Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра

• Datum: 2001
• Hauptverfasser: Ковтун, Г.П., Кравченко, А.И., Щербань, А.П.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
• Schriftenreihe: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Schlagworte: Новое технологическое оборудование для микроэлектроники
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70897
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 52-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Изложены особенности разработанной установки для выращивания монокристаллов GaAs диаметром 80—100 мм под слоем флюса в условиях низкого температурного градиента. Монокристаллы GaAs характеризуются низкой плотностью дислокаций (5·10⁴ см⁻²) и равномерностью ее распределения по сечению. Отмечается нест...