Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов
Показана возможность создания двухполосного фоторезистора для ИК-областей спектра на основе варизонной эпитаксиальной структуры КРТ с расположенным в глубине пленки (параллельно освещаемой поверхности) рекомбинационно активным слоем металлургической границы. При этом спектральное положение полос фот...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2001 |
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70889 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов / А.И. Власенко, З.К. Власенко, В.А. Гнатюк, А.Б. Смирнов, И.В. Курило, И.А. Рудый, И.И. Ижнин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 25-29. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862597477650137088 |
|---|---|
| author | Власенко, А.И. Власенко, З.К. Гнатюк, В.А. Смирнов, А.Б. Курило, И.В. Рудый, И.А. Ижнин, И.И. |
| author_facet | Власенко, А.И. Власенко, З.К. Гнатюк, В.А. Смирнов, А.Б. Курило, И.В. Рудый, И.А. Ижнин, И.И. |
| citation_txt | Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов / А.И. Власенко, З.К. Власенко, В.А. Гнатюк, А.Б. Смирнов, И.В. Курило, И.А. Рудый, И.И. Ижнин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 25-29. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Показана возможность создания двухполосного фоторезистора для ИК-областей спектра на основе варизонной эпитаксиальной структуры КРТ с расположенным в глубине пленки (параллельно освещаемой поверхности) рекомбинационно активным слоем металлургической границы. При этом спектральное положение полос фоточувствительности может технологически регулироваться составом и рекомбинационными параметрами диффузионного и нарощенного слоев.
|
| first_indexed | 2025-11-27T18:10:24Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70889 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-27T18:10:24Z |
| publishDate | 2001 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Власенко, А.И. Власенко, З.К. Гнатюк, В.А. Смирнов, А.Б. Курило, И.В. Рудый, И.А. Ижнин, И.И. 2014-11-15T18:52:48Z 2014-11-15T18:52:48Z 2001 Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов / А.И. Власенко, З.К. Власенко, В.А. Гнатюк, А.Б. Смирнов, И.В. Курило, И.А. Рудый, И.И. Ижнин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 25-29. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70889 621.384.3 Показана возможность создания двухполосного фоторезистора для ИК-областей спектра на основе варизонной эпитаксиальной структуры КРТ с расположенным в глубине пленки (параллельно освещаемой поверхности) рекомбинационно активным слоем металлургической границы. При этом спектральное положение полос фоточувствительности может технологически регулироваться составом и рекомбинационными параметрами диффузионного и нарощенного слоев. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микроэлектроника Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов Article published earlier |
| spellingShingle | Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов Власенко, А.И. Власенко, З.К. Гнатюк, В.А. Смирнов, А.Б. Курило, И.В. Рудый, И.А. Ижнин, И.И. Функциональная микроэлектроника |
| title | Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов |
| title_full | Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов |
| title_fullStr | Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов |
| title_full_unstemmed | Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов |
| title_short | Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов |
| title_sort | варизонные слои на основе твердых растворов cdhgte для двухполосных ик-фоторезисторов |
| topic | Функциональная микроэлектроника |
| topic_facet | Функциональная микроэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70889 |
| work_keys_str_mv | AT vlasenkoai varizonnyesloinaosnovetverdyhrastvorovcdhgtedlâdvuhpolosnyhikfotorezistorov AT vlasenkozk varizonnyesloinaosnovetverdyhrastvorovcdhgtedlâdvuhpolosnyhikfotorezistorov AT gnatûkva varizonnyesloinaosnovetverdyhrastvorovcdhgtedlâdvuhpolosnyhikfotorezistorov AT smirnovab varizonnyesloinaosnovetverdyhrastvorovcdhgtedlâdvuhpolosnyhikfotorezistorov AT kuriloiv varizonnyesloinaosnovetverdyhrastvorovcdhgtedlâdvuhpolosnyhikfotorezistorov AT rudyiia varizonnyesloinaosnovetverdyhrastvorovcdhgtedlâdvuhpolosnyhikfotorezistorov AT ižninii varizonnyesloinaosnovetverdyhrastvorovcdhgtedlâdvuhpolosnyhikfotorezistorov |