Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов
Представлены результаты воздействия на кристаллические структуры некоторых полупроводниковых приборов электрического и магнитного полей соответствующей геометрии с целью коррекции параметров приборов на различных технологических этапах. Установлено, что изменения параметров наблюдаются у кристалличе...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2000 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70913 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов / А.А. Ащеулов, Ю.Г. Добровольский, В.А. Безулик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 1. — С. 33-35. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862681055850397696 |
|---|---|
| author | Ащеулов, А.А. Добровольский, Ю.Г. Безулик, В.А. |
| author_facet | Ащеулов, А.А. Добровольский, Ю.Г. Безулик, В.А. |
| citation_txt | Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов / А.А. Ащеулов, Ю.Г. Добровольский, В.А. Безулик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 1. — С. 33-35. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Представлены результаты воздействия на кристаллические структуры некоторых полупроводниковых приборов электрического и магнитного полей соответствующей геометрии с целью коррекции параметров приборов на различных технологических этапах. Установлено, что изменения параметров наблюдаются у кристаллических структур, характеризующихся нестабильностью энергетического состояния.
The action results on crystal structures of some appropriate geometry semiconductor devices of electric and magnetic fields for the purpose of correction of devices parameters on different process stages have been represented. It has been found that parameters change is exhibited in crystal structures characterized by runaway of energy state.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:48:47Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70913 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T15:48:47Z |
| publishDate | 2000 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ащеулов, А.А. Добровольский, Ю.Г. Безулик, В.А. 2014-11-16T14:45:04Z 2014-11-16T14:45:04Z 2000 Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов / А.А. Ащеулов, Ю.Г. Добровольский, В.А. Безулик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 1. — С. 33-35. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70913 537.312.5 Представлены результаты воздействия на кристаллические структуры некоторых полупроводниковых приборов электрического и магнитного полей соответствующей геометрии с целью коррекции параметров приборов на различных технологических этапах. Установлено, что изменения параметров наблюдаются у кристаллических структур, характеризующихся нестабильностью энергетического состояния. The action results on crystal structures of some appropriate geometry semiconductor devices of electric and magnetic fields for the purpose of correction of devices parameters on different process stages have been represented. It has been found that parameters change is exhibited in crystal structures characterized by runaway of energy state. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Компоненты для электронной аппаратуры Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов Вплив електричного та магнітного полів на параметри напівпровідникових приладів The action of electric and magnetic fields on parameters of semiconductor devices Article published earlier |
| spellingShingle | Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов Ащеулов, А.А. Добровольский, Ю.Г. Безулик, В.А. Компоненты для электронной аппаратуры |
| title | Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов |
| title_alt | Вплив електричного та магнітного полів на параметри напівпровідникових приладів The action of electric and magnetic fields on parameters of semiconductor devices |
| title_full | Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов |
| title_fullStr | Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов |
| title_full_unstemmed | Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов |
| title_short | Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов |
| title_sort | воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов |
| topic | Компоненты для электронной аппаратуры |
| topic_facet | Компоненты для электронной аппаратуры |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70913 |
| work_keys_str_mv | AT aŝeulovaa vozdeistvieélektričeskogoimagnitnogopoleinaparametrypoluprovodnikovyhpriborov AT dobrovolʹskiiûg vozdeistvieélektričeskogoimagnitnogopoleinaparametrypoluprovodnikovyhpriborov AT bezulikva vozdeistvieélektričeskogoimagnitnogopoleinaparametrypoluprovodnikovyhpriborov AT aŝeulovaa vplivelektričnogotamagnítnogopolívnaparametrinapívprovídnikovihpriladív AT dobrovolʹskiiûg vplivelektričnogotamagnítnogopolívnaparametrinapívprovídnikovihpriladív AT bezulikva vplivelektričnogotamagnítnogopolívnaparametrinapívprovídnikovihpriladív AT aŝeulovaa theactionofelectricandmagneticfieldsonparametersofsemiconductordevices AT dobrovolʹskiiûg theactionofelectricandmagneticfieldsonparametersofsemiconductordevices AT bezulikva theactionofelectricandmagneticfieldsonparametersofsemiconductordevices |