Влияние режимов спекания на параметры стеклокерамики с кристаллизуемым стеклом
Экспериментально исследована при разных режимах спекания диэлектрическая проницаемость стеклокерамики, содержащей алюмооксидный наполнитель, свинцовоборосиликатное стекло и кристаллизуемую в стекле при спекании новую фазу — кристобалит. Рассчитаны объемные доли и диэлектрическая проницаемость компон...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2000 |
| Автор: | Дмитриев, М.В. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70914 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние режимов спекания на параметры стеклокерамики с кристаллизуемым стеклом / М.В. Дмитриев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 1. — С. 36-39. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Влияние концентрации компонентов и пор на электросопротивление стеклокерамики
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1998) -
Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: диэлектрические потери
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1999) -
Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: диэлектрическая проницаемость
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1999) -
Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия
за авторством: Шутов, С.В.
Опубліковано: (1999) -
Физико-химические и акустооптические свойства монокристаллов типа Cs₂HgC₄
за авторством: Данилов, В.В.
Опубліковано: (1999)