Влияние режимов спекания на параметры стеклокерамики с кристаллизуемым стеклом
Экспериментально исследована при разных режимах спекания диэлектрическая проницаемость стеклокерамики, содержащей алюмооксидный наполнитель, свинцовоборосиликатное стекло и кристаллизуемую в стекле при спекании новую фазу — кристобалит. Рассчитаны объемные доли и диэлектрическая проницаемость компон...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2000 |
| Автор: | Дмитриев, М.В. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70914 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние режимов спекания на параметры стеклокерамики с кристаллизуемым стеклом / М.В. Дмитриев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 1. — С. 36-39. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Влияние концентрации компонентов и пор на электросопротивление стеклокерамики
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1998)
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1998)
Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: диэлектрические потери
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1999)
Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: диэлектрическая проницаемость
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1999)
Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия
за авторством: Шутов, С.В.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Шутов, С.В.
Опубліковано: (1999)
Акустооптические кристаллы типа Cs₂HgC₄
за авторством: Данилов, В.В.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Данилов, В.В.
Опубліковано: (1999)
Физико-химические и акустооптические свойства монокристаллов типа Cs₂HgC₄
за авторством: Данилов, В.В.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Данилов, В.В.
Опубліковано: (1999)
Тенденции в материаловедении как перспектива появления новых электронных компонентов
за авторством: Костенко, С.П.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Костенко, С.П.
Опубліковано: (1999)
Влияние концентрации компонентов и пор на диэлектрические потери в стеклокерамике
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1998)
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1998)
Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: электросопротивление
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1998)
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1998)
Прогнозирование параметров стеклокерамики со стеклокристаллической матрицей для разных соотношений компонентов и режимов спекания
за авторством: Дмитриев, М.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Дмитриев, М.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Способы прогнозирования параметров стеклокерамики с межфазным слоем
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (2001)
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (2001)
Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах
за авторством: Гаркавенко, А.С.
Опубліковано: (2000)
за авторством: Гаркавенко, А.С.
Опубліковано: (2000)
Зависимость диэлектрической проницаемости кристаллизующейся фазы стеклокерамики от времени спекания
за авторством: Дмитриев, М.В., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Дмитриев, М.В., та інші
Опубліковано: (2010)
Механизмы управляемого структурообразования поверхностей слоев Pd-Ag при облучении α-частицами
за авторством: Костенко, С.П.
Опубліковано: (1998)
за авторством: Костенко, С.П.
Опубліковано: (1998)
Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs
за авторством: Губа, С.К.
Опубліковано: (1998)
за авторством: Губа, С.К.
Опубліковано: (1998)
Монокристаллические феррогранатовые пленки для микроволновой электроники
за авторством: Ющук, С.И.
Опубліковано: (1998)
за авторством: Ющук, С.И.
Опубліковано: (1998)
Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
за авторством: Бончик, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Бончик, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2005)
Влияние термозависимых превращений в стекле композиционной стеклокерамики на ее диэлектрическую проницаемость
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (2000)
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (2000)
Прогнозирование параметров стеклокерамики со стеклокристаллической матрицей для разных соотношений компонентов и режимов спекания
за авторством: Dmitriev, M. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Dmitriev, M. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Непаяные контактные соединения в электронных печатных узлах
за авторством: Yefimenko, А. А., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Yefimenko, А. А., та інші
Опубліковано: (2009)
Прогнозирование диэлектрических свойств некристаллизующейся моноармированной полиматричной стеклокерамики
за авторством: Дмитриев, М.В., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Дмитриев, М.В., та інші
Опубліковано: (2008)
Оценка параметров компонентов моноармированой стеклокерамики со стеклокристаллической матрицей
за авторством: Дмитриев, М.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Дмитриев, М.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Зависимость диэлектрической проницаемости кристаллизующейся фазы стеклокерамики от времени спекания
за авторством: Dmitriyev, M. V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Dmitriyev, M. V., та інші
Опубліковано: (2010)
Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
за авторством: Аркуша, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Аркуша, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2004)
Нерелятивистская квантовая теория вынужденных черенковского излучения и комптоновского рассеяния в плазме
за авторством: Кузелев, М.В., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Кузелев, М.В., та інші
Опубліковано: (2011)
Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия
за авторством: Завадский, В.А., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Завадский, В.А., та інші
Опубліковано: (2002)
Отрицательные ионы на границе раздела растворов жидкого гелия
за авторством: Дюгаев, А.М., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Дюгаев, А.М., та інші
Опубліковано: (2011)
Нелинейный анализ смесителей миллиметрового диапазона на диодах с барьером Шоттки
за авторством: Подъячий, В.И., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Подъячий, В.И., та інші
Опубліковано: (2006)
Осцилляции перегибов на дислокационных линиях в кристаллах и низкотемпературные транспортные аномалии как «паспорт» свежевведенных дефектов
за авторством: Межов-Деглин, Л.П., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Межов-Деглин, Л.П., та інші
Опубліковано: (2011)
GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2006)
Спонтанная спиновая поляризация систем примесных гибридизированных состояний электронов в полосе проводимости кристаллов
за авторством: Окулов, В.И., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Окулов, В.И., та інші
Опубліковано: (2011)
Rosensweig instability in ferrofluids
за авторством: Kats, E.I.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Kats, E.I.
Опубліковано: (2011)
О химической связи и распределении гелия в ГПУ бериллии
за авторством: Бакай, А.С., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Бакай, А.С., та інші
Опубліковано: (2011)
Different forms of the Kadanoff–Baym equations in quantum statistical mechanics
за авторством: Kondratyev, A.S., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Kondratyev, A.S., та інші
Опубліковано: (2011)
Collective modes in quantum Fermi liquid
за авторством: Tsintsadze, N.L., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Tsintsadze, N.L., та інші
Опубліковано: (2011)
Повышение эффективности силового размещения компонентов
за авторством: Dmitriev, P. I., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Dmitriev, P. I., та інші
Опубліковано: (2004)
Исследование и оптимизация бокового катода для магнетронов с холодным вторично-эмиссионным катодом
за авторством: Автомонов, Н.И., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Автомонов, Н.И., та інші
Опубліковано: (2007)
Влияние режимов наплавки порошковыми лентами на геометрические параметры наплавленных валиков
за авторством: Жудра, А.П., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Жудра, А.П., та інші
Опубліковано: (2017)
Количественное определение прочности сцепления тонких металлических пленок со стеклом
за авторством: Белоус, В.А., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Белоус, В.А., та інші
Опубліковано: (2006)
Твердотельный СВЧ генератор на основе волноводно-коаксиального резонатора
за авторством: Макеев, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Макеев, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2004)
Схожі ресурси
-
Влияние концентрации компонентов и пор на электросопротивление стеклокерамики
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1998) -
Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: диэлектрические потери
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1999) -
Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: диэлектрическая проницаемость
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1999) -
Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия
за авторством: Шутов, С.В.
Опубліковано: (1999) -
Акустооптические кристаллы типа Cs₂HgC₄
за авторством: Данилов, В.В.
Опубліковано: (1999)