Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра
Изложены особенности разработанной установки для выращивания монокристаллов GaAs диаметром 80—100 мм под слоем флюса в условиях низкого температурного градиента. Монокристаллы GaAs характеризуются низкой плотностью дислокаций (5·10⁴ см⁻²) и равномерностью ее распределения по сечению. Отмечается нест...
Gespeichert in:
| Datum: | 2001 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Schriftenreihe: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70897 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 52-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70897 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| fulltext |
|
| spelling |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-708972025-02-23T19:41:46Z Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра Ковтун, Г.П. Кравченко, А.И. Щербань, А.П. Новое технологическое оборудование для микроэлектроники Изложены особенности разработанной установки для выращивания монокристаллов GaAs диаметром 80—100 мм под слоем флюса в условиях низкого температурного градиента. Монокристаллы GaAs характеризуются низкой плотностью дислокаций (5·10⁴ см⁻²) и равномерностью ее распределения по сечению. Отмечается нестабильность диаметра и появление двойникования у выращиваемых монокристаллов при значительном снижении температурного градиента. 2001 Article Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 52-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70897 621.315.592:658.511.5 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре application/pdf Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Новое технологическое оборудование для микроэлектроники Новое технологическое оборудование для микроэлектроники |
| spellingShingle |
Новое технологическое оборудование для микроэлектроники Новое технологическое оборудование для микроэлектроники Ковтун, Г.П. Кравченко, А.И. Щербань, А.П. Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Изложены особенности разработанной установки для выращивания монокристаллов GaAs диаметром 80—100 мм под слоем флюса в условиях низкого температурного градиента. Монокристаллы GaAs характеризуются низкой плотностью дислокаций (5·10⁴ см⁻²) и равномерностью ее распределения по сечению. Отмечается нестабильность диаметра и появление двойникования у выращиваемых монокристаллов при значительном снижении температурного градиента. |
| format |
Article |
| author |
Ковтун, Г.П. Кравченко, А.И. Щербань, А.П. |
| author_facet |
Ковтун, Г.П. Кравченко, А.И. Щербань, А.П. |
| author_sort |
Ковтун, Г.П. |
| title |
Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра |
| title_short |
Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра |
| title_full |
Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра |
| title_fullStr |
Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра |
| title_full_unstemmed |
Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра |
| title_sort |
установка для выращивания малодислокационных монокристаллов gaas большого диаметра |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2001 |
| topic_facet |
Новое технологическое оборудование для микроэлектроники |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70897 |
| citation_txt |
Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 52-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT kovtungp ustanovkadlâvyraŝivaniâmalodislokacionnyhmonokristallovgaasbolʹšogodiametra AT kravčenkoai ustanovkadlâvyraŝivaniâmalodislokacionnyhmonokristallovgaasbolʹšogodiametra AT ŝerbanʹap ustanovkadlâvyraŝivaniâmalodislokacionnyhmonokristallovgaasbolʹšogodiametra |
| first_indexed |
2025-11-24T18:04:23Z |
| last_indexed |
2025-11-24T18:04:23Z |
| _version_ |
1849695890384617472 |