Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика
Показана возможность использования в качестве подзатворного диэлектрика МДП-структур оксидов Er, Dy, La. Преимущества использования оксидов редкоземельных элементов в качестве подзатворного диэлектрика определяются большой величиной удельной емкости. Это дает возможность улучшить эксплуатационные ха...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2001 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70884 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика / Ш.Д. Курмашев, И.М. Викулин, С.В. Ленков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 6-8. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70884 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Курмашев, Ш.Д. Викулин, И.М. Ленков, С.В. 2014-11-15T18:42:46Z 2014-11-15T18:42:46Z 2001 Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика / Ш.Д. Курмашев, И.М. Викулин, С.В. Ленков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 6-8. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70884 621.314.26 Показана возможность использования в качестве подзатворного диэлектрика МДП-структур оксидов Er, Dy, La. Преимущества использования оксидов редкоземельных элементов в качестве подзатворного диэлектрика определяются большой величиной удельной емкости. Это дает возможность улучшить эксплуатационные характеристики систем отображения информации, МДП-транзисторов, расширить диапазон изменения емкости варикапов, а также создавать малогабаритные конденсаторы большой емкости. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы для микроэлектроники Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика |
| spellingShingle |
Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика Курмашев, Ш.Д. Викулин, И.М. Ленков, С.В. Материалы для микроэлектроники |
| title_short |
Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика |
| title_full |
Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика |
| title_fullStr |
Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика |
| title_full_unstemmed |
Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика |
| title_sort |
кремниевые мдп-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика |
| author |
Курмашев, Ш.Д. Викулин, И.М. Ленков, С.В. |
| author_facet |
Курмашев, Ш.Д. Викулин, И.М. Ленков, С.В. |
| topic |
Материалы для микроэлектроники |
| topic_facet |
Материалы для микроэлектроники |
| publishDate |
2001 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| description |
Показана возможность использования в качестве подзатворного диэлектрика МДП-структур оксидов Er, Dy, La. Преимущества использования оксидов редкоземельных элементов в качестве подзатворного диэлектрика определяются большой величиной удельной емкости. Это дает возможность улучшить эксплуатационные характеристики систем отображения информации, МДП-транзисторов, расширить диапазон изменения емкости варикапов, а также создавать малогабаритные конденсаторы большой емкости.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70884 |
| citation_txt |
Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика / Ш.Д. Курмашев, И.М. Викулин, С.В. Ленков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 6-8. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT kurmaševšd kremnievyemdpstrukturysoksidamiredkozemelʹnyhélementovvkačestvediélektrika AT vikulinim kremnievyemdpstrukturysoksidamiredkozemelʹnyhélementovvkačestvediélektrika AT lenkovsv kremnievyemdpstrukturysoksidamiredkozemelʹnyhélementovvkačestvediélektrika |
| first_indexed |
2025-12-07T18:02:14Z |
| last_indexed |
2025-12-07T18:02:14Z |
| _version_ |
1850873515143593984 |