Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра
Изложены особенности разработанной установки для выращивания монокристаллов GaAs диаметром 80—100 мм под слоем флюса в условиях низкого температурного градиента. Монокристаллы GaAs характеризуются низкой плотностью дислокаций (5·10⁴ см⁻²) и равномерностью ее распределения по сечению. Отмечается нест...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2001 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70897 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 52-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862541552105029632 |
|---|---|
| author | Ковтун, Г.П. Кравченко, А.И. Щербань, А.П. |
| author_facet | Ковтун, Г.П. Кравченко, А.И. Щербань, А.П. |
| citation_txt | Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 52-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Изложены особенности разработанной установки для выращивания монокристаллов GaAs диаметром 80—100 мм под слоем флюса в условиях низкого температурного градиента. Монокристаллы GaAs характеризуются низкой плотностью дислокаций (5·10⁴ см⁻²) и равномерностью ее распределения по сечению. Отмечается нестабильность диаметра и появление двойникования у выращиваемых монокристаллов при значительном снижении температурного градиента.
|
| first_indexed | 2025-11-24T18:04:23Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70897 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-24T18:04:23Z |
| publishDate | 2001 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ковтун, Г.П. Кравченко, А.И. Щербань, А.П. 2014-11-15T19:06:46Z 2014-11-15T19:06:46Z 2001 Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 52-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70897 621.315.592:658.511.5 Изложены особенности разработанной установки для выращивания монокристаллов GaAs диаметром 80—100 мм под слоем флюса в условиях низкого температурного градиента. Монокристаллы GaAs характеризуются низкой плотностью дислокаций (5·10⁴ см⁻²) и равномерностью ее распределения по сечению. Отмечается нестабильность диаметра и появление двойникования у выращиваемых монокристаллов при значительном снижении температурного градиента. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Новое технологическое оборудование для микроэлектроники Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра Article published earlier |
| spellingShingle | Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра Ковтун, Г.П. Кравченко, А.И. Щербань, А.П. Новое технологическое оборудование для микроэлектроники |
| title | Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра |
| title_full | Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра |
| title_fullStr | Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра |
| title_full_unstemmed | Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра |
| title_short | Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра |
| title_sort | установка для выращивания малодислокационных монокристаллов gaas большого диаметра |
| topic | Новое технологическое оборудование для микроэлектроники |
| topic_facet | Новое технологическое оборудование для микроэлектроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70897 |
| work_keys_str_mv | AT kovtungp ustanovkadlâvyraŝivaniâmalodislokacionnyhmonokristallovgaasbolʹšogodiametra AT kravčenkoai ustanovkadlâvyraŝivaniâmalodislokacionnyhmonokristallovgaasbolʹšogodiametra AT ŝerbanʹap ustanovkadlâvyraŝivaniâmalodislokacionnyhmonokristallovgaasbolʹšogodiametra |