Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники
Предложена идея нетрадиционного усилителя тока на основе радиационно стойких полупроводников (ПП) группы A³₂B⁶₃. Кристаллическая решетка этих ПП содержит стехиометрические вакансии (пустые узлы), которые захватывают и электрически нейтрализуют вводимые примеси. Поэтому создать в таких ПП p—n-переход...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2001 |
| Hauptverfasser: | Королюк, С.Л., Королюк, С.С., Раренко, И.М., Тарко, О.Л., Галочкин, А.В. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70883 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники / С.Л. Королюк, С.С. Королюк, И.М. Раренко, О.Л. Тарко, А.В. Галочкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 3-5. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Магниторазведенные ферромагнитные полупроводники как материалы спиновой электроники
von: Лашкарев, Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Лашкарев, Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe"
von: Косяченко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Косяченко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Конструкционные материалы с покрытиями в узлах технологического оборудования
von: Дудник, С.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Дудник, С.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Группы, все собственные фактор-группы которых имеют черниковские классы сопряженных элементов
von: Курдаченко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Курдаченко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения
von: Абызов, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Абызов, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Токопроводящий клей на основе порошка меди
von: Каркина, Е.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Каркина, Е.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
von: Бончик, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Бончик, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия
von: Завадский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Завадский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Перспективные материалы для низкоомных толстопленочных резистивных элементов
von: Смирнов, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Смирнов, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Способы прогнозирования параметров стеклокерамики с межфазным слоем
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (2001)
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (2001)
Математическое моделирование деградации керамических терморезисторов с отрицательным ТКС
von: Балицкая, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Балицкая, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe
von: Завадский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Завадский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 3. Бимолекулярная кинетика затухания радиационных эффектов в ХСП
von: Вакив, Н.М.
Veröffentlicht: (2004)
von: Вакив, Н.М.
Veröffentlicht: (2004)
Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
von: Кондрик, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Кондрик, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
von: Марончук, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Марончук, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники
von: Ажажа, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Ажажа, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
von: Власенко, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Власенко, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Вакуумное напыление тонких пленок органических полупроводников и исследование их структуры
von: Орлов, В.Д., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Орлов, В.Д., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Ge
von: Олих, Я.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Олих, Я.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 4. Особенности экспоненциальной кинетики
von: Балицкая, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Балицкая, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Ультрадисперсные субфазы в молекулярной электронике
von: Ковальчук, В.В.
Veröffentlicht: (2002)
von: Ковальчук, В.В.
Veröffentlicht: (2002)
Сплавы на основе Zr—Nb – перспективные функциональные материалы
von: Кедровский, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Кедровский, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Перспективные материалы для низкоомных толстопленочных резистивных элементов
von: Smirnov, A. N., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Smirnov, A. N., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Оборудование для зондовой диагностики и контроля плазменных технологических процессов
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)
О разрешимых группах, все собственные фактор-группы которых имеют конечный ранг
von: Тушев, А.В.
Veröffentlicht: (1993)
von: Тушев, А.В.
Veröffentlicht: (1993)
Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Модернизация установки фотонного отжига полупроводниковых пластин “Оникс”
von: Савицкий, Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Савицкий, Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Новые перспективные поглощающие материалы для ядерных реакторов на тепловых нейтронах
von: Рисованый, В.Д., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Рисованый, В.Д., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Монокристаллические феррогранатовые пленки для микроволновой электроники
von: Ющук, С.И.
Veröffentlicht: (1998)
von: Ющук, С.И.
Veröffentlicht: (1998)
Перспективные материалы для гидридных суперконденсаторов на основе гидроксида никеля и восстановленного оксида графена
von: Баскаков, С.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Баскаков, С.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Камера тепла и холода для изделий фотоэлектронной техники
von: Дунаенко, А.Х., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Дунаенко, А.Х., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Ähnliche Einträge
-
Магниторазведенные ферромагнитные полупроводники как материалы спиновой электроники
von: Лашкарев, Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2007) -
Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe"
von: Косяченко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2002) -
Конструкционные материалы с покрытиями в узлах технологического оборудования
von: Дудник, С.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2001) -
Группы, все собственные фактор-группы которых имеют черниковские классы сопряженных элементов
von: Курдаченко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2000) -
Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения
von: Абызов, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2004)