Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах
Доказывается возможность создания эффективных излучающих диодов на основе полупроводников типа A₂B₆, использующих барьер Шоттки. Известные преимущества высокого квантового выхода таких полупроводников не реализованы из-за трудности создания на их основе p—n-перехода и из-за малой дырочной составляющ...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2000 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70931 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 2-3. — С. 60-61. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70931 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Гаркавенко, А.С. 2014-11-16T17:27:01Z 2014-11-16T17:27:01Z 2000 Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 2-3. — С. 60-61. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70931 535.34:621.362.1 Доказывается возможность создания эффективных излучающих диодов на основе полупроводников типа A₂B₆, использующих барьер Шоттки. Известные преимущества высокого квантового выхода таких полупроводников не реализованы из-за трудности создания на их основе p—n-перехода и из-за малой дырочной составляющей тока у металлов, применяемых для получения барьера. Между тем у сурьмы, ванадия, хрома и др. Эта составляющая достигает более 10²⁵ м⁻³. The opportunity of creation of effective radiating diodes is proved on the basis of semiconductors of A₂B₆ type using a Shottki's barrier. The known advantages of a high quantum exit of such semiconductors are not realized because of difficulty of creation on their basis p n-transition and small hole component of a current at metals used for reception of a barrier. Meanwhile in antimony, vanadium, chrom etc this component achieves more than 10²⁵ m⁻³. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы для компонентов Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах Метали з дирочною провідністю у випромінювальних поверхнево-бар'єрних діодах The metals with p-type conductivity in radiating superficial-barriar diodes Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах |
| spellingShingle |
Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах Гаркавенко, А.С. Материалы для компонентов |
| title_short |
Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах |
| title_full |
Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах |
| title_fullStr |
Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах |
| title_full_unstemmed |
Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах |
| title_sort |
металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах |
| author |
Гаркавенко, А.С. |
| author_facet |
Гаркавенко, А.С. |
| topic |
Материалы для компонентов |
| topic_facet |
Материалы для компонентов |
| publishDate |
2000 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Метали з дирочною провідністю у випромінювальних поверхнево-бар'єрних діодах The metals with p-type conductivity in radiating superficial-barriar diodes |
| description |
Доказывается возможность создания эффективных излучающих диодов на основе полупроводников типа A₂B₆, использующих барьер Шоттки. Известные преимущества высокого квантового выхода таких полупроводников не реализованы из-за трудности создания на их основе p—n-перехода и из-за малой дырочной составляющей тока у металлов, применяемых для получения барьера. Между тем у сурьмы, ванадия, хрома и др. Эта составляющая достигает более 10²⁵ м⁻³.
The opportunity of creation of effective radiating diodes is proved on the basis of semiconductors of A₂B₆ type using a Shottki's barrier. The known advantages of a high quantum exit of such semiconductors are not realized because of difficulty of creation on their basis p n-transition and small hole component of a current at metals used for reception of a barrier. Meanwhile in antimony, vanadium, chrom etc this component achieves more than 10²⁵ m⁻³.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70931 |
| citation_txt |
Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 2-3. — С. 60-61. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT garkavenkoas metallysdyročnoiprovodimostʹûvizlučaûŝihpoverhnostnobarʹernyhdiodah AT garkavenkoas metalizdiročnoûprovídnístûuvipromínûvalʹnihpoverhnevobarêrnihdíodah AT garkavenkoas themetalswithptypeconductivityinradiatingsuperficialbarriardiodes |
| first_indexed |
2025-11-27T23:33:40Z |
| last_indexed |
2025-11-27T23:33:40Z |
| _version_ |
1850852986879737856 |