Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2001
• Main Authors: Светличный, А.М., Агеев, О.А., Шляховой, Д.А.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
• Subjects: Технология производства
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70875
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки / А.М. Светличный, О.А. Агеев, Д.А. Шляховой // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 38-43. — Бібліогр.: 29 назв. — рос.

Рассмотрены физические процессы, протекающие в системе О₂–SiO₂–Si под действием некогерентного излучения в период окисления кремния методом быстрой термической обработки....