Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2001
• Автори: Курмашев, Ш.Д., Викулин, И.М., Ленков, С.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
• Теми: Материалы для микроэлектроники
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70884
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика / Ш.Д. Курмашев, И.М. Викулин, С.В. Ленков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 6-8. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Показана возможность использования в качестве подзатворного диэлектрика МДП-структур оксидов Er, Dy, La. Преимущества использования оксидов редкоземельных элементов в качестве подзатворного диэлектрика определяются большой величиной удельной емкости. Это дает возможность улучшить эксплуатационные ха...