Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2001
• Main Authors: Кондрат, А.Б., Довгошей, Н.И., Поляк, Я.М., Сидор, Ю.Й., Повч, Р.М.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
• Subjects: Функциональная микроэлектроника
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70888
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами / А.Б. Кондрат, Н.И. Довгошей, Я.М. Поляк, Ю.Й. Сидор, Р.М. Повч // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 20-24. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Разработаны новые гетероструктуры со стабильными во времени параметрами и характеристиками. Исследованы вольт-амперные характеристики Ge₃₃As₁₂Se₅₅—X—n-Si (X—промежуточный нанослой Sb, Bi, In и Pb) с контактами Al; p-Si, пленок Ge₃₃As₁₂Se₅₅ и гетеро­структур p-Si – Ge₃₃As₁₂Se₅₅ с блокирующими (In) и инжектирующими (Sb) контактами. ВАХ и ВФХ исследованы в области напряжений от 0,01 до 1,00 В. Показано существенное влияние нанесенных нанослоев на механизм переноса носителей заряда через исследуемую структуру.