Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe
Исследованы вольт-амперные характеристики кристаллического и поликристаллического CdTe n- и р-типов проводимости. Обнаружен эффект переключения с памятью после облучения образцов импульсами лазерного излучения. Время переключения 10-100 нс. Установлено, что появление эффекта переключения с памятью о...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2001 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70860 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe / А. Байдуллаева, А.И. Власенко, А.В. Ломовцев, П.Е. Мозоль // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 36-37. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862715951466676224 |
|---|---|
| author | Байдуллаева, А. Власенко, А.И. Ломовцев, А.В. Мозоль, П.Е. |
| author_facet | Байдуллаева, А. Власенко, А.И. Ломовцев, А.В. Мозоль, П.Е. |
| citation_txt | Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe / А. Байдуллаева, А.И. Власенко, А.В. Ломовцев, П.Е. Мозоль // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 36-37. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Исследованы вольт-амперные характеристики кристаллического и поликристаллического CdTe n- и р-типов проводимости. Обнаружен эффект переключения с памятью после облучения образцов импульсами лазерного излучения. Время переключения 10-100 нс. Установлено, что появление эффекта переключения с памятью обусловлено образованием слоя Те на поверхности образцов в результате лазерного облучения.
The volt-current characteristics of n- and р-type CdTe single crystals and polycrystals have been investigated. The effect of switching with memory after samples irradiation by laser pulses has been seen. The switching time is about 10—100 ns. It has been established that the apperance of switching effect with memory was motivated by the formation of Te layer on the surface of samples as the result of laser irradiation.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:01:07Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70860 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:01:07Z |
| publishDate | 2001 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Байдуллаева, А. Власенко, А.И. Ломовцев, А.В. Мозоль, П.Е. 2014-11-15T14:26:10Z 2014-11-15T14:26:10Z 2001 Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe / А. Байдуллаева, А.И. Власенко, А.В. Ломовцев, П.Е. Мозоль // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 36-37. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70860 621.315.592 Исследованы вольт-амперные характеристики кристаллического и поликристаллического CdTe n- и р-типов проводимости. Обнаружен эффект переключения с памятью после облучения образцов импульсами лазерного излучения. Время переключения 10-100 нс. Установлено, что появление эффекта переключения с памятью обусловлено образованием слоя Те на поверхности образцов в результате лазерного облучения. The volt-current characteristics of n- and р-type CdTe single crystals and polycrystals have been investigated. The effect of switching with memory after samples irradiation by laser pulses has been seen. The switching time is about 10—100 ns. It has been established that the apperance of switching effect with memory was motivated by the formation of Te layer on the surface of samples as the result of laser irradiation. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Сенсоэлектроника Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe Creation of switching elements with memory on the base of CdTe crystals Article published earlier |
| spellingShingle | Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe Байдуллаева, А. Власенко, А.И. Ломовцев, А.В. Мозоль, П.Е. Сенсоэлектроника |
| title | Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe |
| title_alt | Creation of switching elements with memory on the base of CdTe crystals |
| title_full | Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe |
| title_fullStr | Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe |
| title_full_unstemmed | Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe |
| title_short | Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe |
| title_sort | создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов cdte |
| topic | Сенсоэлектроника |
| topic_facet | Сенсоэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70860 |
| work_keys_str_mv | AT baidullaevaa sozdaniepereklûčaûŝihélementovspamâtʹûnaosnovekristallovcdte AT vlasenkoai sozdaniepereklûčaûŝihélementovspamâtʹûnaosnovekristallovcdte AT lomovcevav sozdaniepereklûčaûŝihélementovspamâtʹûnaosnovekristallovcdte AT mozolʹpe sozdaniepereklûčaûŝihélementovspamâtʹûnaosnovekristallovcdte AT baidullaevaa creationofswitchingelementswithmemoryonthebaseofcdtecrystals AT vlasenkoai creationofswitchingelementswithmemoryonthebaseofcdtecrystals AT lomovcevav creationofswitchingelementswithmemoryonthebaseofcdtecrystals AT mozolʹpe creationofswitchingelementswithmemoryonthebaseofcdtecrystals |