Метод компенсации действия радиации на магнитоуправляемые микросхемы
Исследовано влияние γ-излучения на параметры магнитоуправляемых переключающих микросхем типа К1116КП. Обнаружено, что под действием излучения уменьшается эдс Холла, входящего в схему датчика, а также коэффициенты передачи по току транзисторов, что приводит к увеличению пороговой индукции магнитного...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2001 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70878 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Метод компенсации действия радиации на магнитоуправляемые микросхемы / Л.Ф. Викулина, Е.Ф. Храмов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 49-50. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70878 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Викулина, Л.Ф. Храмов, Е.Ф. 2014-11-15T16:43:59Z 2014-11-15T16:43:59Z 2001 Метод компенсации действия радиации на магнитоуправляемые микросхемы / Л.Ф. Викулина, Е.Ф. Храмов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 49-50. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70878 621.382 Исследовано влияние γ-излучения на параметры магнитоуправляемых переключающих микросхем типа К1116КП. Обнаружено, что под действием излучения уменьшается эдс Холла, входящего в схему датчика, а также коэффициенты передачи по току транзисторов, что приводит к увеличению пороговой индукции магнитного поля Вп, при достижении которой происходит переключение. Предложен схемный метод компенсации изменения указанных величин, что позволяет создавать микросхемы со стабильным значением Вп. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Компоненты для электронной аппаратуры Метод компенсации действия радиации на магнитоуправляемые микросхемы Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Метод компенсации действия радиации на магнитоуправляемые микросхемы |
| spellingShingle |
Метод компенсации действия радиации на магнитоуправляемые микросхемы Викулина, Л.Ф. Храмов, Е.Ф. Компоненты для электронной аппаратуры |
| title_short |
Метод компенсации действия радиации на магнитоуправляемые микросхемы |
| title_full |
Метод компенсации действия радиации на магнитоуправляемые микросхемы |
| title_fullStr |
Метод компенсации действия радиации на магнитоуправляемые микросхемы |
| title_full_unstemmed |
Метод компенсации действия радиации на магнитоуправляемые микросхемы |
| title_sort |
метод компенсации действия радиации на магнитоуправляемые микросхемы |
| author |
Викулина, Л.Ф. Храмов, Е.Ф. |
| author_facet |
Викулина, Л.Ф. Храмов, Е.Ф. |
| topic |
Компоненты для электронной аппаратуры |
| topic_facet |
Компоненты для электронной аппаратуры |
| publishDate |
2001 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| description |
Исследовано влияние γ-излучения на параметры магнитоуправляемых переключающих микросхем типа К1116КП. Обнаружено, что под действием излучения уменьшается эдс Холла, входящего в схему датчика, а также коэффициенты передачи по току транзисторов, что приводит к увеличению пороговой индукции магнитного поля Вп, при достижении которой происходит переключение. Предложен схемный метод компенсации изменения указанных величин, что позволяет создавать микросхемы со стабильным значением Вп.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70878 |
| citation_txt |
Метод компенсации действия радиации на магнитоуправляемые микросхемы / Л.Ф. Викулина, Е.Ф. Храмов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 49-50. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT vikulinalf metodkompensaciideistviâradiaciinamagnitoupravlâemyemikroshemy AT hramovef metodkompensaciideistviâradiaciinamagnitoupravlâemyemikroshemy |
| first_indexed |
2025-12-07T13:09:43Z |
| last_indexed |
2025-12-07T13:09:43Z |
| _version_ |
1850855111379648512 |