Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2001
• Main Authors: Добровольский, Ю.Г., Рюхтин, В.В., Шимановский, А.Б.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
• Subjects: Компоненты для электронной аппаратуры
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70876
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра / Ю.Г. Добровольский, В.В. Рюхтин, А.Б. Шимановский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 44-46. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Разработаны кремниевые p—n-фотодиоды, чувствительные к ближней области ультрафиолетового излучения (до 190 нм). Высокий уровень токовой монохроматической чувствительности в этой области спектра (0,1 А/Вт) достигнут повышением концентрации бора в легированной области до 6·10¹⁹ см⁻³ и формированием ре...