Токопроводящий клей на основе порошка меди
Рассмотрена возможность замены в составах проводящих клеевых композиций порошков драгоценных металлов (серебро, золото) на порошок меди различных марок. Определено, что из серийно выпускаемых порошков меди приемлемым с точки зрения параметров токопроводящего клея является порошок меди марки ПМС-А, Г...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2001 |
| Main Authors: | Каркина, Е.А., Корецкий, В.Н., Ленков, С.В., Огарь, Д.К. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70886 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Токопроводящий клей на основе порошка меди / Е.А. Каркина, В.Н. Корецкий, С.В. Ленков, Д.К. Огарь // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 12-15. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика
by: Курмашев, Ш.Д., et al.
Published: (2001)
by: Курмашев, Ш.Д., et al.
Published: (2001)
Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
by: Мокрицкий, В.А., et al.
Published: (2003)
by: Мокрицкий, В.А., et al.
Published: (2003)
Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения
by: Мокрицкий, В.А., et al.
Published: (2001)
by: Мокрицкий, В.А., et al.
Published: (2001)
Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe
by: Завадский, В.А., et al.
Published: (2001)
by: Завадский, В.А., et al.
Published: (2001)
Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe"
by: Косяченко, Л.А., et al.
Published: (2002)
by: Косяченко, Л.А., et al.
Published: (2002)
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
by: Марончук, И.Е., et al.
Published: (2003)
by: Марончук, И.Е., et al.
Published: (2003)
Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2004)
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2004)
Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
by: Власенко, А.И., et al.
Published: (2004)
by: Власенко, А.И., et al.
Published: (2004)
Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения
by: Абызов, А.С., et al.
Published: (2004)
by: Абызов, А.С., et al.
Published: (2004)
Вакуумное напыление тонких пленок органических полупроводников и исследование их структуры
by: Орлов, В.Д., et al.
Published: (2001)
by: Орлов, В.Д., et al.
Published: (2001)
Способы прогнозирования параметров стеклокерамики с межфазным слоем
by: Дмитриев, М.В.
Published: (2001)
by: Дмитриев, М.В.
Published: (2001)
Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники
by: Ажажа, В.М., et al.
Published: (2002)
by: Ажажа, В.М., et al.
Published: (2002)
Математическое моделирование деградации керамических терморезисторов с отрицательным ТКС
by: Балицкая, В.А., et al.
Published: (2002)
by: Балицкая, В.А., et al.
Published: (2002)
Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
by: Бончик, А.Ю., et al.
Published: (2005)
by: Бончик, А.Ю., et al.
Published: (2005)
Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники
by: Ковтун, Г.П., et al.
Published: (2001)
by: Ковтун, Г.П., et al.
Published: (2001)
Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 3. Бимолекулярная кинетика затухания радиационных эффектов в ХСП
by: Вакив, Н.М.
Published: (2004)
by: Вакив, Н.М.
Published: (2004)
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
by: Ковтун, Г.П., et al.
Published: (2004)
by: Ковтун, Г.П., et al.
Published: (2004)
Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров
by: Дружинин, А.А., et al.
Published: (2003)
by: Дружинин, А.А., et al.
Published: (2003)
Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
by: Кондрик, А.И., et al.
Published: (2003)
by: Кондрик, А.И., et al.
Published: (2003)
Конструкционные материалы с покрытиями в узлах технологического оборудования
by: Дудник, С.Ф., et al.
Published: (2001)
by: Дудник, С.Ф., et al.
Published: (2001)
Диодные реакторные системы микротравления
by: Фареник, В.И.
Published: (2002)
by: Фареник, В.И.
Published: (2002)
Особенности автоматизации диодных реакторных систем микротравления
by: Будянский, А.М., et al.
Published: (2001)
by: Будянский, А.М., et al.
Published: (2001)
Измерительный комплекс для определения фотоэлектрических параметров приемников излучения
by: Ащеулов, А.А., et al.
Published: (2004)
by: Ащеулов, А.А., et al.
Published: (2004)
Камера тепла и холода для изделий фотоэлектронной техники
by: Дунаенко, А.Х., et al.
Published: (2003)
by: Дунаенко, А.Х., et al.
Published: (2003)
Модернизация установки фотонного отжига полупроводниковых пластин “Оникс”
by: Савицкий, Г.В., et al.
Published: (2002)
by: Савицкий, Г.В., et al.
Published: (2002)
Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра
by: Ковтун, Г.П., et al.
Published: (2001)
by: Ковтун, Г.П., et al.
Published: (2001)
Эффективность применения новых сварочных материалов при сварке и наплавке меди и ее сплавов (Обзор)
by: Илюшенко, В.М., et al.
Published: (2014)
by: Илюшенко, В.М., et al.
Published: (2014)
Наплавочные материалы на основе карбидов вольфрама
by: Жудра, А.П.
Published: (2014)
by: Жудра, А.П.
Published: (2014)
Композит алмаз-карбид вольфрама на основе алмазного порошка АСМ 1/0
by: Бочечка, А.А., et al.
Published: (2009)
by: Бочечка, А.А., et al.
Published: (2009)
Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs
by: Губа, С.К.
Published: (1998)
by: Губа, С.К.
Published: (1998)
Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия
by: Шутов, С.В.
Published: (1999)
by: Шутов, С.В.
Published: (1999)
Изучение влияния ультрадисперсного порошка природного алмаза на микроструктуру матрицы на основе оловянистой бронзы
by: Сафонова, М.Н., et al.
Published: (2016)
by: Сафонова, М.Н., et al.
Published: (2016)
Влияние концентрации компонентов и пор на диэлектрические потери в стеклокерамике
by: Дмитриев, М.В.
Published: (1998)
by: Дмитриев, М.В.
Published: (1998)
Влияние концентрации компонентов и пор на электросопротивление стеклокерамики
by: Дмитриев, М.В.
Published: (1998)
by: Дмитриев, М.В.
Published: (1998)
Анизотропия механических свойств дендритной структуры непрерывнолитой кислородосодержащей меди
by: Логинов, Ю.Н., et al.
Published: (2009)
by: Логинов, Ю.Н., et al.
Published: (2009)
Механизмы управляемого структурообразования поверхностей слоев Pd-Ag при облучении α-частицами
by: Костенко, С.П.
Published: (1998)
by: Костенко, С.П.
Published: (1998)
Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах
by: Гаркавенко, А.С.
Published: (2000)
by: Гаркавенко, А.С.
Published: (2000)
Деформационное поведение вакуумных конденсатов меди и никеля в наноструктурированном состоянии
by: Устинов, А.И., et al.
Published: (2016)
by: Устинов, А.И., et al.
Published: (2016)
Структура и свойства меди, легированной хромистым чугуном
by: Кириевский, Б.А., et al.
Published: (2016)
by: Кириевский, Б.А., et al.
Published: (2016)
Дисперсные и слоистые объемные нанокристаллические материалы на основе меди и молибдена. Структура, свойства, технология, применение. Сообщение 1. Структура и фазовый состав
by: Гречанюк, Н.И., et al.
Published: (2018)
by: Гречанюк, Н.И., et al.
Published: (2018)
Similar Items
-
Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика
by: Курмашев, Ш.Д., et al.
Published: (2001) -
Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
by: Мокрицкий, В.А., et al.
Published: (2003) -
Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения
by: Мокрицкий, В.А., et al.
Published: (2001) -
Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe
by: Завадский, В.А., et al.
Published: (2001) -
Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe"
by: Косяченко, Л.А., et al.
Published: (2002)