Ю. Ерохов, И.И. Мельник, И.Р. Завербный // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 21-30. — Бібліогр.: 34 назв. — рос.

Проанализированы эволюция и современное состояние фотопреобразователей солнечной энергии на основе кремния и гетероструктур А₃В₅. Важной тенденцией развития космической энергетики стало возрастание количества микроспутников с энергетическими установками на основе GaAs, что обусловлено их повышенной радиационной стойкостью, удельной мощностью солнечной батареи и КПД. Дальнейшее развитие космической фотоэнергетики будет базироваться на использовании многослойных гетероструктур GaInAs—AlGaAs—GaAs(Ge). The evolution and modern condition of solar energy transmitters on the basis of silicon and А₃В₅ geterostructure have been analysed. An important tendention in development of space power engineering has become increase of micro-satellites with electric power installations on the base of GaAs. This fact is determined by their higher radiation resistance, specific power solar cells, efficiency, etc. Further perfection of the space photo-power engineering will be grounded on utilization of many-layered heterostructures GaInAs—AlGaAs—GaAs(Ge).