Физические имитаторы мощных транзисторов
Рассмотрены возможности использования физических моделей (имитаторов) транзисторов высоких мощностей в процессе создания новых радиоэлектронных приборов вместо реальных (чаще всего дорогостоящих) транзисторов. Приведены принципиальные схемы сигнализации перенапряжения и токовой перегрузки. Possibili...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2000 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70922 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Физические имитаторы мощных транзисторов / З. Стевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 2-3. — С. 15-16. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Рассмотрены возможности использования физических моделей (имитаторов) транзисторов высоких мощностей в процессе создания новых радиоэлектронных приборов вместо реальных (чаще всего дорогостоящих) транзисторов. Приведены принципиальные схемы сигнализации перенапряжения и токовой перегрузки.
Possibilities of using physical models (simulators) of transistors of high power during creation process of new radioelectronical devices instead of real (mostly expensive) transistors have been considered. The circuit diagrams of overvoltage and current overload allarming have been given.
|
|---|---|
| ISSN: | 2225-5818 |