Cover Image

Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки

Рассмотрены физические процессы, протекающие в системе О₂–SiO₂–Si под действием некогерентного излучения в период окисления кремния методом быстрой термической обработки....

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:2001
Main Authors: Светличный, А.М., Агеев, О.А., Шляховой, Д.А.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
Subjects:
Технология производства
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70875
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки / А.М. Светличный, О.А. Агеев, Д.А. Шляховой // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 38-43. — Бібліогр.: 29 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Similar Items