Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами
Разработаны новые гетероструктуры со стабильными во времени параметрами и характеристиками. Исследованы вольт-амперные характеристики Ge₃₃As₁₂Se₅₅—X—n-Si (X—промежуточный нанослой Sb, Bi, In и Pb) с контактами Al; p-Si, пленок Ge₃₃As₁₂Se₅₅ и гетероструктур p-Si – Ge₃₃As₁₂Se₅₅ с блокирующими (In) и...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2001 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70888 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами / А.Б. Кондрат, Н.И. Довгошей, Я.М. Поляк, Ю.Й. Сидор, Р.М. Повч // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 20-24. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
за авторством: Кутний, В.Е., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Кутний, В.Е., та інші
Опубліковано: (2005)
Применение пленок широкозонного полупроводника ZnGa₂S₄ для просветления оптических элементов
за авторством: Попович, Н.И., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Попович, Н.И., та інші
Опубліковано: (2001)
Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2002)
Устройства на основе фотонных кристаллов
за авторством: Нелин, Е.А.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Нелин, Е.А.
Опубліковано: (2004)
Использование фотоприемных устройств в качестве контрольных для снижения погрешности измерений
за авторством: Ницович, Б.М., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ницович, Б.М., та інші
Опубліковано: (2004)
Особенности электрических характеристик n+–p-перехода на основе узкозонных полупроводников
за авторством: Косяченко, Л.А., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Косяченко, Л.А., та інші
Опубліковано: (2001)
Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов
за авторством: Власенко, А.И., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Власенко, А.И., та інші
Опубліковано: (2001)
Методы построения микроэлектронных радиоизмерительных преобразователей с частотным принципом работы
за авторством: Осадчук, В.С., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Осадчук, В.С., та інші
Опубліковано: (2004)
Координатно-чувствительный фотоэлектромагнитный детектор ИК-излучения на основе HgCdTe
за авторством: Боднарук, О.А., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Боднарук, О.А., та інші
Опубліковано: (2004)
Акустооптические модуляторы для систем спектрального анализа радиосигналов
за авторством: Брайко, Г.И., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Брайко, Г.И., та інші
Опубліковано: (2003)
Анизотропный термоэлектрический компаратор
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2002)
Двухспектральный фотоприемник
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2005)
Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников
за авторством: Болгов, С.С.
Опубліковано: (2001)
за авторством: Болгов, С.С.
Опубліковано: (2001)
Оптимизация геометрических характеристик p-n-структур для оптоэлектроники
за авторством: Викулин, И.М., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Викулин, И.М., та інші
Опубліковано: (2004)
Блок детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe для систем радиационного контроля
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2005)
Контурные тепловые трубы с алюминиевым испарителем для комбинированных систем охлаждения РЭА
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)
Методика определения динамического диапазона полупроводниковых фотоприемников
за авторством: Докторович, И.В., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Докторович, И.В., та інші
Опубліковано: (2002)
Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами
за авторством: Стороженко, И.П.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Стороженко, И.П.
Опубліковано: (2006)
I¹²⁷ NQR spectra of Pb₁₋ₓCdₓI₂ and (BiI₃)₍₁₋ₓ₎(PbI₂)ₓ of mixed layered semiconductors
за авторством: Vertegel, I.G., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Vertegel, I.G., та інші
Опубліковано: (2017)
Синтез и электрофизические свойства твердых растворов Sr₁₋xKxPbO₃₋yFy (0 ≤ x,y ≤ 0.20)
за авторством: Дрозд, В.О., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Дрозд, В.О., та інші
Опубліковано: (2005)
Polarization properties and a local structure of (GeSe₂)x(Sb2Se₃)₁-x glasses
за авторством: Malesh, V.I., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Malesh, V.I., та інші
Опубліковано: (2002)
Raman spectroscopy and X-ray diffraction studies of (GeS2)100-x(SbSI)x glasses and composites on their basis
за авторством: V. M. Rubish, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. M. Rubish, та інші
Опубліковано: (2014)
Инфракрасные отрезающие фильтры на основе монокристаллов CdSb, ZnSb для оптофотоэлектронных устройств
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2009)
Symmetry peculiarities of the intracrystalline fields layered semiconductor crystals (PbI₂)₍₁₋ₓ₎(BiI₃)ₓ
за авторством: Barabash, O.I., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Barabash, O.I., та інші
Опубліковано: (2012)
Влияние температуры окисления на электрофизические свойства в системе твердых растворов (1–x)BaTiO₃—x(K₀.₅Bi₀.₅)TiO₃
за авторством: Плутенко, Т.А., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Плутенко, Т.А., та інші
Опубліковано: (2013)
I127 NQR spectra of Pb1–xCdxI2 and (BiI3)(1–x)(PbI2)x of mixed layered semiconductors
за авторством: I. G. Vertegel, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: I. G. Vertegel, та інші
Опубліковано: (2017)
Акустооптические свойства стекол GexS100–x и акустооптический модулятор на их основе
за авторством: Блецкан, Д.И., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Блецкан, Д.И., та інші
Опубліковано: (2014)
Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg₁₋xMnxTe
за авторством: Несмелова, И.М., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Несмелова, И.М., та інші
Опубліковано: (2004)
Peculiarities of concentration dependences of thermal conductivity in (PbTe)1-x (Bi2Te3)x semiconductor solid solutions
за авторством: E. I. Rogacheva, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: E. I. Rogacheva, та інші
Опубліковано: (2014)
Влияние циклических деформаций на электрофизические характеристики поликристаллических пленок (Bi0,3Sb0,7)2Te3
за авторством: Султонов, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Султонов, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2009)
Магнитные свойства мультиферроиков Bi₁₋xCaxFe₁₋xMnxO₃ и Bi₁₋xCaxFe₁₋xTixO₃
за авторством: Троянчук, И.О., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Троянчук, И.О., та інші
Опубліковано: (2016)
Технология приготовления тонких плёнок TbSb₂ и электрофизические свойства
за авторством: Джабуа, З.У.
Опубліковано: (2016)
за авторством: Джабуа, З.У.
Опубліковано: (2016)
Структурно-фазовые и электрофизические характеристики Cr₁₋x-Alx-N- и Cr₁₋x-Vx-N-покрытий
за авторством: Гугля, А.Г.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Гугля, А.Г.
Опубліковано: (2008)
Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
за авторством: Сидор, О.Н., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Сидор, О.Н., та інші
Опубліковано: (2012)
Influence of Bi substitution on compounds properties Bi1. 8–xPb0. 2TlxSr2CaCu2Oy and Bi1. 8–xPb0. 2TlxSr2Ca2Cu3Oy
за авторством: I. O. Korbut, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: I. O. Korbut, та інші
Опубліковано: (2013)
Features of structural changes in mosaic Ge:Sb according to X-ray diffractometry and electron backscatter diffraction data
за авторством: M. D. Borcha, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: M. D. Borcha, та інші
Опубліковано: (2019)
Features of structural changes in mosaic Ge:Sb according to X-ray diffractometry and electron backscatter diffraction data
за авторством: Borcha, M.D., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Borcha, M.D., та інші
Опубліковано: (2019)
Investigations on temperature dependences of parameters of ¹²⁷I NQR spectrum of (BiI₃)(₁₋ₓ)(PbI₂)ₓ mixed layered semiconductor and alkaline halogens crystals
за авторством: Vertegel, I.G., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Vertegel, I.G., та інші
Опубліковано: (2017)
Crystallization study of (As₂S₃)₁₀₀-x(SbSI)x amorphous films by the optical method
за авторством: Rubish, V.M., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Rubish, V.M., та інші
Опубліковано: (2012)
The influence of lead melts and Pb-Bi eutecticson mechanical properties of 20X13 ferritic-martensitic steel
за авторством: O. I. Yaskiv, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: O. I. Yaskiv, та інші
Опубліковано: (2012)