Buchumschlag

Токопроводящий клей на основе порошка меди

Рассмотрена возможность замены в составах проводящих клеевых композиций порошков драгоценных металлов (серебро, золото) на порошок меди различных марок. Определено, что из серийно выпускаемых порошков меди приемлемым с точки зрения параметров токопроводящего клея является порошок меди марки ПМС-А, Г...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2001
Hauptverfasser:	Каркина, Е.А., Корецкий, В.Н., Ленков, С.В., Огарь, Д.К.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
Schlagworte:	Материалы для микроэлектроники
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70886
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Токопроводящий клей на основе порошка меди / Е.А. Каркина, В.Н. Корецкий, С.В. Ленков, Д.К. Огарь // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 12-15. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия
von: Завадский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe
von: Завадский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe"
von: Косяченко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
von: Марончук, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
von: Власенко, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения
von: Абызов, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Ультрадисперсные субфазы в молекулярной электронике
von: Ковальчук, В.В.
Veröffentlicht: (2002)

Вакуумное напыление тонких пленок органических полупроводников и исследование их структуры
von: Орлов, В.Д., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Способы прогнозирования параметров стеклокерамики с межфазным слоем
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (2001)

Математическое моделирование деградации керамических терморезисторов с отрицательным ТКС
von: Балицкая, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники
von: Ажажа, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
von: Бончик, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники
von: Королюк, С.Л., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 4. Особенности экспоненциальной кинетики
von: Балицкая, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 3. Бимолекулярная кинетика затухания радиационных эффектов в ХСП
von: Вакив, Н.М.
Veröffentlicht: (2004)

Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
von: Кондрик, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Ge
von: Олих, Я.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Оборудование для зондовой диагностики и контроля плазменных технологических процессов
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Конструкционные материалы с покрытиями в узлах технологического оборудования
von: Дудник, С.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Диодные реакторные системы микротравления
von: Фареник, В.И.
Veröffentlicht: (2002)

Особенности автоматизации диодных реакторных систем микротравления
von: Будянский, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Камера тепла и холода для изделий фотоэлектронной техники
von: Дунаенко, А.Х., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Измерительный комплекс для определения фотоэлектрических параметров приемников излучения
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Модернизация установки фотонного отжига полупроводниковых пластин “Оникс”
von: Савицкий, Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Эффективность применения новых сварочных материалов при сварке и наплавке меди и ее сплавов (Обзор)
von: Илюшенко, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Наплавочные материалы на основе карбидов вольфрама
von: Жудра, А.П.
Veröffentlicht: (2014)

Композит алмаз-карбид вольфрама на основе алмазного порошка АСМ 1/0
von: Бочечка, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs
von: Губа, С.К.
Veröffentlicht: (1998)

Особенности технологии плавки, литья и прокатки сплава на основе меди с заданной удельной электропроводностью
von: Шумихин, В.С., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия
von: Шутов, С.В.
Veröffentlicht: (1999)