Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2001
• Hauptverfasser: Власенко, А.И., Власенко, З.К., Гнатюк, В.А., Смирнов, А.Б., Курило, И.В., Рудый, И.А., Ижнин, И.И.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
• Schlagworte: Функциональная микроэлектроника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70889
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов / А.И. Власенко, З.К. Власенко, В.А. Гнатюк, А.Б. Смирнов, И.В. Курило, И.А. Рудый, И.И. Ижнин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 25-29. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Показана возможность создания двухполосного фоторезистора для ИК-областей спектра на основе варизонной эпитаксиальной структуры КРТ с расположенным в глубине пленки (параллельно освещаемой поверхности) рекомбинационно активным слоем металлургической границы. При этом спектральное положение полос фото­чувстви­тель­ности может технологически регулироваться составом и рекомби­национными параметрами диффузионного и нарощенного слоев.