Способы прогнозирования параметров стеклокерамики с межфазным слоем
Показана пригодность двух независимых способов прогнозирования объемной доли межфазного слоя и диэлектрической проницаемости композиционной стеклокерамики и ее остаточного стекла при разном соотношении компонентов. Предложен экспериментально установленный степенной закон смешивания компонентов, аль...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2001 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70887 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Способы прогнозирования параметров стеклокерамики с межфазным слоем / М.В. Дмитриев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 16-19. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Влияние концентрации компонентов и пор на электросопротивление стеклокерамики
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1998)
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1998)
Математическое моделирование деградации керамических терморезисторов с отрицательным ТКС
за авторством: Балицкая, В.А., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Балицкая, В.А., та інші
Опубліковано: (2002)
Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2001)
Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)
Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники
за авторством: Ажажа, В.М., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Ажажа, В.М., та інші
Опубліковано: (2002)
Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 3. Бимолекулярная кинетика затухания радиационных эффектов в ХСП
за авторством: Вакив, Н.М.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Вакив, Н.М.
Опубліковано: (2004)
Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения
за авторством: Абызов, А.С., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Абызов, А.С., та інші
Опубліковано: (2004)
Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe"
за авторством: Косяченко, Л.А., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Косяченко, Л.А., та інші
Опубліковано: (2002)
Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe
за авторством: Завадский, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Завадский, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)
Вакуумное напыление тонких пленок органических полупроводников и исследование их структуры
за авторством: Орлов, В.Д., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Орлов, В.Д., та інші
Опубліковано: (2001)
Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2003)
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
за авторством: Марончук, И.Е., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Марончук, И.Е., та інші
Опубліковано: (2003)
Токопроводящий клей на основе порошка меди
за авторством: Каркина, Е.А., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Каркина, Е.А., та інші
Опубліковано: (2001)
Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2004)
Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
за авторством: Бончик, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Бончик, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2005)
Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2001)
Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
за авторством: Власенко, А.И., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Власенко, А.И., та інші
Опубліковано: (2004)
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2004)
Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2003)
Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
за авторством: Кондрик, А.И., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Кондрик, А.И., та інші
Опубліковано: (2003)
Оценка параметров компонентов моноармированой стеклокерамики со стеклокристаллической матрицей
за авторством: Дмитриев, М.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Дмитриев, М.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Измерительный комплекс для определения фотоэлектрических параметров приемников излучения
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2004)
Прогнозирование параметров стеклокерамики со стеклокристаллической матрицей для разных соотношений компонентов и режимов спекания
за авторством: Дмитриев, М.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Дмитриев, М.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Прогнозирование диэлектрических свойств некристаллизующейся моноармированной полиматричной стеклокерамики
за авторством: Дмитриев, М.В., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Дмитриев, М.В., та інші
Опубліковано: (2008)
Конструкционные материалы с покрытиями в узлах технологического оборудования
за авторством: Дудник, С.Ф., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Дудник, С.Ф., та інші
Опубліковано: (2001)
Особенности автоматизации диодных реакторных систем микротравления
за авторством: Будянский, А.М., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Будянский, А.М., та інші
Опубліковано: (2001)
Диодные реакторные системы микротравления
за авторством: Фареник, В.И.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Фареник, В.И.
Опубліковано: (2002)
Камера тепла и холода для изделий фотоэлектронной техники
за авторством: Дунаенко, А.Х., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Дунаенко, А.Х., та інші
Опубліковано: (2003)
Модернизация установки фотонного отжига полупроводниковых пластин “Оникс”
за авторством: Савицкий, Г.В., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Савицкий, Г.В., та інші
Опубліковано: (2002)
Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2001)
Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: диэлектрическая проницаемость
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1999)
Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: диэлектрические потери
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1999)
Влияние концентрации компонентов и пор на диэлектрические потери в стеклокерамике
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1998)
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1998)
Оценка параметров компонентов моноармированой стеклокерамики со стеклокристаллической матрицей
за авторством: Dmitriev, M. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Dmitriev, M. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Степенная связь параметров композиционного материала и его компонентов
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (2002)
Титаноалюминидные покрытия на стали 12Х18Н10Т с барьерным слоем нитрида титана
за авторством: Аршук, М.В., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Аршук, М.В., та інші
Опубліковано: (2011)
Имманентная реальность и способы работы с ней
за авторством: Голуб, Н.Н.
Опубліковано: (1998)
за авторством: Голуб, Н.Н.
Опубліковано: (1998)
Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах
за авторством: Гаркавенко, А.С.
Опубліковано: (2000)
за авторством: Гаркавенко, А.С.
Опубліковано: (2000)
Шлифовальные круги с функционально-ориентированным рабочим слоем из СТМ
за авторством: Шепелев, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Шепелев, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
Прогнозирование параметров стеклокерамики со стеклокристаллической матрицей для разных соотношений компонентов и режимов спекания
за авторством: Dmitriev, M. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Dmitriev, M. V., та інші
Опубліковано: (2009)