Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра
Разработаны кремниевые p—n-фотодиоды, чувствительные к ближней области ультрафиолетового излучения (до 190 нм). Высокий уровень токовой монохроматической чувствительности в этой области спектра (0,1 А/Вт) достигнут повышением концентрации бора в легированной области до 6·10¹⁹ см⁻³ и формированием ре...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2001 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70876 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра / Ю.Г. Добровольский, В.В. Рюхтин, А.Б. Шимановский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 44-46. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862715177362784256 |
|---|---|
| author | Добровольский, Ю.Г. Рюхтин, В.В. Шимановский, А.Б. |
| author_facet | Добровольский, Ю.Г. Рюхтин, В.В. Шимановский, А.Б. |
| citation_txt | Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра / Ю.Г. Добровольский, В.В. Рюхтин, А.Б. Шимановский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 44-46. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Разработаны кремниевые p—n-фотодиоды, чувствительные к ближней области ультрафиолетового излучения (до 190 нм). Высокий уровень токовой монохроматической чувствительности в этой области спектра (0,1 А/Вт) достигнут повышением концентрации бора в легированной области до 6·10¹⁹ см⁻³ и формированием резкого p—n-перехода с глубиной залегания до 0,2 мкм. Длительность наработки фотодиодов составляет 100000 ч.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:55:57Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70876 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:55:57Z |
| publishDate | 2001 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Добровольский, Ю.Г. Рюхтин, В.В. Шимановский, А.Б. 2014-11-15T16:41:26Z 2014-11-15T16:41:26Z 2001 Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра / Ю.Г. Добровольский, В.В. Рюхтин, А.Б. Шимановский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 44-46. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70876 537.312.5:621.383.52 Разработаны кремниевые p—n-фотодиоды, чувствительные к ближней области ультрафиолетового излучения (до 190 нм). Высокий уровень токовой монохроматической чувствительности в этой области спектра (0,1 А/Вт) достигнут повышением концентрации бора в легированной области до 6·10¹⁹ см⁻³ и формированием резкого p—n-перехода с глубиной залегания до 0,2 мкм. Длительность наработки фотодиодов составляет 100000 ч. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Компоненты для электронной аппаратуры Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра Article published earlier |
| spellingShingle | Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра Добровольский, Ю.Г. Рюхтин, В.В. Шимановский, А.Б. Компоненты для электронной аппаратуры |
| title | Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра |
| title_full | Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра |
| title_fullStr | Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра |
| title_full_unstemmed | Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра |
| title_short | Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра |
| title_sort | кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра |
| topic | Компоненты для электронной аппаратуры |
| topic_facet | Компоненты для электронной аппаратуры |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70876 |
| work_keys_str_mv | AT dobrovolʹskiiûg kremnievyepnfotodiodydlâbližneiulʹtrafioletovoioblastispektra AT rûhtinvv kremnievyepnfotodiodydlâbližneiulʹtrafioletovoioblastispektra AT šimanovskiiab kremnievyepnfotodiodydlâbližneiulʹtrafioletovoioblastispektra |