Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов
Показана возможность создания двухполосного фоторезистора для ИК-областей спектра на основе варизонной эпитаксиальной структуры КРТ с расположенным в глубине пленки (параллельно освещаемой поверхности) рекомбинационно активным слоем металлургической границы. При этом спектральное положение полос фот...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2001 |
| Main Authors: | , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70889 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов / А.И. Власенко, З.К. Власенко, В.А. Гнатюк, А.Б. Смирнов, И.В. Курило, И.А. Рудый, И.И. Ижнин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 25-29. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70889 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Власенко, А.И. Власенко, З.К. Гнатюк, В.А. Смирнов, А.Б. Курило, И.В. Рудый, И.А. Ижнин, И.И. 2014-11-15T18:52:48Z 2014-11-15T18:52:48Z 2001 Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов / А.И. Власенко, З.К. Власенко, В.А. Гнатюк, А.Б. Смирнов, И.В. Курило, И.А. Рудый, И.И. Ижнин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 25-29. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70889 621.384.3 Показана возможность создания двухполосного фоторезистора для ИК-областей спектра на основе варизонной эпитаксиальной структуры КРТ с расположенным в глубине пленки (параллельно освещаемой поверхности) рекомбинационно активным слоем металлургической границы. При этом спектральное положение полос фоточувствительности может технологически регулироваться составом и рекомбинационными параметрами диффузионного и нарощенного слоев. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микроэлектроника Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов |
| spellingShingle |
Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов Власенко, А.И. Власенко, З.К. Гнатюк, В.А. Смирнов, А.Б. Курило, И.В. Рудый, И.А. Ижнин, И.И. Функциональная микроэлектроника |
| title_short |
Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов |
| title_full |
Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов |
| title_fullStr |
Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов |
| title_full_unstemmed |
Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов |
| title_sort |
варизонные слои на основе твердых растворов cdhgte для двухполосных ик-фоторезисторов |
| author |
Власенко, А.И. Власенко, З.К. Гнатюк, В.А. Смирнов, А.Б. Курило, И.В. Рудый, И.А. Ижнин, И.И. |
| author_facet |
Власенко, А.И. Власенко, З.К. Гнатюк, В.А. Смирнов, А.Б. Курило, И.В. Рудый, И.А. Ижнин, И.И. |
| topic |
Функциональная микроэлектроника |
| topic_facet |
Функциональная микроэлектроника |
| publishDate |
2001 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| description |
Показана возможность создания двухполосного фоторезистора для ИК-областей спектра на основе варизонной эпитаксиальной структуры КРТ с расположенным в глубине пленки (параллельно освещаемой поверхности) рекомбинационно активным слоем металлургической границы. При этом спектральное положение полос фоточувствительности может технологически регулироваться составом и рекомбинационными параметрами диффузионного и нарощенного слоев.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70889 |
| citation_txt |
Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов / А.И. Власенко, З.К. Власенко, В.А. Гнатюк, А.Б. Смирнов, И.В. Курило, И.А. Рудый, И.И. Ижнин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 25-29. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT vlasenkoai varizonnyesloinaosnovetverdyhrastvorovcdhgtedlâdvuhpolosnyhikfotorezistorov AT vlasenkozk varizonnyesloinaosnovetverdyhrastvorovcdhgtedlâdvuhpolosnyhikfotorezistorov AT gnatûkva varizonnyesloinaosnovetverdyhrastvorovcdhgtedlâdvuhpolosnyhikfotorezistorov AT smirnovab varizonnyesloinaosnovetverdyhrastvorovcdhgtedlâdvuhpolosnyhikfotorezistorov AT kuriloiv varizonnyesloinaosnovetverdyhrastvorovcdhgtedlâdvuhpolosnyhikfotorezistorov AT rudyiia varizonnyesloinaosnovetverdyhrastvorovcdhgtedlâdvuhpolosnyhikfotorezistorov AT ižninii varizonnyesloinaosnovetverdyhrastvorovcdhgtedlâdvuhpolosnyhikfotorezistorov |
| first_indexed |
2025-11-27T18:10:24Z |
| last_indexed |
2025-11-27T18:10:24Z |
| _version_ |
1850852630181445632 |