Зображення обкладинки

Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений

Прямозонные полупроводниковые соединения могут быть пролегированы позитронно-активной примесью с высокой степенью концентрации. Позитрон в кристалле полупроводника рассматривается как легчайшая дырка с эффективной массой, равной эффективной массе электрона. Такая дырка может связаться с электроном и...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:	2001
Автор:	Гаркавенко, А.С.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
Теми:	Материалы электроники
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70881
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 56-59. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
за авторством: Гаркавенко, А.С., та інші
Опубліковано: (2014)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
за авторством: Гаркавенко, А.С., та інші
Опубліковано: (2014)

Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI
за авторством: Старжинский, Н.Г., та інші
Опубліковано: (2012)

Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения
за авторством: Старжинский, Н.Г., та інші
Опубліковано: (2009)

Модифицированный фосфид галлия для лазеров и мощных светодиодов
за авторством: Гаркавенко, А.С., та інші
Опубліковано: (2001)

Структура полимерных композитов на основе диоксида ванадия и их диэлектрические свойства в диапазоне радиочастот
за авторством: Колбунов, В.Р., та інші
Опубліковано: (2015)

Газочувствительные элементы на основе пленок SiPcCl₂
за авторством: Алиева, Х.С., та інші
Опубліковано: (2010)

Мощные резисторы нового поколения на основе углеродных (алмазоподобных) пленок
за авторством: Ротнер, С.М., та інші
Опубліковано: (2006)

Нанокомпозиты на основе опаловых матриц с кристаллическими ферротороидальными мультиферроиками
за авторством: Самойлович, М.И., та інші
Опубліковано: (2012)

Влагоустойчивость транзисторов в пластмассовых корпусах на основе эпоксинаволачных смол
за авторством: Ануфриев, Л.П., та інші
Опубліковано: (2001)

Нанокомпозиты на основе опаловых матриц с 3D-структурой, образованной магнитными наночастицами
за авторством: Ринкевич, А.Б., та інші
Опубліковано: (2008)

Исследование кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ и гетеропереходов на их на основе
за авторством: Ковалюк, Т.Т., та інші
Опубліковано: (2018)

Исследование кристаллов Cu₂ZnSnTe₄ и гетеропереходов на их основе
за авторством: Ковалюк, Т.Т., та інші
Опубліковано: (2015)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Эффективные сцинтилляционные материалы на основе твердых растворов ZnS1–xTex и перспективы их применения
за авторством: Катрунов, К.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2014)

Использование керамики на основе твердых растворов (Ni, Co, Mn, Cu)₃O₄для толстопленочных терморезисторов
за авторством: Шпотюк, О.И., та інші
Опубліковано: (2002)

Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
за авторством: Попов, В.М., та інші
Опубліковано: (2009)

Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
за авторством: Наливайко, О.Ю., та інші
Опубліковано: (2009)

Электропроводность композита «полиэтилен - диоксид ванадия»
за авторством: Антонова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2013)

Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe₁₋x
за авторством: Трубаєва, О.Г., та інші
Опубліковано: (2018)

Влияние толщины и температуры пленок фталоцианина меди на их свойства
за авторством: Алиева, Х.С.
Опубліковано: (2012)

Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x
за авторством: Трубаева, O.Г., та інші
Опубліковано: (2018)

Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
за авторством: Смынтына, В.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
за авторством: Кулинич, О.А., та інші
Опубліковано: (2008)

Влияние обработки водородом монокристаллов теллурида кадмия на их спектры оптического пропускания
за авторством: Пигур, О.Н., та інші
Опубліковано: (2011)

Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si»
за авторством: Кулинич, О.А., та інші
Опубліковано: (2012)

Влияние электронного облучения на оптические свойства пленок нанокристаллического SiC на подложках из монокристалла Al₂O₃
за авторством: Семенов, A.В., та інші
Опубліковано: (2017)

Влияние пластической деформации на анизотропию электропроводности трансформаторной стали
за авторством: Усов, В.В.
Опубліковано: (2001)

Исследование влияни кислорода на скорость и анизотропию глубинного травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитним полем
за авторством: Гладковский, В.В., та інші
Опубліковано: (2017)

Влияние морфологии поверхности подложек ZnSe:Te на их оптические свойства
за авторством: Махний, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2015)

Свойства металлических контактов на пленках TiO₂, изготовленных методом реактивного магнетронного распыления
за авторством: Брус, В.В., та інші
Опубліковано: (2010)

Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
за авторством: Катеринчук, В.Н., та інші
Опубліковано: (2010)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2010)

Вплив температури на оптичні властивості тонких плівок Cu₂ZnSnSe₄
за авторством: Майструк, Е.В., та інші
Опубліковано: (2018)

Пассивация поверхности высокочистых гранулированных металлов: цинка, кадмия, свинца
за авторством: Пироженко, Л.А., та інші
Опубліковано: (2017)

Система паст "Аналог-4" расширяет возможности толстопленочной технологии
за авторством: Пучкова, Н.С., та інші
Опубліковано: (2000)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2014)

Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃
за авторством: Алиева, А.П., та інші
Опубліковано: (2012)