Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах
Доказывается возможность создания эффективных излучающих диодов на основе полупроводников типа A₂B₆, использующих барьер Шоттки. Известные преимущества высокого квантового выхода таких полупроводников не реализованы из-за трудности создания на их основе p—n-перехода и из-за малой дырочной составляющ...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2000 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70931 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 2-3. — С. 60-61. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862599856095232000 |
|---|---|
| author | Гаркавенко, А.С. |
| author_facet | Гаркавенко, А.С. |
| citation_txt | Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 2-3. — С. 60-61. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Доказывается возможность создания эффективных излучающих диодов на основе полупроводников типа A₂B₆, использующих барьер Шоттки. Известные преимущества высокого квантового выхода таких полупроводников не реализованы из-за трудности создания на их основе p—n-перехода и из-за малой дырочной составляющей тока у металлов, применяемых для получения барьера. Между тем у сурьмы, ванадия, хрома и др. Эта составляющая достигает более 10²⁵ м⁻³.
The opportunity of creation of effective radiating diodes is proved on the basis of semiconductors of A₂B₆ type using a Shottki's barrier. The known advantages of a high quantum exit of such semiconductors are not realized because of difficulty of creation on their basis p n-transition and small hole component of a current at metals used for reception of a barrier. Meanwhile in antimony, vanadium, chrom etc this component achieves more than 10²⁵ m⁻³.
|
| first_indexed | 2025-11-27T23:33:40Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70931 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-27T23:33:40Z |
| publishDate | 2000 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Гаркавенко, А.С. 2014-11-16T17:27:01Z 2014-11-16T17:27:01Z 2000 Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 2-3. — С. 60-61. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70931 535.34:621.362.1 Доказывается возможность создания эффективных излучающих диодов на основе полупроводников типа A₂B₆, использующих барьер Шоттки. Известные преимущества высокого квантового выхода таких полупроводников не реализованы из-за трудности создания на их основе p—n-перехода и из-за малой дырочной составляющей тока у металлов, применяемых для получения барьера. Между тем у сурьмы, ванадия, хрома и др. Эта составляющая достигает более 10²⁵ м⁻³. The opportunity of creation of effective radiating diodes is proved on the basis of semiconductors of A₂B₆ type using a Shottki's barrier. The known advantages of a high quantum exit of such semiconductors are not realized because of difficulty of creation on their basis p n-transition and small hole component of a current at metals used for reception of a barrier. Meanwhile in antimony, vanadium, chrom etc this component achieves more than 10²⁵ m⁻³. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы для компонентов Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах Метали з дирочною провідністю у випромінювальних поверхнево-бар'єрних діодах The metals with p-type conductivity in radiating superficial-barriar diodes Article published earlier |
| spellingShingle | Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах Гаркавенко, А.С. Материалы для компонентов |
| title | Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах |
| title_alt | Метали з дирочною провідністю у випромінювальних поверхнево-бар'єрних діодах The metals with p-type conductivity in radiating superficial-barriar diodes |
| title_full | Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах |
| title_fullStr | Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах |
| title_full_unstemmed | Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах |
| title_short | Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах |
| title_sort | металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах |
| topic | Материалы для компонентов |
| topic_facet | Материалы для компонентов |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70931 |
| work_keys_str_mv | AT garkavenkoas metallysdyročnoiprovodimostʹûvizlučaûŝihpoverhnostnobarʹernyhdiodah AT garkavenkoas metalizdiročnoûprovídnístûuvipromínûvalʹnihpoverhnevobarêrnihdíodah AT garkavenkoas themetalswithptypeconductivityinradiatingsuperficialbarriardiodes |