Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов
Представлены результаты воздействия на кристаллические структуры некоторых полупроводниковых приборов электрического и магнитного полей соответствующей геометрии с целью коррекции параметров приборов на различных технологических этапах. Установлено, что изменения параметров наблюдаются у кристалличе...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2000 |
| Автори: | Ащеулов, А.А., Добровольский, Ю.Г., Безулик, В.А. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70913 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов / А.А. Ащеулов, Ю.Г. Добровольский, В.А. Безулик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 1. — С. 33-35. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Особенности построения полупроводниковых вибрационно-частотных сенсоров
за авторством: Байцар, Р.И., та інші
Опубліковано: (1998) -
Схемное решение термостабилизации выходного сигнала полупроводниковых датчиков
за авторством: Викулина, Л.Ф.
Опубліковано: (1998) -
Оптимизация надежности кремниевых p-i-n-фотодиодов по темновому току
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (1999) -
Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2001) -
Координатно-чувствительный анизотропный датчик лазерного излучения
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (1998)