Buchumschlag

Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах

Доказывается возможность создания эффективных излучающих диодов на основе полупроводников типа A₂B₆, использующих барьер Шоттки. Известные преимущества высокого квантового выхода таких полупроводников не реализованы из-за трудности создания на их основе p—n-перехода и из-за малой дырочной составляющ...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2000
1. Verfasser:	Гаркавенко, А.С.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2000
Schlagworte:	Материалы для компонентов
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70931
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 2-3. — С. 60-61. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Влияние концентрации компонентов и пор на диэлектрические потери в стеклокерамике
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (1998)

Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs
von: Губа, С.К.
Veröffentlicht: (1998)

Механизмы управляемого структурообразования поверхностей слоев Pd-Ag при облучении α-частицами
von: Костенко, С.П.
Veröffentlicht: (1998)

Влияние концентрации компонентов и пор на электросопротивление стеклокерамики
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (1998)

Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: диэлектрическая проницаемость
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (1999)

Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: диэлектрические потери
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (1999)

Тенденции в материаловедении как перспектива появления новых электронных компонентов
von: Костенко, С.П.
Veröffentlicht: (1999)

Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия
von: Шутов, С.В.
Veröffentlicht: (1999)

Физико-химические и акустооптические свойства монокристаллов типа Cs₂HgC₄
von: Данилов, В.В.
Veröffentlicht: (1999)

Акустооптические кристаллы типа Cs₂HgC₄
von: Данилов, В.В.
Veröffentlicht: (1999)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs
von: Мелебаев, Д., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
von: Melebayew, D., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶
von: Ткачук, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Контактные системы на основе тугоплавких металлов в диодах миллиметрового диапазона
von: Болтовец, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А4В6
von: Tkachuk, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Чистые металлы для ядерной энергетики
von: Лавриненко, С.Д., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Радиационные эффекты в арсенидгаллиевых поверхностно-барьерных структурах, возникающие под воздействием γ и β излучения
von: Исмайлов, К.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Чистые и особочистые металлы в атомной энергетике
von: Ажажа, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников
von: Bobrenko, Yu. N., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Проблемы кислородной нестехиометрии в соединениях с высокотемпературной проводимостью
von: Недилько, С.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)

О корреляционных эффектах в узкозонной модели с электрон-дырочной асимметрией
von: Дидух, Л.Д., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Спектр электронно-дырочной пары в полупроводниковых квантовых точках
von: Покутний, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Модель диссоциации электронно-дырочной пары в супрамолекулярных фоточувствительных полупроводниках
von: Заболотный, М.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Способы прогнозирования параметров стеклокерамики с межфазным слоем
von: Дмитриев, М.В.
Veröffentlicht: (2001)

Математическое моделирование деградации керамических терморезисторов с отрицательным ТКС
von: Балицкая, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений
von: Гаркавенко, А.С.
Veröffentlicht: (2001)

Когерентное сложение мощности в лавинно-генераторных диодах
von: Лукин, К.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения
von: Абызов, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2004)

ЭПР-спектрометр миллиметрового диапазона для исследования образцов с высокой проводимостью
von: Бeкиров, Б.Э., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 3. Бимолекулярная кинетика затухания радиационных эффектов в ХСП
von: Вакив, Н.М.
Veröffentlicht: (2004)

Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
von: Власенко, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Электрофизические свойства наноструктурных материалов на основе дигидрофосфата калия с протонной проводимостью
von: Гаркуша, О.М., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Обнаружение заряженных эксимерных комплексов, излучающих в ВУФ диапазоне в криосплавах Хе–Nе
von: Белов, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Конструкционные сверхлегкие пористые металлы (Обзор)
von: Хохлов, М.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Щелочные металлы – получение, свойства, применение
von: Ажажа, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe"
von: Косяченко, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)