Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2000
• Автори: Ащеулов, А.А., Добровольский, Ю.Г., Безулик, В.А.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2000
• Теми: Компоненты для электронной аппаратуры
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70913
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов / А.А. Ащеулов, Ю.Г. Добровольский, В.А. Безулик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 1. — С. 33-35. — Бібліогр.: 24 назв. — рос.

Представлены результаты воздействия на кристаллические структуры некоторых полупроводниковых приборов электрического и магнитного полей соответствующей геометрии с целью коррекции параметров приборов на различных технологических этапах. Установлено, что изменения параметров наблюдаются у кристаллических структур, характеризующихся нестабильностью энергетического состояния. The action results on crystal structures of some appropriate geometry semiconductor devices of electric and magnetic fields for the purpose of correction of devices parameters on different process stages have been represented. It has been found that parameters change is exhibited in crystal structures characterized by runaway of energy state.