Buchumschlag

Способы прогнозирования параметров стеклокерамики с межфазным слоем

Показана пригодность двух независимых способов прогнозирования объемной доли межфазного слоя и диэлектрической проницаемости композиционной стеклокерамики и ее остаточного стекла при разном соотношении компонентов. Предложен экспериментально установленный степенной закон смешивания компонентов, аль...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2001
1. Verfasser:	Дмитриев, М.В.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
Schlagworte:	Материалы для микроэлектроники
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70887
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Способы прогнозирования параметров стеклокерамики с межфазным слоем / М.В. Дмитриев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 16-19. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Математическое моделирование деградации керамических терморезисторов с отрицательным ТКС
von: Балицкая, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Влияние концентрации компонентов и пор на электросопротивление стеклокерамики
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (1998)

Влияние режимов спекания на параметры стеклокерамики с кристаллизуемым стеклом
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (2000)

Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники
von: Ажажа, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 4. Особенности экспоненциальной кинетики
von: Балицкая, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 3. Бимолекулярная кинетика затухания радиационных эффектов в ХСП
von: Вакив, Н.М.
Veröffentlicht: (2004)

Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения
von: Абызов, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe"
von: Косяченко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники
von: Королюк, С.Л., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Ge
von: Олих, Я.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe
von: Завадский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Ультрадисперсные субфазы в молекулярной электронике
von: Ковальчук, В.В.
Veröffentlicht: (2002)

Вакуумное напыление тонких пленок органических полупроводников и исследование их структуры
von: Орлов, В.Д., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия
von: Завадский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
von: Марончук, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Токопроводящий клей на основе порошка меди
von: Каркина, Е.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
von: Бончик, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
von: Кондрик, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
von: Власенко, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Оценка параметров компонентов моноармированой стеклокерамики со стеклокристаллической матрицей
von: Дмитриев, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Измерительный комплекс для определения фотоэлектрических параметров приемников излучения
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Прогнозирование параметров стеклокерамики со стеклокристаллической матрицей для разных соотношений компонентов и режимов спекания
von: Дмитриев, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Влияние термозависимых превращений в стекле композиционной стеклокерамики на ее диэлектрическую проницаемость
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (2000)

Прогнозирование диэлектрических свойств некристаллизующейся моноармированной полиматричной стеклокерамики
von: Дмитриев, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Конструкционные материалы с покрытиями в узлах технологического оборудования
von: Дудник, С.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Зависимость диэлектрической проницаемости кристаллизующейся фазы стеклокерамики от времени спекания
von: Дмитриев, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Особенности автоматизации диодных реакторных систем микротравления
von: Будянский, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: электросопротивление
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (1998)

Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Диодные реакторные системы микротравления
von: Фареник, В.И.
Veröffentlicht: (2002)

Оборудование для зондовой диагностики и контроля плазменных технологических процессов
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Камера тепла и холода для изделий фотоэлектронной техники
von: Дунаенко, А.Х., et al.
Veröffentlicht: (2003)