Резистивные элементы, полученные на анодном оксиде алюминия имплантацией ионов Ti и Мо

Резистивные элементы, полученные на анодном оксиде алюминия имплантацией ионов Ti и Мо

Рассмотрены вопросы формирования и свойства резистивных элементов, полученных имплантацией пленок пористого анодного оксида алюминия аморфной и кристаллической γ-Al₂O₃ модификации ионами титана и молибдена. Оказалось, что на поверхности таких пленок могут быть сформированы резистивные слои, сопротив...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:2000
Main Authors: Литвинович, Г.В., Сокол, В.А., Углов, В.В., Занг, И.З., Абрамов, И.И., Данилюк, А.Л.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2000
Subjects:
Технология производства
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70909
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Резистивные элементы, полученные на анодном оксиде алюминия имплантацией ионов Ti и Мо / Г.В. Литвинович, В.А. Сокол, В.В. Углов, И.З. Занг, И.И. Абрамов, А.Л. Данилюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 1. — С. 15-18. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70909
record_format dspace
spelling Литвинович, Г.В.
Сокол, В.А.
Углов, В.В.
Занг, И.З.
Абрамов, И.И.
Данилюк, А.Л.
2014-11-16T14:34:34Z
2014-11-16T14:34:34Z
2000
Резистивные элементы, полученные на анодном оксиде алюминия имплантацией ионов Ti и Мо / Г.В. Литвинович, В.А. Сокол, В.В. Углов, И.З. Занг, И.И. Абрамов, А.Л. Данилюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 1. — С. 15-18. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70909
621.382:621.315.5/61
Рассмотрены вопросы формирования и свойства резистивных элементов, полученных имплантацией пленок пористого анодного оксида алюминия аморфной и кристаллической γ-Al₂O₃ модификации ионами титана и молибдена. Оказалось, что на поверхности таких пленок могут быть сформированы резистивные слои, сопротивление которых изменяется в широких пределах — от десятков ом до десятков мегаом. Полученные результаты могут найти широкое применение на практике, например, при построении различных радиоэлектронных устройств на пленках анодного оксида алюминия.
Formation questions and properties of resistive elements produced by films implantation of pore anode alumina of amorphous and crystal modification γ-Al₂O₃ by ions of titanium and molybdenum have been considered. It turned out that on surface of such films can be formed resistive layers, the resistance of which is changed in wide ranges - from ten Ohms to tens MegaOhms. The obtained results can find wide application on practice, for example, at constructing of different radioelectronic devices on films of anode alumina.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Технология производства
Резистивные элементы, полученные на анодном оксиде алюминия имплантацией ионов Ti и Мо
Резистивні елементи, які одержані на анодному оксиді алюмінія шляхом імплантації іонів Ті й Мо
Resistive elements obtained on alumina by Ti and Mo implantation
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Резистивные элементы, полученные на анодном оксиде алюминия имплантацией ионов Ti и Мо
spellingShingle Резистивные элементы, полученные на анодном оксиде алюминия имплантацией ионов Ti и Мо
Литвинович, Г.В.
Сокол, В.А.
Углов, В.В.
Занг, И.З.
Абрамов, И.И.
Данилюк, А.Л.
Технология производства
title_short Резистивные элементы, полученные на анодном оксиде алюминия имплантацией ионов Ti и Мо
title_full Резистивные элементы, полученные на анодном оксиде алюминия имплантацией ионов Ti и Мо
title_fullStr Резистивные элементы, полученные на анодном оксиде алюминия имплантацией ионов Ti и Мо
title_full_unstemmed Резистивные элементы, полученные на анодном оксиде алюминия имплантацией ионов Ti и Мо
title_sort резистивные элементы, полученные на анодном оксиде алюминия имплантацией ионов ti и мо
author Литвинович, Г.В.
Сокол, В.А.
Углов, В.В.
Занг, И.З.
Абрамов, И.И.
Данилюк, А.Л.
author_facet Литвинович, Г.В.
Сокол, В.А.
Углов, В.В.
Занг, И.З.
Абрамов, И.И.
Данилюк, А.Л.
topic Технология производства
topic_facet Технология производства
publishDate 2000
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Резистивні елементи, які одержані на анодному оксиді алюмінія шляхом імплантації іонів Ті й Мо
Resistive elements obtained on alumina by Ti and Mo implantation
description Рассмотрены вопросы формирования и свойства резистивных элементов, полученных имплантацией пленок пористого анодного оксида алюминия аморфной и кристаллической γ-Al₂O₃ модификации ионами титана и молибдена. Оказалось, что на поверхности таких пленок могут быть сформированы резистивные слои, сопротивление которых изменяется в широких пределах — от десятков ом до десятков мегаом. Полученные результаты могут найти широкое применение на практике, например, при построении различных радиоэлектронных устройств на пленках анодного оксида алюминия. Formation questions and properties of resistive elements produced by films implantation of pore anode alumina of amorphous and crystal modification γ-Al₂O₃ by ions of titanium and molybdenum have been considered. It turned out that on surface of such films can be formed resistive layers, the resistance of which is changed in wide ranges - from ten Ohms to tens MegaOhms. The obtained results can find wide application on practice, for example, at constructing of different radioelectronic devices on films of anode alumina.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70909
citation_txt Резистивные элементы, полученные на анодном оксиде алюминия имплантацией ионов Ti и Мо / Г.В. Литвинович, В.А. Сокол, В.В. Углов, И.З. Занг, И.И. Абрамов, А.Л. Данилюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 1. — С. 15-18. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT litvinovičgv rezistivnyeélementypolučennyenaanodnomoksidealûminiâimplantacieiionovtiimo
AT sokolva rezistivnyeélementypolučennyenaanodnomoksidealûminiâimplantacieiionovtiimo
AT uglovvv rezistivnyeélementypolučennyenaanodnomoksidealûminiâimplantacieiionovtiimo
AT zangiz rezistivnyeélementypolučennyenaanodnomoksidealûminiâimplantacieiionovtiimo
AT abramovii rezistivnyeélementypolučennyenaanodnomoksidealûminiâimplantacieiionovtiimo
AT danilûkal rezistivnyeélementypolučennyenaanodnomoksidealûminiâimplantacieiionovtiimo
AT litvinovičgv rezistivníelementiâkíoderžanínaanodnomuoksidíalûmíníâšlâhomímplantacíííonívtíimo
AT sokolva rezistivníelementiâkíoderžanínaanodnomuoksidíalûmíníâšlâhomímplantacíííonívtíimo
AT uglovvv rezistivníelementiâkíoderžanínaanodnomuoksidíalûmíníâšlâhomímplantacíííonívtíimo
AT zangiz rezistivníelementiâkíoderžanínaanodnomuoksidíalûmíníâšlâhomímplantacíííonívtíimo
AT abramovii rezistivníelementiâkíoderžanínaanodnomuoksidíalûmíníâšlâhomímplantacíííonívtíimo
AT danilûkal rezistivníelementiâkíoderžanínaanodnomuoksidíalûmíníâšlâhomímplantacíííonívtíimo
AT litvinovičgv resistiveelementsobtainedonaluminabytiandmoimplantation
AT sokolva resistiveelementsobtainedonaluminabytiandmoimplantation
AT uglovvv resistiveelementsobtainedonaluminabytiandmoimplantation
AT zangiz resistiveelementsobtainedonaluminabytiandmoimplantation
AT abramovii resistiveelementsobtainedonaluminabytiandmoimplantation
AT danilûkal resistiveelementsobtainedonaluminabytiandmoimplantation
first_indexed 2025-11-29T11:37:57Z
last_indexed 2025-11-29T11:37:57Z
_version_ 1850854856386936832

Similar Items