Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники
Предложена идея нетрадиционного усилителя тока на основе радиационно стойких полупроводников (ПП) группы A³₂B⁶₃. Кристаллическая решетка этих ПП содержит стехиометрические вакансии (пустые узлы), которые захватывают и электрически нейтрализуют вводимые примеси. Поэтому создать в таких ПП p—n-переход...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2001 |
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70883 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники / С.Л. Королюк, С.С. Королюк, И.М. Раренко, О.Л. Тарко, А.В. Галочкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 3-5. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70883 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Королюк, С.Л. Королюк, С.С. Раренко, И.М. Тарко, О.Л. Галочкин, А.В. 2014-11-15T18:40:55Z 2014-11-15T18:40:55Z 2001 Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники / С.Л. Королюк, С.С. Королюк, И.М. Раренко, О.Л. Тарко, А.В. Галочкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 3-5. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70883 621.315.592 Предложена идея нетрадиционного усилителя тока на основе радиационно стойких полупроводников (ПП) группы A³₂B⁶₃. Кристаллическая решетка этих ПП содержит стехиометрические вакансии (пустые узлы), которые захватывают и электрически нейтрализуют вводимые примеси. Поэтому создать в таких ПП p—n-переход и на его основе усилитель — невозможно. Идея авторов основана на том, что в собственном ПП, помещенном во внешнее электрическое поле, увеличивается количество электронно-дырочных пар вследствие понижения ионизационного потенциала атомов ПП (эффект Зенера). ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы для микроэлектроники Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники |
| spellingShingle |
Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники Королюк, С.Л. Королюк, С.С. Раренко, И.М. Тарко, О.Л. Галочкин, А.В. Материалы для микроэлектроники |
| title_short |
Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники |
| title_full |
Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники |
| title_fullStr |
Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники |
| title_full_unstemmed |
Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники |
| title_sort |
собственные полупроводники группы a³₂b⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники |
| author |
Королюк, С.Л. Королюк, С.С. Раренко, И.М. Тарко, О.Л. Галочкин, А.В. |
| author_facet |
Королюк, С.Л. Королюк, С.С. Раренко, И.М. Тарко, О.Л. Галочкин, А.В. |
| topic |
Материалы для микроэлектроники |
| topic_facet |
Материалы для микроэлектроники |
| publishDate |
2001 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| description |
Предложена идея нетрадиционного усилителя тока на основе радиационно стойких полупроводников (ПП) группы A³₂B⁶₃. Кристаллическая решетка этих ПП содержит стехиометрические вакансии (пустые узлы), которые захватывают и электрически нейтрализуют вводимые примеси. Поэтому создать в таких ПП p—n-переход и на его основе усилитель — невозможно. Идея авторов основана на том, что в собственном ПП, помещенном во внешнее электрическое поле, увеличивается количество электронно-дырочных пар вследствие понижения ионизационного потенциала атомов ПП (эффект Зенера).
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70883 |
| citation_txt |
Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники / С.Л. Королюк, С.С. Королюк, И.М. Раренко, О.Л. Тарко, А.В. Галочкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 3-5. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT korolûksl sobstvennyepoluprovodnikigruppya32b63kakperspektivnyematerialydlâradiacionnostoikoiélektroniki AT korolûkss sobstvennyepoluprovodnikigruppya32b63kakperspektivnyematerialydlâradiacionnostoikoiélektroniki AT rarenkoim sobstvennyepoluprovodnikigruppya32b63kakperspektivnyematerialydlâradiacionnostoikoiélektroniki AT tarkool sobstvennyepoluprovodnikigruppya32b63kakperspektivnyematerialydlâradiacionnostoikoiélektroniki AT galočkinav sobstvennyepoluprovodnikigruppya32b63kakperspektivnyematerialydlâradiacionnostoikoiélektroniki |
| first_indexed |
2025-12-07T20:19:42Z |
| last_indexed |
2025-12-07T20:19:42Z |
| _version_ |
1850882164451704832 |