Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки
Рассмотрены физические процессы, протекающие в системе О₂–SiO₂–Si под действием некогерентного излучения в период окисления кремния методом быстрой термической обработки....
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2001 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70875 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки / А.М. Светличный, О.А. Агеев, Д.А. Шляховой // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 38-43. — Бібліогр.: 29 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862703733852340224 |
|---|---|
| author | Светличный, А.М. Агеев, О.А. Шляховой, Д.А. |
| author_facet | Светличный, А.М. Агеев, О.А. Шляховой, Д.А. |
| citation_txt | Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки / А.М. Светличный, О.А. Агеев, Д.А. Шляховой // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 38-43. — Бібліогр.: 29 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Рассмотрены физические процессы, протекающие в системе О₂–SiO₂–Si под действием некогерентного излучения в период окисления кремния методом быстрой термической обработки.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:48:56Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70875 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:48:56Z |
| publishDate | 2001 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Светличный, А.М. Агеев, О.А. Шляховой, Д.А. 2014-11-15T16:39:53Z 2014-11-15T16:39:53Z 2001 Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки / А.М. Светличный, О.А. Агеев, Д.А. Шляховой // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 38-43. — Бібліогр.: 29 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70875 539.216.2.002—546.28 Рассмотрены физические процессы, протекающие в системе О₂–SiO₂–Si под действием некогерентного излучения в период окисления кремния методом быстрой термической обработки. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технология производства Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки Article published earlier |
| spellingShingle | Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки Светличный, А.М. Агеев, О.А. Шляховой, Д.А. Технология производства |
| title | Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки |
| title_full | Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки |
| title_fullStr | Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки |
| title_full_unstemmed | Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки |
| title_short | Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки |
| title_sort | особенности получения тонких пленок sio₂ методом быстрой термической обработки |
| topic | Технология производства |
| topic_facet | Технология производства |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70875 |
| work_keys_str_mv | AT svetličnyiam osobennostipolučeniâtonkihplenoksio2metodombystroitermičeskoiobrabotki AT ageevoa osobennostipolučeniâtonkihplenoksio2metodombystroitermičeskoiobrabotki AT šlâhovoida osobennostipolučeniâtonkihplenoksio2metodombystroitermičeskoiobrabotki |