Buchumschlag

Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений

Прямозонные полупроводниковые соединения могут быть пролегированы позитронно-активной примесью с высокой степенью концентрации. Позитрон в кристалле полупроводника рассматривается как легчайшая дырка с эффективной массой, равной эффективной массе электрона. Такая дырка может связаться с электроном и...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2001
1. Verfasser:	Гаркавенко, А.С.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
Schlagworte:	Материалы электроники
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70881
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 56-59. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI
von: Старжинский, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения
von: Старжинский, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Модифицированный фосфид галлия для лазеров и мощных светодиодов
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Структура полимерных композитов на основе диоксида ванадия и их диэлектрические свойства в диапазоне радиочастот
von: Колбунов, В.Р., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Газочувствительные элементы на основе пленок SiPcCl₂
von: Алиева, Х.С., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Мощные резисторы нового поколения на основе углеродных (алмазоподобных) пленок
von: Ротнер, С.М., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Нанокомпозиты на основе опаловых матриц с кристаллическими ферротороидальными мультиферроиками
von: Самойлович, М.И., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Влагоустойчивость транзисторов в пластмассовых корпусах на основе эпоксинаволачных смол
von: Ануфриев, Л.П., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Нанокомпозиты на основе опаловых матриц с 3D-структурой, образованной магнитными наночастицами
von: Ринкевич, А.Б., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Исследование кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ и гетеропереходов на их на основе
von: Ковалюк, Т.Т., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Исследование кристаллов Cu₂ZnSnTe₄ и гетеропереходов на их основе
von: Ковалюк, Т.Т., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Эффективные сцинтилляционные материалы на основе твердых растворов ZnS1–xTex и перспективы их применения
von: Катрунов, К.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Использование керамики на основе твердых растворов (Ni, Co, Mn, Cu)₃O₄для толстопленочных терморезисторов
von: Шпотюк, О.И., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
von: Наливайко, О.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Электропроводность композита «полиэтилен - диоксид ванадия»
von: Антонова, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe₁₋x
von: Трубаєва, О.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Влияние толщины и температуры пленок фталоцианина меди на их свойства
von: Алиева, Х.С.
Veröffentlicht: (2012)

Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x
von: Трубаева, O.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
von: Смынтына, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
von: Кулинич, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Влияние обработки водородом монокристаллов теллурида кадмия на их спектры оптического пропускания
von: Пигур, О.Н., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si»
von: Кулинич, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Влияние электронного облучения на оптические свойства пленок нанокристаллического SiC на подложках из монокристалла Al₂O₃
von: Семенов, A.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Влияние пластической деформации на анизотропию электропроводности трансформаторной стали
von: Усов, В.В.
Veröffentlicht: (2001)

Исследование влияни кислорода на скорость и анизотропию глубинного травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитним полем
von: Гладковский, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Влияние морфологии поверхности подложек ZnSe:Te на их оптические свойства
von: Махний, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Свойства металлических контактов на пленках TiO₂, изготовленных методом реактивного магнетронного распыления
von: Брус, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
von: Катеринчук, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Вплив температури на оптичні властивості тонких плівок Cu₂ZnSnSe₄
von: Майструк, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Пассивация поверхности высокочистых гранулированных металлов: цинка, кадмия, свинца
von: Пироженко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Система паст "Аналог-4" расширяет возможности толстопленочной технологии
von: Пучкова, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃
von: Алиева, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2012)