Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2001
• Автори: Байдуллаева, А., Власенко, А.И., Ломовцев, А.В., Мозоль, П.Е.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
• Теми: Сенсоэлектроника
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70860
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe / А. Байдуллаева, А.И. Власенко, А.В. Ломовцев, П.Е. Мозоль // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 36-37. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Исследованы вольт-амперные характеристики кристаллического и поликристаллического CdTe n- и р-типов проводимости. Обнаружен эффект переключения с памятью после облучения образцов импульсами лазерного излучения. Время переключения 10-100 нс. Установлено, что появление эффекта переключения с памятью о...