Резистивные элементы, полученные на анодном оксиде алюминия имплантацией ионов Ti и Мо

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2000
• ISSN: 2225-5818
• Hauptverfasser: Литвинович, Г.В., Сокол, В.А., Углов, В.В., Занг, И.З., Абрамов, И.И., Данилюк, А.Л.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2000
• Schlagworte: Технология производства
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70909
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Резистивные элементы, полученные на анодном оксиде алюминия имплантацией ионов Ti и Мо / Г.В. Литвинович, В.А. Сокол, В.В. Углов, И.З. Занг, И.И. Абрамов, А.Л. Данилюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 1. — С. 15-18. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Рассмотрены вопросы формирования и свойства резистивных элементов, полученных имплантацией пленок пористого анодного оксида алюминия аморфной и кристаллической γ-Al₂O₃ модификации ионами титана и молибдена. Оказалось, что на поверхности таких пленок могут быть сформированы резистивные слои, сопротив...