Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов
Представлены результаты воздействия на кристаллические структуры некоторых полупроводниковых приборов электрического и магнитного полей соответствующей геометрии с целью коррекции параметров приборов на различных технологических этапах. Установлено, что изменения параметров наблюдаются у кристалличе...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2000 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70913 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов / А.А. Ащеулов, Ю.Г. Добровольский, В.А. Безулик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 1. — С. 33-35. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859866820718100480 |
|---|---|
| author | Ащеулов, А.А. Добровольский, Ю.Г. Безулик, В.А. |
| author_facet | Ащеулов, А.А. Добровольский, Ю.Г. Безулик, В.А. |
| citation_txt | Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов / А.А. Ащеулов, Ю.Г. Добровольский, В.А. Безулик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 1. — С. 33-35. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Представлены результаты воздействия на кристаллические структуры некоторых полупроводниковых приборов электрического и магнитного полей соответствующей геометрии с целью коррекции параметров приборов на различных технологических этапах. Установлено, что изменения параметров наблюдаются у кристаллических структур, характеризующихся нестабильностью энергетического состояния.
The action results on crystal structures of some appropriate geometry semiconductor devices of electric and magnetic fields for the purpose of correction of devices parameters on different process stages have been represented. It has been found that parameters change is exhibited in crystal structures characterized by runaway of energy state.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:48:47Z |
| format | Article |
| fulltext |
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2000, ¹ 1
33
ÊÎÌÏÎÍÅÍÒÛ ÄËß ÝËÅÊÒÐÎÍÍÎÉ ÀÏÏÀÐÀÒÓÐÛ
Äàòà ïîñòóïëåíèÿ â ðåäàêöèþ
20.09 1999 ã.
Îïïîíåíò ä. ò. í. À. À. ÄÐÓÆÈÍÈÍ
Ä. ò. í. À. À. ÀÙÅÓËÎÂ, Þ. Ã. ÄÎÁÐÎÂÎËÜÑÊÈÉ,
ê. ò. í. Â. À. ÁÅÇÓËÈÊ
Óêðàèíà, ã. ×åðíîâöû, Ãîñ. óí-ò èì. Þ. Ôåäüêîâè÷à, ÖÊÁ «Ðèòì»
ÂÎÇÄÅÉÑÒÂÈÅ ÝËÅÊÒÐÈ×ÅÑÊÎÃÎ
È ÌÀÃÍÈÒÍÎÃÎ ÏÎËÅÉ
ÍÀ ÏÀÐÀÌÅÒÐÛ ÏÎËÓÏÐÎÂÎÄÍÈÊÎÂÛÕ ÏÐÈÁÎÐÎÂ
Âîçäåéñòâèå ýëåêòðè÷åñêîãî è ìàãíèò-
íîãî ïîëåé ñîîòâåòñòâóþùåé ãåîìåò-
ðèè ìîæåò ñòàòü îñíîâîé êîððåêöèè
ïàðàìåòðîâ îòáðàêîâàííûõ ïîëóïðî-
âîäíèêîâûõ ïðèáîðîâ.
Âîïðîñû íàäåæíîñòè ïîëóïðîâîäíèêîâûõ ïðè-
áîðîâ, ïîâûøåíèÿ ïðîöåíòà âûõîäà ãîäíûõ èçäå-
ëèé, ñòàáèëüíîñòè ïàðàìåòðîâ îñòàþòñÿ âåñüìà àêòó-
àëüíûìè. Îáû÷íî îíè ðåøàþòñÿ íà ýòàïàõ èçãîòîâ-
ëåíèÿ � óñîâåðøåíñòâîâàíèåì òåõíîëîãè÷åñêèõ
ïðîöåññîâ, êîíñòðóêöèè è � â èòîãå � îòáðàêîâ-
êîé íåíàäåæíûõ èçäåëèé.
Íàñòîÿùàÿ ðàáîòà ïîñâÿùåíà èññëåäîâàíèþ âîç-
ìîæíîñòè êîððåêöèè ïàðàìåòðîâ îòáðàêîâàííûõ ïî-
ëóïðîâîäíèêîâûõ ïðèáîðîâ íà îñíîâå èñïîëüçîâà-
íèÿ ïîêàçàííûõ íèæå âîçäåéñòâèé.
 ïîñëåäíåå âðåìÿ ïîëó÷åíû ðåçóëüòàòû, êî-
òîðûå ãîâîðÿò î òîì, ÷òî ñâîéñòâà íåêîòî-
ðûõ ïîëóïðîâîäíèêîâûõ ìàòåðèàëîâ è ïðèáîðîâ
íà èõ îñíîâå ìîãóò áûòü èçìåíåíû â ðåçóëüòàòå âîç-
äåéñòâèÿ íà íèõ ñî÷åòàíèÿ ýëåêòðè÷åñêîãî è ìàãíèò-
íîãî ïîëåé ñîîòâåòñòâóþùåé ãåîìåòðèè (ÝÌÏÑÃ)
[1,2]. Êàê èçâåñòíî, òàêèå ñî÷åòàíèÿ â îïðåäåëåí-
íûõ óñëîâèÿõ ïðèâîäÿò ê ïîïåðå÷íîé ñïèíîâîé ïî-
ëÿðèçàöèè ôèçè÷åñêîãî âàêóóìà Äèðàêà, ÷òî, â ñâîþ
î÷åðåäü, ïîðîæäàåò ñïèíòîðñèîííûå ïîëÿ [3, c. 356�
380; 4].
Àíàëèç ðàáîò, ïîñâÿùåííûõ èññëåäîâàíèþ ñïèí-
òîðñèîííîãî âîçäåéñòâèÿ â îáëàñòè ìåòåðèàëîâåäå-
íèÿ, ïîêàçûâàåò, ÷òî îíè ïðåäñòàâëåíû íåçíà÷èòåëü-
íî è â îñíîâíîì êàñàþòñÿ ìåòàëëîâ è ñïëàâîâ [5�
9]. Íàñòîÿùàÿ ðàáîòà ïîñâÿùåíà èçó÷åíèþ âëèÿ-
íèÿ ýòîãî âîçäåéñòâèÿ íà íåêîòîðûå ïîëóïðîâîä-
íèêîâûå ïðèáîðû. Ê íèì îòíîñÿòñÿ: ôîòîäèîäû íà
îñíîâå êðåìíèÿ (Si), ãåðìàíèÿ (Ge), ñóðüìÿíèñòîãî
èíäèÿ (InSb) [10, ñ. 110, 128]; àíèçîòðîïíûå òåðìî-
ýëåìåíòû [11, 12] èç âûñîêîñîâåðøåííûõ è ìîäóëÿ-
öèîííûõ ìîíîêðèñòàëëîâ àíòèìîíèäà êàäìèÿ (CdSb),
à òàêæå íàïðàâëåííî-çàêðèñòàëèçîâàííûõ èãîëü÷à-
òûõ ýâòåêòèê CdSb�CoSb [13]; îïòè÷åñêèå ôèëüò-
ðû íà îñíîâå âûñîêîñîâåðøåííûõ êðèñòàëëîâ CdSb
[14, ñ. 253�256] è ìîíîáëî÷íûõ êðèñòàëëîâ CdTe
[15, ñ. 15�25]. Èññëåäîâàíèÿ ïàðàìåòðîâ ôîòîäèî-
äîâ ïðîâîäèëèñü ïî ñòàíäàðòíûì ìåòîäèêàì [16,
ñ. 58], àíèçîòðîïèÿ òåðìîýäñ ∆α=α33�α22 â îáëàñòè
220�380 Ê îïðåäåëÿëàñü ñîãëàñíî [17], à îïòè÷åñ-
êèå ñâîéñòâà � ñ ïîìîùüþ ñïåêòðîôîòîìåòðîâ ÈÊÑ-
21, ÈÊÑ-31.  êà÷åñòâå èñòî÷íèêà âîçäåéñòâèÿ èñ-
ïîëüçîâàëîñü óñòðîéñòâî [18], îñíîâàííîå íà ñî÷å-
òàíèè ñòàòè÷åñêèõ ýëåêòðè÷åñêîãî è ìàãíèòíîãî ïî-
ëåé ñîîòâåòñòâóþùåé ãåîìåòðèè.
Âïåðâûå èññëåäîâàíèå âëèÿíèÿ ÝÌÏÑÃ íà
ïîëóïðîâîäíèêîâûå ôîòîäèîäû áûëî ïðîâå-
äåíî íàìè â [1, 19, 20]. Ïðåäìåòîì èçó÷åíèÿ ÿâëÿëèñü
ñåðèéíûå êðåìíèåâûå íèçêîâîëüòíûå ôîòîäèîäû
ÓÔÄ01, ÓÔÄ02 è ÔÄ288À, êðèòåðèåì âîçäåéñòâèÿ
ñëóæèë îáðàòíûé (òåìíîâîé) òîê (It). Ýòè ïðèáîðû
îêàçàëèñü äîñòàòî÷íî âîñïðèèì÷èâû ê ÝÌÏÑÃ: âå-
ëè÷èíà It íåîáðàòèìî óìåíüøàëàñü äî 40%.
Óñðåäíåííûå âîëüòàìïåðíûå õàðàêòåðèñòèêè äî
âîçäåéñòâèÿ ÝÌÏÑÃ, â ïðîöåññå è ïîñëå íåãî ïðèâå-
äåíû íà ðèñ. 1 (çäåñü Up � íàïðÿæåíèå ñìåùåíèÿ
äèîäà). Îñíîâíûå èçìåíåíèÿ, êàê âèäíî èç ðèñ. 2,
Ðèñ. 1. Óñðåäíåííûå âîëüòàìïåðíûå õàðàêòåðèñòèêè
êðåìíèåâûõ ôîòîäèîäîâ äî âîçäåéñòâèÿ ÝÌÏÑÃ (1) è
ïîñëå âîçäåéñòâèÿ ÷åðåç 30, 60, 90, 120 è 180 ìèíóò (2)
It, íÀ
300
200
100
0 5 10 15 20 Up, Â
1
2
It, íÀ
150
100
0 20 40 60 80 100 t, ìèí
Ðèñ. 2. Ñêîðîñòü èçìåíåíèÿ òåìíîâîãî òîêà êðåìíèå-
âûõ ôîòîäèîäîâ òèïà ÓÔÄ02 âñëåäñòâèå âîçäåéñòâèÿ
ÝÌÏÑà (ðàáî÷åå íàïðÿæåíèå 10 Â)
5
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2000, ¹ 1
34
ÊÎÌÏÎÍÅÍÒÛ ÄËß ÝËÅÊÒÐÎÍÍÎÉ ÀÏÏÀÐÀÒÓÐÛ
ïðîèñõîäÿò â òå÷åíèå ïåðâûõ 10�15 ìèí. Êîíò-
ðîëü ýòèõ õàðàêòåðèñòèê ÷åðåç ñóòêè, äâå íåäåëè è
ìåñÿö ïîñëå âîçäåéñòâèÿ ïîêàçàëè èõ ñòàáèëüíîñòü
è íåîáðàòèìîñòü âî âðåìåíè.
Äàëüíåéøèå èññëåäîâàíèÿ ïîêàçàëè, ÷òî îïðåäå-
ëÿþùåå âëèÿíèå ÝÌÏÑÃ îêàçûâàåò íà ãåíåðàöèîí-
íóþ ñîñòàâëÿþùóþ îáðàòíîãî (òåìíîâîãî) òîêà, îáóñ-
ëîâëåííóþ íàëè÷èåì íåîñíîâíûõ íîñèòåëåé çàðÿäà
(ÍÍÇ) â îáåäíåííîé îáëàñòè êðèñòàëëà ôîòîäèîäà.
Âåëè÷èíà ýòîé ñîñòàâëÿþùåé â îñíîâíîì îïðåäåëÿ-
åòñÿ âðåìåíåì æèçíè ÍÍÇ, êîòîðîå óâåëè÷èâàåòñÿ
â ðåçóëüòàòå âîçäåéñòâèÿ ÝÌÏÑÃ íà 40%. (Èíòå-
ðåñíî îòìåòèòü, ÷òî íà òàêóþ æå âåëè÷èíó óìåíüøà-
åòñÿ âðåìÿ æèçíè ÍÍÇ â èñõîäíîì êðåìíèè â ïðî-
öåññå òåðìè÷åñêèõ îïåðàöèé ôîðìèðîâàíèÿ ñòðóê-
òóðû êðèñòàëëà ôîòîäèîäà � 1170�1400 Ê.)
Íåñêîëüêî ïîçæå áûëè èññëåäîâàíû ôîòîäèîäû
íà îñíîâå êàê ãåðìàíèÿ, òàê è ñóðüìÿíèñòîãî èíäèÿ.
Âîçäåéñòâèå íà ãåðìàíèåâûå ôîòîäèîäû îêàçûâà-
ëîñü êàê â àêòèâíîì, òàê è â ïàññèâíîì ðåæèìàõ
ðàáîòû ãåíåðèðóþùåãî óñòðîéñòâà ÝÌÏÑÃ. Â ïåð-
âîì ñëó÷àå âåëè÷èíà òîêà ñíèçèëàñü íà 49%, à äàëü-
íåéøàÿ îáðàáîòêà â ïàññèâíîì ðåæèìå ïðèâåëà ê
âîçðàñòàíèþ äîñòèãíóòîãî çíà÷åíèÿ íà 5�7%. Ôî-
òîäèîäû íà îñíîâå ñóðüìÿíèñòîãî èíäèÿ ïîäâåðãà-
ëèñü âîçäåéñòâèþ â àêòèâíîì ðåæèìå â òå÷åíèå ÷àñà.
Êðèòåðèàëüíûì ïàðàìåòðîì â ýòîì ñëó÷àå ÿâëÿëîñü
íàïðÿæåíèå øóìà (Uø). Äèíàìèêà ýòîé âåëè÷èíû
âî âðåìåíè ïðåäñòàâëåíà íà ðèñ. 3. Êàê ñëåäóåò èç
ðèñóíêà, âîçäåéñòâèå óìåíüøèëî âåëè÷èíó Uø íà 33%.
Èçó÷åíèå ïîâåäåíèÿ òîêîâîé ìîíîõðîìàòè÷åñêîé
÷óâñòâèòåëüíîñòè êðåìíèåâûõ ôîòîäèîäîâ â ðåçóëü-
òàòå âîçäåéñòâèÿ ÝÌÏÑÃ óêàçûâàåò íà åå èçìåíå-
íèå â äëèííîâîëíîâîé îáëàñòè. Õàðàêòåð ýòèõ èç-
ìåíåíèé, ïî-íàøåìó ìíåíèþ, ïîçâîëÿåò ñäåëàòü âû-
âîä îá óëó÷øåíèè ñòðóêòóðíûõ ñâîéñòâ êðèñòàëëîâ
ôîòîäèîäîâ. Íà ðèñ. 4 ïðåäñòàâëåíà çàâèñèìîñòü
àíèçîòðîïèè òåðìîýäñ ∆α îò âðåìåíè âîçäåéñòâèÿ
äëÿ àíèçîòðîïíûõ òåðìîýëåìåíòîâ (ÀÒ) íà îñíîâå
ðàçëè÷íûõ ìàòåðèàëîâ. Èç ïðèâåäåííûõ ðåçóëüòà-
òîâ ñëåäóåò, ÷òî íàèáîëåå ýôôåêòèâíî ÝÌÏÑÃ ïðî-
ÿâëÿåòñÿ â ïåðâûå 30 ìèí. Ìàêñèìàëüíûå èçìåíå-
íèÿ àíèçîòðîïèè òåðìîýäñ íàáëþäàþòñÿ äëÿ ìîäó-
ëÿöèîííîãî CdSb è ýâòåêòèêè CdSb�CoSb, ïðè÷åì ó
ïîñëåäíåé íà äâàäöàòîé ìèíóòå âîçäåéñòâèÿ íàáëþ-
äàåòñÿ ñìåíà çíàêà àíèçîòðîïèè òåðìîýäñ.
Èçìåðåíèå ýëåêòðîïðîâîäíîñòè ýâòåêòèêè ïîêà-
çûâàåò, ÷òî â ýòîò ìîìåíò íàáëþäàåòñÿ ðåçêîå âîç-
ðàñòàíèå åå âåëè÷èíû è èçìåíåíèå òèïà ïðîâîäèìîñ-
òè. Àíèçîòðîïèÿ òåðìîýäñ âûñîêîýôôåêòèâíîãî
ìîíîêðèñòàëëà CdSb ïîñëå âîçäåéñòâèÿ ìåíÿåòñÿ
çíà÷èòåëüíî ñëàáåå.
Àíàëèç îïòè÷åñêèõ ñâîéñòâ ôèëüòðîâ èç CdSb
(õàðàêòåðèçóåìûõ âûñîêèì êðèñòàëëîãðàôè-
÷åñêèì ñîâåðøåíñòâîì) è ìîíîáëî÷íîãî CdTe (ïî-
íèæåííîé ñòåïåíè äåôåêòíîñòè) â îáëàñòè èõ ïðî-
çðà÷íîñòè ïîçâîëÿåò ñäåëàòü âûâîäû î òîì, ÷òî
ÝÌÏÑà ïðàêòè÷åñêè íå îêàçûâàåò âëèÿíèÿ íà âå-
ëè÷èíó êîýôôèöèåíòîâ îïòè÷åñêîãî ïîãëîùåíèÿ. Â
òî æå âðåìÿ äëÿ ìîäóëÿöèîííûõ ìîíîêðèñòàëëîâ
CdSb, õàðàêòåðèçóåìûõ íàëè÷èåì óïðóãèõ ëîêàëü-
íûõ íàïðÿæåíèé è óïîðÿäî÷åííîé äåôåêòíîé ñòðóê-
òóðîé, ÝÌÏÑÃ âûçûâàåò óìåíüøåíèå êîýôôèöèåí-
òà îïòè÷åñêîãî ïîãëîùåíèÿ íà 35�45%, à òàêæå
âîçðàñòàíèå êðóòèçíû êîðîòêîâîëíîâîãî êðàÿ ïî-
ãëîùåíèÿ.
Äëÿ âûÿñíåíèÿ ïðè÷èí, âûçûâàþùèõ ñòîëü ñó-
ùåñòâåííûå èçìåíåíèÿ õàðàêòåðèñòèê êðèñòàëëîâ,
íàìè áûëè ïðîâåäåíû ðåíòãåíîñòðóêòóðíûå èññëå-
äîâàíèÿ, îñíîâàííûå íà ìåòîäå àíîìàëüíîãî ïðî-
õîæäåíèÿ ðåíòãåíîâñêèõ ëàóý-ëó÷åé [21, 22]. Ïîëó-
÷åííûå ðåçóëüòàòû ïîêàçàëè, ÷òî ÝÌÏÑà âûçûâàåò
óìåíüøåíèå âåëè÷èíû êàê óïðóãèõ íàïðÿæåíèé (÷òî
ñîïðîâîæäàåòñÿ âîçðàñòàíèåì ðàäèóñîâ èçãèáà ñî-
Ðèñ. 3. Çàâèñèìîñòü
øóìîâîãî ñèãíàëà
ôîòîäèîäà íà îñíîâå
InSb îò äëèòåëüíîñ-
òè âîçäåéñòâèÿ
ÝÌÏÑÃ
Uø ,
ìÂ
12
10
8
0 10 20 30 40 50 t, ìèí
Ðèñ. 4. Òåìïåðàòóðíàÿ çàâèñèìîñòü àíèçîòðîïèè òåðìî-
ýäñ ÀÒ èç âûñîêîñîâåðøåííûõ (1) è ìîäóëÿöèîííûõ
(2) ìîíîêðèñòàëëîâ CdSb, à òàêæå íàïðàâëåííî-çàêðèñ-
òàëëèçîâàííûõ èãîëü÷àòûõ ýâòåêòèê CdSb�CoSb (3) îò
äëèòåëüíîñòè âîçäåéñòâèÿ ÝÌÏÑÃ. (Ðåçóëüòàòû èçìå-
ðåíèé ñîîòâåòñòâóþò òåìïåðàòóðå 293 Ê.)
0 30 60 120 t, ìèí
∆α,
ìêÂ/Ê
300
200
100
0
�30
2
1
3
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2000, ¹ 1
35
ÊÎÌÏÎÍÅÍÒÛ ÄËß ÝËÅÊÒÐÎÍÍÎÉ ÀÏÏÀÐÀÒÓÐÛ
îòâåòñòâóþùèõ àòîìíûõ ïëîñêîñòåé â 3�6 ðàç äëÿ
ìîäóëÿöèîííûõ è ýâòåêòè÷åñêèõ êðèñòàëëîâ è äî
1,5 ðàç äëÿ âûñîêîñîâåðøåííîãî CdSb), òàê è ïëîò-
íîñòè äåôåêòîâ. Ýòî, â ñâîþ î÷åðåäü, âåäåò ê ïåðå-
ðàñïðåäåëåíèþ êîíôèãóðàöèîííîé, ýëåêòðîííîé è
ôîíîííîé ñîñòàâëÿþùèõ âíóòðåííåé ýíåðãèè êðèñ-
òàëëà [23; 24, c. 181�222], èçìåíåíèþ çîííîãî ñïåê-
òðà íîñèòåëåé çàðÿäà è, ñîîòâåòñòâåííî, åãî ôèçè-
÷åñêèõ õàðàêòåðèñòèê � ýëåêòðè÷åñêèõ, òåïëîâûõ,
îïòè÷åñêèõ è äðóãèõ, â ò. ÷. è èññëåäóåìîé íàìè
àíèçîòðîïèè òåðìîýäñ.
Òàêèì îáðàçîì, ïðîâåäåííûå èññëåäîâàíèÿ ïî-
çâîëÿþò ñäåëàòü ñëåäóþùèå âûâîäû.
1. Ýôôåêò âëèÿíèÿ ýëåêòðè÷åñêîãî è ìàãíèòíî-
ãî ïîëåé ñîîòâåòñòâóþùåé ãåîìåòðèè íà ïîëóïðî-
âîäíèêîâûå ïðèáîðû íàáëþäàåòñÿ â ñëó÷àÿõ èñïîëü-
çîâàíèÿ êðèñòàëëè÷åñêèõ ñòðóêòóð, õàðàêòåðèçóåìûõ
íåñòàáèëüíîñòüþ ýíåðãåòè÷åñêèõ ñîñòîÿíèé.
2. Âëèÿíèå ÝÌÏÑÃ íà ïîëóïðîâîäíèêîâûå ïðè-
áîðû â ðÿäå ñëó÷àåâ ñïîñîáíî óëó÷øèòü íåêîòîðûå
èç èõ ïàðàìåòðîâ.
3. Íà îñíîâå ýôôåêòà âëèÿíèÿ ÝÌÏÑÃ íà ïî-
ëóïðîâîäíèêîâûå ïðèáîðû âîçìîæíà ðàçðàáîòêà ìå-
òîäîâ êîððåêöèè èõ ïàðàìåòðîâ íà ðàçëè÷íûõ òåõ-
íîëîãè÷åñêèõ ýòàïàõ.
ÈÑÏÎËÜÇÎÂÀÍÍÛÅ ÈÑÒÎ×ÍÈÊÈ
1. Àùåóëîâ À. À., Äîáðîâîëüñüêèé Þ. Ã., Pîìàíþê
². Ñ. Äîñë³äæåííÿ âïëèâó ïåâíèõ êîìá³íàö³é åëåêòðè÷-
íîãî òà ìàãí³òíîãî ïîë³â íà âëàñòèâîñò³ íàï³âïðîâ³äíè-
êîâèõ ïðèëàä³â // Íàóê. â³ñíèê ×åðí³âåöüêîãî óí-òó.�
1999.� Âèï. 29. Ô³çèêà.� Ñ. 174�176.
2. Òàðàñþê ². ²., Äîáðîâîëüñüêèé Þ. Ã., ̳ê³ò÷óê
À. Â. Ïðî âïëèâ ïåâíî¿ êîìá³íàö³¿ åëåêòðè÷íîãî òà ìàã-
í³òíîãî ïîë³â íà êðèñòàë³÷íå ò³ëî // Òàì æå.� 1999.�
Âèï. 50. Ô³çèêà.� Ñ. 65�67.
3. Øèïîâ Ã. È. Òåîðèÿ ôèçè÷åñêîãî âàêóóìà.� Ì. :
Íàóêà, 1997.
4. Àêèìîâ À. Å. Ýâðèñòè÷åñêîå îáñóæäåíèå ïðîáëå-
ìû ïîèñêà íîâûõ äàëüíîäåéñòâèé. EGS-êîíöåïöèè / Ì.:
ÌÍÒÖ âåí÷óðíûõ è íåòðàäèöèîííûõ òåõíîëîãèé.�
Ïðåïðèíò ¹ 7À.� 1991.
5. Àêèìîâ À. Å., Êóðèê Ì. Â., Òàðàñåíêî Â. ß. Âëè-
ÿíèå ñïèíîðíîãî (òîðñèîííîãî) ïîëÿ íà ïðîöåññ êðèñ-
òàëëèçàöèè ìèöåëÿðíûõ ñòðóêòóð // Áèîòåõíîëîãèÿ.�
1991.� Ò. 3.� Ñ. 69�72.
6. Ìàéáîðîäà Â. Ï., Àêèìîâ À. Å., Ìàêñèìîâà Ã. À.
è äð. Âëèÿíèå òîðñèîííûõ ïîëåé íà ðàñïëàâ îëîâà //
Ì. : ÌÍÒÖ âåí÷óðíûõ è íåòðàäèöèîííûõ òåõíîëîãèé.�
Ïðåïðèíò ¹ 49.� 1993.
7. Maiboroda V. P. Investigation of gallium and
indium during melting // Thin Solid Films.� 1990.�
Vol. 195.� P. 1�10.
8. Ìàéáîðîäà Â. Ï. Èçìåíåíèå ñòðóêòóðû ìåäè íà
ñòàäèè ïðåäïëàâëåíèÿ // Èçâ. ÀÍ ÑÑÑÐ. Ìåòàëëû.�
1990.� ¹ 4.� Ñ. 49�52.
9. Àáðàìîâ À. À., Àêèìîâ À. Å., Áóëàòîâ Ý. È. è äð.
Ôèçè÷åñêèå îñíîâû è ýêñïåðèìåíòàëüíûå ðåçóëüòàòû
èññëåäîâàíèé òîðñèîííûõ òåõíîëîãèé â ïðîèçâîäñòâå
ìàòåðèàëîâ // Ñá. äîêë. II ìåæäóíàð. àýðîêîñì. êîíã-
ðåññà.� Ì., 1997.� Ñ. 76�109.
10. Àíèñèìîâà È. Ä., Âèêóëèí È. Ì., Çàèòîâ Ô. À. è
äð. Ïîëóïðîâîäíèêîâûå ôîòîïðèåìíèêè: óëüòðàôèîëå-
òîâûé, âèäèìûé è áëèæíèé èíôðàêðàñíûé äèàïàçîíû
ñïåêòðà.� Ì. : Ðàäèî è ñâÿçü, 1984.
11. Ñíàðñêèé À. À., Ïàëüòè À. Ì., Àùåóëîâ À. À.
Àíèçîòðîïíûå òåðìîýëåìåíòû // ÔÒÏ.� 1997.�
Ò. 31 (1).� Ñ. 1281�1298 .
12. Àùåóëîâ À. À., Ãóöóë È. Â., Ðàðåíêî À. È. Èñ-
ñëåäîâàíèå ýäñ è êïä àíèçîòðîïíûõ îïòèêîòåðìîýëåìåí-
òîâ // ÈÔÆ.� 1997.� Ò. 71 (3).� Ñ. 538�542.
13. Àùåóëîâ À. À., Âîðîíêà Í. Ê., Ìàðåíêèí Ñ. Ô. è
äð. Ïîëó÷åíèå è èñïîëüçîâàíèå îïòèìèçèðîâàííûõ ìà-
òåðèàëîâ èç àíòèìîíèäà êàäìèÿ // Íåîðãàíè÷åñêèå ìà-
òåðèàëû.� 1996.� Ò. 32 (9).� Ñ. 249�260.
14. Ëàçàðåâ Â. Á., Øåâ÷åíêî Â. ß., Ãðèìáåðã ß. Õ.,
Ñîáîëåâ Â. Â. Ïîëóïðîâîäíèêîâûå ñîåäèíåíèÿ À
2Â5.�
Ì. : Íàóêà, 1978.
15. Àùåóëîâ À. À. Ôèçèêî-õèìè÷åñêèå îñíîâû òåõ-
íîëîãèè îïòè÷åñêèõ, àíèçîòðîïíûõ òåðìîýëåêòðè÷åñêèõ
è îïòèêî-òåðìîýëåêòðè÷åñêèõ ìàòåðèàëîâ èç àíòèìîíè-
äà êàäìèÿ / Àâòîðåô. äèññ. ... ä. ò. í.� ×åðíîâöû:
×ÃÓ, 1994.
16. ÃÎÑÒ 17772�80. Ìåòîäû èçìåðåíèÿ ôîòîýëåêò-
ðè÷åñêèõ ïàðàìåòðîâ. Ìåòîä 1.1.� Ì. : Ãîññòàíäàðò, 1988.
17. Àùåóëîâ À. À., Ðàðåíêî È. Ì., Ïèëàò È. Ì. Âëè-
ÿíèå òåïëîîáìåíà íà âîëüòâàòòíóþ ÷óâñòâèòåëüíîñòü ÀÒ
// Ôèçè÷åñêàÿ ýëåêòðîíèêà.� 1980.� ¹ 21.�
Ñ. 96�100.
18. À. ñ. 1748662 ÑÑÑÐ. Ñïîñîá êîððåêöèè ñòðóê-
òóðíûõ õàðàêòåðèñòèê ìàòåðèàëîâ è óñòðîéñòâî äëÿ åãî
îñóùåñòâëåíèÿ / À. Å. Àêèìîâ, Â. ß. Òàðàñåíêî, À. Â.
Ñàìîõèí è äð.� Ïàòåíòû íà èçîáðåòåíèÿ.� 1992, ¹ 26.
19. Äîáðîâîëüñüêèé Þ. Ã., Àùåóëîâ À. À. Àíàë³ç
òåìíîâîãî ñòðóìó ôîòîä³îä³â ïðè îäíî÷àñí³é 䳿 êîìá³-
íàö³¿ åëåêòðè÷íîãî òà ìàãí³òíîãî ïîë³â // Íàóê. â³ñíèê
×åðí³âåöüêîãî óí-òó.� 1999.� Âèï. 50. Ô³çèêà.�
Ñ. 108�109.
20. Àùåóëîâ À. À., Ãîäîâàíþê Â. Í., Äîáðîâîëüñêèé
Þ. Ã. è äð. Îïòèìèçàöèÿ íàäåæíîñòè êðåìíèåâûõ
ð�³�n-ôîòîäèîäîâ ïî òåìíîâîìó òîêó // Òåõíîëîãèÿ è
êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå.� 1999.�
¹ 1.� Ñ. 35�38.
21. Äàöåíêî Ë. È., Êèñëîâñêèé Å. Í. Èçó÷åíèå ñëà-
áîé ëîêàëüíîé êðèâèçíû àòîìíûõ ïëîñêîñòåé êðèñòàë-
ëà ñ ïîìîùüþ ëàóý-äèôðàêöèè ðåíòãåíîâñêèõ ëó÷åé //
ÓÔÆ.� 1976.� Ò. 21 (5).� Ñ. 825�828.
22. Ìåëüíè÷óê È. Â., Ïàâëîâ Ð. À., Àùåóëîâ À. À. è
äð. Èññëåäîâàíèå óïðóãèõ äåôîðìàöèé â êðèñòàëëàõ
àíòèìîíèäà êàäìèÿ // ÓÔÆ.� 1980.� Ò. 25 (12).�
Ñ. 2081�2083.
23. Äåéáóê Â. Ã., Ðàðåíêî À. È., Àùåóëîâ À. À. è äð.
Äèíàìèêà ðåøåòêè è òåïëîâûå ñâîéñòâà CdSb / Ê. :
ÈÔÀÍÓ.� Ïðåïðèíò ¹ 15.� 1991.
24. Ìàíûê Î. Í. Ìíîãîôàêòîðíûé ïîäõîä â òåîðå-
òè÷åñêîì ìàòåðèàëîâåäåíèè.� ×åðíîâöû: Ïðóò, 1999.
5*
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70913 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T15:48:47Z |
| publishDate | 2000 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ащеулов, А.А. Добровольский, Ю.Г. Безулик, В.А. 2014-11-16T14:45:04Z 2014-11-16T14:45:04Z 2000 Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов / А.А. Ащеулов, Ю.Г. Добровольский, В.А. Безулик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 1. — С. 33-35. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70913 537.312.5 Представлены результаты воздействия на кристаллические структуры некоторых полупроводниковых приборов электрического и магнитного полей соответствующей геометрии с целью коррекции параметров приборов на различных технологических этапах. Установлено, что изменения параметров наблюдаются у кристаллических структур, характеризующихся нестабильностью энергетического состояния. The action results on crystal structures of some appropriate geometry semiconductor devices of electric and magnetic fields for the purpose of correction of devices parameters on different process stages have been represented. It has been found that parameters change is exhibited in crystal structures characterized by runaway of energy state. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Компоненты для электронной аппаратуры Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов Вплив електричного та магнітного полів на параметри напівпровідникових приладів The action of electric and magnetic fields on parameters of semiconductor devices Article published earlier |
| spellingShingle | Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов Ащеулов, А.А. Добровольский, Ю.Г. Безулик, В.А. Компоненты для электронной аппаратуры |
| title | Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов |
| title_alt | Вплив електричного та магнітного полів на параметри напівпровідникових приладів The action of electric and magnetic fields on parameters of semiconductor devices |
| title_full | Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов |
| title_fullStr | Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов |
| title_full_unstemmed | Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов |
| title_short | Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов |
| title_sort | воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов |
| topic | Компоненты для электронной аппаратуры |
| topic_facet | Компоненты для электронной аппаратуры |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70913 |
| work_keys_str_mv | AT aŝeulovaa vozdeistvieélektričeskogoimagnitnogopoleinaparametrypoluprovodnikovyhpriborov AT dobrovolʹskiiûg vozdeistvieélektričeskogoimagnitnogopoleinaparametrypoluprovodnikovyhpriborov AT bezulikva vozdeistvieélektričeskogoimagnitnogopoleinaparametrypoluprovodnikovyhpriborov AT aŝeulovaa vplivelektričnogotamagnítnogopolívnaparametrinapívprovídnikovihpriladív AT dobrovolʹskiiûg vplivelektričnogotamagnítnogopolívnaparametrinapívprovídnikovihpriladív AT bezulikva vplivelektričnogotamagnítnogopolívnaparametrinapívprovídnikovihpriladív AT aŝeulovaa theactionofelectricandmagneticfieldsonparametersofsemiconductordevices AT dobrovolʹskiiûg theactionofelectricandmagneticfieldsonparametersofsemiconductordevices AT bezulikva theactionofelectricandmagneticfieldsonparametersofsemiconductordevices |