Состояние и тенденции развития твердотельных фотопреобразователей солнечной энергии

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2001
• Main Authors: Николаенко, Ю.Е., Вакив, Н.М., Круковский, С.И., Ерохов, В.Ю., Мельник, И.И., Завербный, И.Р.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
• Subjects: Энергетическая микроэлектроника
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70858
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Состояние и тенденции развития твердотельных фотопреобразователей солнечной энергии / Ю.Е. Николаенко, Н.М. Вакив, С.И. Круковский, В.Ю. Ерохов, И.И. Мельник, И.Р. Завербный // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 21-30. — Бібліогр.: 34 назв. — рос.

Проанализированы эволюция и современное состояние фотопреобразователей солнечной энергии на основе кремния и гетероструктур А₃В₅. Важной тенденцией развития космической энергетики стало возрастание количества микроспутников с энергетическими установками на основе GaAs, что обусловлено их повышенной радиационной стойкостью, удельной мощностью солнечной батареи и КПД. Дальнейшее развитие космической фотоэнергетики будет базироваться на использовании многослойных гетероструктур GaInAs—AlGaAs—GaAs(Ge). The evolution and modern condition of solar energy transmitters on the basis of silicon and А₃В₅ geterostructure have been analysed. An important tendention in development of space power engineering has become increase of micro-satellites with electric power installations on the base of GaAs. This fact is determined by their higher radiation resistance, specific power solar cells, efficiency, etc. Further perfection of the space photo-power engineering will be grounded on utilization of many-layered heterostructures GaInAs—AlGaAs—GaAs(Ge).