Кондрат, А., Довгошей, Н., Поляк, Я., Сидор, Ю., & Повч, Р. (2001). Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами. Технология и конструирование в электронной аппаратуре.
Chicago Style (17th ed.) CitationКондрат, А.Б, Н.И Довгошей, Я.М Поляк, Ю.Й Сидор, and Р.М Повч. "Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами." Технология и конструирование в электронной аппаратуре 2001.
MLA (8th ed.) CitationКондрат, А.Б, et al. "Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами." Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001.
Warning: These citations may not always be 100% accurate.