Метод компенсации действия радиации на магнитоуправляемые микросхемы
Исследовано влияние γ-излучения на параметры магнитоуправляемых переключающих микросхем типа К1116КП. Обнаружено, что под действием излучения уменьшается эдс Холла, входящего в схему датчика, а также коэффициенты передачи по току транзисторов, что приводит к увеличению пороговой индукции магнитного...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2001 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70878 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Метод компенсации действия радиации на магнитоуправляемые микросхемы / Л.Ф. Викулина, Е.Ф. Храмов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 49-50. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862616569093292032 |
|---|---|
| author | Викулина, Л.Ф. Храмов, Е.Ф. |
| author_facet | Викулина, Л.Ф. Храмов, Е.Ф. |
| citation_txt | Метод компенсации действия радиации на магнитоуправляемые микросхемы / Л.Ф. Викулина, Е.Ф. Храмов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 49-50. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Исследовано влияние γ-излучения на параметры магнитоуправляемых переключающих микросхем типа К1116КП. Обнаружено, что под действием излучения уменьшается эдс Холла, входящего в схему датчика, а также коэффициенты передачи по току транзисторов, что приводит к увеличению пороговой индукции магнитного поля Вп, при достижении которой происходит переключение. Предложен схемный метод компенсации изменения указанных величин, что позволяет создавать микросхемы со стабильным значением Вп.
|
| first_indexed | 2025-12-07T13:09:43Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70878 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T13:09:43Z |
| publishDate | 2001 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Викулина, Л.Ф. Храмов, Е.Ф. 2014-11-15T16:43:59Z 2014-11-15T16:43:59Z 2001 Метод компенсации действия радиации на магнитоуправляемые микросхемы / Л.Ф. Викулина, Е.Ф. Храмов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 49-50. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70878 621.382 Исследовано влияние γ-излучения на параметры магнитоуправляемых переключающих микросхем типа К1116КП. Обнаружено, что под действием излучения уменьшается эдс Холла, входящего в схему датчика, а также коэффициенты передачи по току транзисторов, что приводит к увеличению пороговой индукции магнитного поля Вп, при достижении которой происходит переключение. Предложен схемный метод компенсации изменения указанных величин, что позволяет создавать микросхемы со стабильным значением Вп. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Компоненты для электронной аппаратуры Метод компенсации действия радиации на магнитоуправляемые микросхемы Article published earlier |
| spellingShingle | Метод компенсации действия радиации на магнитоуправляемые микросхемы Викулина, Л.Ф. Храмов, Е.Ф. Компоненты для электронной аппаратуры |
| title | Метод компенсации действия радиации на магнитоуправляемые микросхемы |
| title_full | Метод компенсации действия радиации на магнитоуправляемые микросхемы |
| title_fullStr | Метод компенсации действия радиации на магнитоуправляемые микросхемы |
| title_full_unstemmed | Метод компенсации действия радиации на магнитоуправляемые микросхемы |
| title_short | Метод компенсации действия радиации на магнитоуправляемые микросхемы |
| title_sort | метод компенсации действия радиации на магнитоуправляемые микросхемы |
| topic | Компоненты для электронной аппаратуры |
| topic_facet | Компоненты для электронной аппаратуры |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70878 |
| work_keys_str_mv | AT vikulinalf metodkompensaciideistviâradiaciinamagnitoupravlâemyemikroshemy AT hramovef metodkompensaciideistviâradiaciinamagnitoupravlâemyemikroshemy |