Проектирование высоковольтных КМОП ИС ключей и коммутаторов на основе объемного кремния
Рассмотрены возможности проектирования высоковольтных КМОП ИС на основе объемного кремния. Представлены электрические параметры ключей и коммутаторов, факторы, ограничивающие проектирование КМОП ИС с управлением сигналами от ТТЛ ИС. Выполнен анализ некоторых электрических и конструктивных параметров...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2001 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70865 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Проектирование высоковольтных КМОП ИС ключей и коммутаторов на основе объемного кремния / В.Г. Вербицкий, В.И. Золотаревский, Ю.Е. Николаенко, Л.И. Самотовка, Е.С. Товмач // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 59-63. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70865 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Вербицкий, В.Г. Золотаревский, В.И. Николаенко, Ю.Е. Самотовка, Л.И. Товмач, Е.С. 2014-11-15T14:37:02Z 2014-11-15T14:37:02Z 2001 Проектирование высоковольтных КМОП ИС ключей и коммутаторов на основе объемного кремния / В.Г. Вербицкий, В.И. Золотаревский, Ю.Е. Николаенко, Л.И. Самотовка, Е.С. Товмач // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 59-63. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70865 621.382(088-8) Рассмотрены возможности проектирования высоковольтных КМОП ИС на основе объемного кремния. Представлены электрические параметры ключей и коммутаторов, факторы, ограничивающие проектирование КМОП ИС с управлением сигналами от ТТЛ ИС. Выполнен анализ некоторых электрических и конструктивных параметров элементов КМОП-транзисторов входного инвертора устройства управления ключом (УУК) и аналогового ключа. Показано, что при изоляции от общей подложки объемного кремния р-канальных КМОП-транзисторов с помощью n-р-переходов (n-кармана) предельное напряжение питания УУК и коммутации ключом составляет ±20 В, а при изоляции n-канальных КМОП-транзисторов с помощью р-n-переходов (р-кармана) - ±50 В. The possibilities of the design voltage CMOS IC switches on the base of bulk silicon have been considered. The electrical parameters of switches and multiplexers, the factors bounding the design of CMOS IC with control by signals of TTL IC have been presented. The analysis of some electrical and constructive elements' parameters of the input inverter CMOS transistors of switch control device (SCD) and analog switch has been carried out. It has been shown that limit of SCD supply voltage and switching voltage equally to ±20 V when р-chanal CMOS transistors are insulated from general substrate owing to n-р-transistions (n-well) and when n-channel CMOS transistors are insulated owing to р-n-transistions (р-well) — ±50 V. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Интегральные схемы и полупроводниковые приборы Проектирование высоковольтных КМОП ИС ключей и коммутаторов на основе объемного кремния The design of high voltage CMOS IC switches and multiplexers on the base of bulk silicon Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Проектирование высоковольтных КМОП ИС ключей и коммутаторов на основе объемного кремния |
| spellingShingle |
Проектирование высоковольтных КМОП ИС ключей и коммутаторов на основе объемного кремния Вербицкий, В.Г. Золотаревский, В.И. Николаенко, Ю.Е. Самотовка, Л.И. Товмач, Е.С. Интегральные схемы и полупроводниковые приборы |
| title_short |
Проектирование высоковольтных КМОП ИС ключей и коммутаторов на основе объемного кремния |
| title_full |
Проектирование высоковольтных КМОП ИС ключей и коммутаторов на основе объемного кремния |
| title_fullStr |
Проектирование высоковольтных КМОП ИС ключей и коммутаторов на основе объемного кремния |
| title_full_unstemmed |
Проектирование высоковольтных КМОП ИС ключей и коммутаторов на основе объемного кремния |
| title_sort |
проектирование высоковольтных кмоп ис ключей и коммутаторов на основе объемного кремния |
| author |
Вербицкий, В.Г. Золотаревский, В.И. Николаенко, Ю.Е. Самотовка, Л.И. Товмач, Е.С. |
| author_facet |
Вербицкий, В.Г. Золотаревский, В.И. Николаенко, Ю.Е. Самотовка, Л.И. Товмач, Е.С. |
| topic |
Интегральные схемы и полупроводниковые приборы |
| topic_facet |
Интегральные схемы и полупроводниковые приборы |
| publishDate |
2001 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
The design of high voltage CMOS IC switches and multiplexers on the base of bulk silicon |
| description |
Рассмотрены возможности проектирования высоковольтных КМОП ИС на основе объемного кремния. Представлены электрические параметры ключей и коммутаторов, факторы, ограничивающие проектирование КМОП ИС с управлением сигналами от ТТЛ ИС. Выполнен анализ некоторых электрических и конструктивных параметров элементов КМОП-транзисторов входного инвертора устройства управления ключом (УУК) и аналогового ключа. Показано, что при изоляции от общей подложки объемного кремния р-канальных КМОП-транзисторов с помощью n-р-переходов (n-кармана) предельное напряжение питания УУК и коммутации ключом составляет ±20 В, а при изоляции n-канальных КМОП-транзисторов с помощью р-n-переходов (р-кармана) - ±50 В.
The possibilities of the design voltage CMOS IC switches on the base of bulk silicon have been considered. The electrical parameters of switches and multiplexers, the factors bounding the design of CMOS IC with control by signals of TTL IC have been presented. The analysis of some electrical and constructive elements' parameters of the input inverter CMOS transistors of switch control device (SCD) and analog switch has been carried out. It has been shown that limit of SCD supply voltage and switching voltage equally to ±20 V when р-chanal CMOS transistors are insulated from general substrate owing to n-р-transistions (n-well) and when n-channel CMOS transistors are insulated owing to р-n-transistions (р-well) — ±50 V.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70865 |
| citation_txt |
Проектирование высоковольтных КМОП ИС ключей и коммутаторов на основе объемного кремния / В.Г. Вербицкий, В.И. Золотаревский, Ю.Е. Николаенко, Л.И. Самотовка, Е.С. Товмач // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 59-63. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT verbickiivg proektirovanievysokovolʹtnyhkmopisklûčeiikommutatorovnaosnoveobʺemnogokremniâ AT zolotarevskiivi proektirovanievysokovolʹtnyhkmopisklûčeiikommutatorovnaosnoveobʺemnogokremniâ AT nikolaenkoûe proektirovanievysokovolʹtnyhkmopisklûčeiikommutatorovnaosnoveobʺemnogokremniâ AT samotovkali proektirovanievysokovolʹtnyhkmopisklûčeiikommutatorovnaosnoveobʺemnogokremniâ AT tovmačes proektirovanievysokovolʹtnyhkmopisklûčeiikommutatorovnaosnoveobʺemnogokremniâ AT verbickiivg thedesignofhighvoltagecmosicswitchesandmultiplexersonthebaseofbulksilicon AT zolotarevskiivi thedesignofhighvoltagecmosicswitchesandmultiplexersonthebaseofbulksilicon AT nikolaenkoûe thedesignofhighvoltagecmosicswitchesandmultiplexersonthebaseofbulksilicon AT samotovkali thedesignofhighvoltagecmosicswitchesandmultiplexersonthebaseofbulksilicon AT tovmačes thedesignofhighvoltagecmosicswitchesandmultiplexersonthebaseofbulksilicon |
| first_indexed |
2025-12-07T16:13:16Z |
| last_indexed |
2025-12-07T16:13:16Z |
| _version_ |
1850866659918610432 |