Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений
Прямозонные полупроводниковые соединения могут быть пролегированы позитронно-активной примесью с высокой степенью концентрации. Позитрон в кристалле полупроводника рассматривается как легчайшая дырка с эффективной массой, равной эффективной массе электрона. Такая дырка может связаться с электроном и...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2001 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70881 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 56-59. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862556410591576064 |
|---|---|
| author | Гаркавенко, А.С. |
| author_facet | Гаркавенко, А.С. |
| citation_txt | Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 56-59. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Прямозонные полупроводниковые соединения могут быть пролегированы позитронно-активной примесью с высокой степенью концентрации. Позитрон в кристалле полупроводника рассматривается как легчайшая дырка с эффективной массой, равной эффективной массе электрона. Такая дырка может связаться с электроном и образовать экситон нового типа—позитекс. На основе аналогии между позитексами и экситонами Ванье–Мотта показана возможность достижения необходимых и достаточных условий для генерации когерентного гамма-излучения в такой системе.
|
| first_indexed | 2025-11-25T22:31:36Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70881 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-25T22:31:36Z |
| publishDate | 2001 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Гаркавенко, А.С. 2014-11-15T16:48:04Z 2014-11-15T16:48:04Z 2001 Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 56-59. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70881 621.315.592 Прямозонные полупроводниковые соединения могут быть пролегированы позитронно-активной примесью с высокой степенью концентрации. Позитрон в кристалле полупроводника рассматривается как легчайшая дырка с эффективной массой, равной эффективной массе электрона. Такая дырка может связаться с электроном и образовать экситон нового типа—позитекс. На основе аналогии между позитексами и экситонами Ванье–Мотта показана возможность достижения необходимых и достаточных условий для генерации когерентного гамма-излучения в такой системе. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений Article published earlier |
| spellingShingle | Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений Гаркавенко, А.С. Материалы электроники |
| title | Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений |
| title_full | Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений |
| title_fullStr | Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений |
| title_full_unstemmed | Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений |
| title_short | Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений |
| title_sort | немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений |
| topic | Материалы электроники |
| topic_facet | Материалы электроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70881 |
| work_keys_str_mv | AT garkavenkoas nemessbauérovskiigammalazernaosnoveprâmozonnyhpoluprovodnikovyhsoedinenii |