Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2000
• Main Author: Гаркавенко, А.С.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2000
• Subjects: Материалы для компонентов
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70931
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 2-3. — С. 60-61. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Доказывается возможность создания эффективных излучающих диодов на основе полупроводников типа A₂B₆, использующих барьер Шоттки. Известные преимущества высокого квантового выхода таких полупроводников не реализованы из-за трудности создания на их основе p—n-перехода и из-за малой дырочной составляющей тока у металлов, применяемых для получения барьера. Между тем у сурьмы, ванадия, хрома и др. Эта составляющая достигает более 10²⁵ м⁻³. The opportunity of creation of effective radiating diodes is proved on the basis of semiconductors of A₂B₆ type using a Shottki's barrier. The known advantages of a high quantum exit of such semiconductors are not realized because of difficulty of creation on their basis p n-transition and small hole component of a current at metals used for reception of a barrier. Meanwhile in antimony, vanadium, chrom etc this component achieves more than 10²⁵ m⁻³.