Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2001
• Main Authors: Байдуллаева, А., Власенко, А.И., Ломовцев, А.В., Мозоль, П.Е.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
• Subjects: Сенсоэлектроника
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70860
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe / А. Байдуллаева, А.И. Власенко, А.В. Ломовцев, П.Е. Мозоль // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 36-37. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Исследованы вольт-амперные характеристики кристаллического и поликристаллического CdTe n- и р-типов проводимости. Обнаружен эффект переключения с памятью после облучения образцов импульсами лазерного излучения. Время переключения 10-100 нс. Установлено, что появление эффекта переключения с памятью обусловлено образованием слоя Те на поверхности образцов в результате лазерного облучения. The volt-current characteristics of n- and р-type CdTe single crystals and polycrystals have been investigated. The effect of switching with memory after samples irradiation by laser pulses has been seen. The switching time is about 10—100 ns. It has been established that the apperance of switching effect with memory was motivated by the formation of Te layer on the surface of samples as the result of laser irradiation.