Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра
Разработаны кремниевые p—n-фотодиоды, чувствительные к ближней области ультрафиолетового излучения (до 190 нм). Высокий уровень токовой монохроматической чувствительности в этой области спектра (0,1 А/Вт) достигнут повышением концентрации бора в легированной области до 6·10¹⁹ см⁻³ и формированием ре...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2001 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70876 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра / Ю.Г. Добровольский, В.В. Рюхтин, А.Б. Шимановский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 44-46. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70876 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Добровольский, Ю.Г. Рюхтин, В.В. Шимановский, А.Б. 2014-11-15T16:41:26Z 2014-11-15T16:41:26Z 2001 Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра / Ю.Г. Добровольский, В.В. Рюхтин, А.Б. Шимановский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 44-46. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70876 537.312.5:621.383.52 Разработаны кремниевые p—n-фотодиоды, чувствительные к ближней области ультрафиолетового излучения (до 190 нм). Высокий уровень токовой монохроматической чувствительности в этой области спектра (0,1 А/Вт) достигнут повышением концентрации бора в легированной области до 6·10¹⁹ см⁻³ и формированием резкого p—n-перехода с глубиной залегания до 0,2 мкм. Длительность наработки фотодиодов составляет 100000 ч. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Компоненты для электронной аппаратуры Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра |
| spellingShingle |
Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра Добровольский, Ю.Г. Рюхтин, В.В. Шимановский, А.Б. Компоненты для электронной аппаратуры |
| title_short |
Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра |
| title_full |
Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра |
| title_fullStr |
Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра |
| title_full_unstemmed |
Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра |
| title_sort |
кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра |
| author |
Добровольский, Ю.Г. Рюхтин, В.В. Шимановский, А.Б. |
| author_facet |
Добровольский, Ю.Г. Рюхтин, В.В. Шимановский, А.Б. |
| topic |
Компоненты для электронной аппаратуры |
| topic_facet |
Компоненты для электронной аппаратуры |
| publishDate |
2001 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| description |
Разработаны кремниевые p—n-фотодиоды, чувствительные к ближней области ультрафиолетового излучения (до 190 нм). Высокий уровень токовой монохроматической чувствительности в этой области спектра (0,1 А/Вт) достигнут повышением концентрации бора в легированной области до 6·10¹⁹ см⁻³ и формированием резкого p—n-перехода с глубиной залегания до 0,2 мкм. Длительность наработки фотодиодов составляет 100000 ч.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70876 |
| citation_txt |
Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра / Ю.Г. Добровольский, В.В. Рюхтин, А.Б. Шимановский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 44-46. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT dobrovolʹskiiûg kremnievyepnfotodiodydlâbližneiulʹtrafioletovoioblastispektra AT rûhtinvv kremnievyepnfotodiodydlâbližneiulʹtrafioletovoioblastispektra AT šimanovskiiab kremnievyepnfotodiodydlâbližneiulʹtrafioletovoioblastispektra |
| first_indexed |
2025-12-07T17:55:57Z |
| last_indexed |
2025-12-07T17:55:57Z |
| _version_ |
1850873119654281216 |