Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки

Рассмотрены физические процессы, протекающие в системе О₂–SiO₂–Si под действием некогерентного излучения в период окисления кремния методом быстрой термической обработки....

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:2001
Main Authors: Светличный, А.М., Агеев, О.А., Шляховой, Д.А.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70875
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки / А.М. Светличный, О.А. Агеев, Д.А. Шляховой // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 38-43. — Бібліогр.: 29 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70875
record_format dspace
spelling Светличный, А.М.
Агеев, О.А.
Шляховой, Д.А.
2014-11-15T16:39:53Z
2014-11-15T16:39:53Z
2001
Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки / А.М. Светличный, О.А. Агеев, Д.А. Шляховой // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 38-43. — Бібліогр.: 29 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70875
539.216.2.002—546.28
Рассмотрены физические процессы, протекающие в системе О₂–SiO₂–Si под действием некогерентного излучения в период окисления кремния методом быстрой термической обработки.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Технология производства
Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки
spellingShingle Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки
Светличный, А.М.
Агеев, О.А.
Шляховой, Д.А.
Технология производства
title_short Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки
title_full Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки
title_fullStr Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки
title_full_unstemmed Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки
title_sort особенности получения тонких пленок sio₂ методом быстрой термической обработки
author Светличный, А.М.
Агеев, О.А.
Шляховой, Д.А.
author_facet Светличный, А.М.
Агеев, О.А.
Шляховой, Д.А.
topic Технология производства
topic_facet Технология производства
publishDate 2001
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
description Рассмотрены физические процессы, протекающие в системе О₂–SiO₂–Si под действием некогерентного излучения в период окисления кремния методом быстрой термической обработки.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70875
citation_txt Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки / А.М. Светличный, О.А. Агеев, Д.А. Шляховой // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 38-43. — Бібліогр.: 29 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT svetličnyiam osobennostipolučeniâtonkihplenoksio2metodombystroitermičeskoiobrabotki
AT ageevoa osobennostipolučeniâtonkihplenoksio2metodombystroitermičeskoiobrabotki
AT šlâhovoida osobennostipolučeniâtonkihplenoksio2metodombystroitermičeskoiobrabotki
first_indexed 2025-12-07T16:48:56Z
last_indexed 2025-12-07T16:48:56Z
_version_ 1850868903473840128