Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика
Показана возможность использования в качестве подзатворного диэлектрика МДП-структур оксидов Er, Dy, La. Преимущества использования оксидов редкоземельных элементов в качестве подзатворного диэлектрика определяются большой величиной удельной емкости. Это дает возможность улучшить эксплуатационные ха...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2001 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70884 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика / Ш.Д. Курмашев, И.М. Викулин, С.В. Ленков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 6-8. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862716060627632128 |
|---|---|
| author | Курмашев, Ш.Д. Викулин, И.М. Ленков, С.В. |
| author_facet | Курмашев, Ш.Д. Викулин, И.М. Ленков, С.В. |
| citation_txt | Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика / Ш.Д. Курмашев, И.М. Викулин, С.В. Ленков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 6-8. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Показана возможность использования в качестве подзатворного диэлектрика МДП-структур оксидов Er, Dy, La. Преимущества использования оксидов редкоземельных элементов в качестве подзатворного диэлектрика определяются большой величиной удельной емкости. Это дает возможность улучшить эксплуатационные характеристики систем отображения информации, МДП-транзисторов, расширить диапазон изменения емкости варикапов, а также создавать малогабаритные конденсаторы большой емкости.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:02:14Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70884 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:02:14Z |
| publishDate | 2001 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Курмашев, Ш.Д. Викулин, И.М. Ленков, С.В. 2014-11-15T18:42:46Z 2014-11-15T18:42:46Z 2001 Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика / Ш.Д. Курмашев, И.М. Викулин, С.В. Ленков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 6-8. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70884 621.314.26 Показана возможность использования в качестве подзатворного диэлектрика МДП-структур оксидов Er, Dy, La. Преимущества использования оксидов редкоземельных элементов в качестве подзатворного диэлектрика определяются большой величиной удельной емкости. Это дает возможность улучшить эксплуатационные характеристики систем отображения информации, МДП-транзисторов, расширить диапазон изменения емкости варикапов, а также создавать малогабаритные конденсаторы большой емкости. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы для микроэлектроники Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика Article published earlier |
| spellingShingle | Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика Курмашев, Ш.Д. Викулин, И.М. Ленков, С.В. Материалы для микроэлектроники |
| title | Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика |
| title_full | Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика |
| title_fullStr | Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика |
| title_full_unstemmed | Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика |
| title_short | Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика |
| title_sort | кремниевые мдп-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика |
| topic | Материалы для микроэлектроники |
| topic_facet | Материалы для микроэлектроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70884 |
| work_keys_str_mv | AT kurmaševšd kremnievyemdpstrukturysoksidamiredkozemelʹnyhélementovvkačestvediélektrika AT vikulinim kremnievyemdpstrukturysoksidamiredkozemelʹnyhélementovvkačestvediélektrika AT lenkovsv kremnievyemdpstrukturysoksidamiredkozemelʹnyhélementovvkačestvediélektrika |