Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники
Предложена идея нетрадиционного усилителя тока на основе радиационно стойких полупроводников (ПП) группы A³₂B⁶₃. Кристаллическая решетка этих ПП содержит стехиометрические вакансии (пустые узлы), которые захватывают и электрически нейтрализуют вводимые примеси. Поэтому создать в таких ПП p—n-переход...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2001 |
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70883 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники / С.Л. Королюк, С.С. Королюк, И.М. Раренко, О.Л. Тарко, А.В. Галочкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 3-5. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862741311040258048 |
|---|---|
| author | Королюк, С.Л. Королюк, С.С. Раренко, И.М. Тарко, О.Л. Галочкин, А.В. |
| author_facet | Королюк, С.Л. Королюк, С.С. Раренко, И.М. Тарко, О.Л. Галочкин, А.В. |
| citation_txt | Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники / С.Л. Королюк, С.С. Королюк, И.М. Раренко, О.Л. Тарко, А.В. Галочкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 3-5. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Предложена идея нетрадиционного усилителя тока на основе радиационно стойких полупроводников (ПП) группы A³₂B⁶₃. Кристаллическая решетка этих ПП содержит стехиометрические вакансии (пустые узлы), которые захватывают и электрически нейтрализуют вводимые примеси. Поэтому создать в таких ПП p—n-переход и на его основе усилитель — невозможно. Идея авторов основана на том, что в собственном ПП, помещенном во внешнее электрическое поле, увеличивается количество электронно-дырочных пар вследствие понижения ионизационного потенциала атомов ПП (эффект Зенера).
|
| first_indexed | 2025-12-07T20:19:42Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70883 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T20:19:42Z |
| publishDate | 2001 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Королюк, С.Л. Королюк, С.С. Раренко, И.М. Тарко, О.Л. Галочкин, А.В. 2014-11-15T18:40:55Z 2014-11-15T18:40:55Z 2001 Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники / С.Л. Королюк, С.С. Королюк, И.М. Раренко, О.Л. Тарко, А.В. Галочкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 3-5. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70883 621.315.592 Предложена идея нетрадиционного усилителя тока на основе радиационно стойких полупроводников (ПП) группы A³₂B⁶₃. Кристаллическая решетка этих ПП содержит стехиометрические вакансии (пустые узлы), которые захватывают и электрически нейтрализуют вводимые примеси. Поэтому создать в таких ПП p—n-переход и на его основе усилитель — невозможно. Идея авторов основана на том, что в собственном ПП, помещенном во внешнее электрическое поле, увеличивается количество электронно-дырочных пар вследствие понижения ионизационного потенциала атомов ПП (эффект Зенера). ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы для микроэлектроники Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники Article published earlier |
| spellingShingle | Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники Королюк, С.Л. Королюк, С.С. Раренко, И.М. Тарко, О.Л. Галочкин, А.В. Материалы для микроэлектроники |
| title | Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники |
| title_full | Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники |
| title_fullStr | Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники |
| title_full_unstemmed | Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники |
| title_short | Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники |
| title_sort | собственные полупроводники группы a³₂b⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники |
| topic | Материалы для микроэлектроники |
| topic_facet | Материалы для микроэлектроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70883 |
| work_keys_str_mv | AT korolûksl sobstvennyepoluprovodnikigruppya32b63kakperspektivnyematerialydlâradiacionnostoikoiélektroniki AT korolûkss sobstvennyepoluprovodnikigruppya32b63kakperspektivnyematerialydlâradiacionnostoikoiélektroniki AT rarenkoim sobstvennyepoluprovodnikigruppya32b63kakperspektivnyematerialydlâradiacionnostoikoiélektroniki AT tarkool sobstvennyepoluprovodnikigruppya32b63kakperspektivnyematerialydlâradiacionnostoikoiélektroniki AT galočkinav sobstvennyepoluprovodnikigruppya32b63kakperspektivnyematerialydlâradiacionnostoikoiélektroniki |