Зображення обкладинки

Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра

Изложены особенности разработанной установки для выращивания монокристаллов GaAs диаметром 80—100 мм под слоем флюса в условиях низкого температурного градиента. Монокристаллы GaAs характеризуются низкой плотностью дислокаций (5·10⁴ см⁻²) и равномерностью ее распределения по сечению. Отмечается нест...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:	2001
Автори:	Ковтун, Г.П., Кравченко, А.И., Щербань, А.П.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
Теми:	Новое технологическое оборудование для микроэлектроники
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70897
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 52-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2005)

Особенности автоматизации диодных реакторных систем микротравления
за авторством: Будянский, А.М., та інші
Опубліковано: (2001)

Оборудование для зондовой диагностики и контроля плазменных технологических процессов
за авторством: Дудин, С.В., та інші
Опубліковано: (2002)

Модернизация установки фотонного отжига полупроводниковых пластин “Оникс”
за авторством: Савицкий, Г.В., та інші
Опубліковано: (2002)

Камера тепла и холода для изделий фотоэлектронной техники
за авторством: Дунаенко, А.Х., та інші
Опубліковано: (2003)

Конструкционные материалы с покрытиями в узлах технологического оборудования
за авторством: Дудник, С.Ф., та інші
Опубліковано: (2001)

Диодные реакторные системы микротравления
за авторством: Фареник, В.И.
Опубліковано: (2002)

Измерительный комплекс для определения фотоэлектрических параметров приемников излучения
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2004)

Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2004)

Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2001)

Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
за авторством: Бончик, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2005)

Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2005)

Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
за авторством: Кондрик, А.И., та інші
Опубліковано: (2003)

Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2006)

Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники
за авторством: Ажажа, В.М., та інші
Опубліковано: (2002)

Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
за авторством: Марончук, И.Е., та інші
Опубліковано: (2003)

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2004)

Проблемы выращивания монокристаллов алмаза на затравках с использованием шестипуансонных аппаратов высокого давления большого объема
за авторством: Лысаковский, В.В.
Опубліковано: (2014)

Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
за авторством: Венгер, Е.Ф., та інші
Опубліковано: (2014)

ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ В ВЫХОДНЫХ ЦЕПЯХ ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ, РАБОТАЮЩЕГО НА НЕСТАЦИОНАРНУЮ ТЕХНОЛОГИЧЕСКУЮ НАГРУЗКУ
за авторством: Руденко, Ю.В.
Опубліковано: (2013)

Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2005)

Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения
за авторством: Абызов, А.С., та інші
Опубліковано: (2004)

Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
за авторством: Kovtun, G. P., та інші
Опубліковано: (2004)

Конкуренция и интеграция на рынке труб большого диаметра
за авторством: Амоша, А.И., та інші
Опубліковано: (2007)

СПЕЦИАЛИЗИРОВАННЫЕ СИСТЕМЫ ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ ДЛЯ ЭЛЕКТРОТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ОБОРУДОВАНИЯ
за авторством: Мартынов , В.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2007)

Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом
за авторством: Москаль, Д.С., та інші
Опубліковано: (2008)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Микрокомпьютерный пульт оператора-технолога АСУ ТП выращивания монокристаллов
за авторством: Кисилевский, Ф.Н., та інші
Опубліковано: (2003)

Установка для регенерации сорбентов в электромагнитном поле
за авторством: Головко, М.И., та інші
Опубліковано: (2005)

Улучшение структуры и свойств сварных соединений нефте-, газопроводных труб большого диаметра
за авторством: Сараев, Ю.Н., та інші
Опубліковано: (2004)

Особенности процесса орбитальной лазерно-дуговой сварки толстостенных труб большого диаметра
за авторством: Гоок, С., та інші
Опубліковано: (2010)

Антидемпинговые расследования против Украины на рынке труб большого диаметра СНГ
за авторством: Амоша, А.И., та інші
Опубліковано: (2007)

Сетевая система контроля технологического процесса выращивания полупроводниковых кристаллов и тонких пленок
за авторством: Рогов, Р.В., та інші
Опубліковано: (2005)

Технологические особенности плазменно-индукционного выращивания крупных монокристаллов вольфрама
за авторством: Шаповалов, В.А., та інші
Опубліковано: (2012)

Экспериментальная установка для исследования процессов очистки газовых потоков от жидких высокодисперсных частиц
за авторством: Рыжков, С.С., та інші
Опубліковано: (2010)

Высокочувствительная установка для оценки изменения показателя преломления водных растворов
за авторством: Подкамень, Л.И., та інші
Опубліковано: (2011)

Установка для экспресс-контроля глубины охлаждения термоэлектрических микромодулей Пельтье
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)