Зображення обкладинки

Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах

Доказывается возможность создания эффективных излучающих диодов на основе полупроводников типа A₂B₆, использующих барьер Шоттки. Известные преимущества высокого квантового выхода таких полупроводников не реализованы из-за трудности создания на их основе p—n-перехода и из-за малой дырочной составляющ...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:	2000
Автор:	Гаркавенко, А.С.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2000
Теми:	Материалы для компонентов
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70931
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 2-3. — С. 60-61. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Влияние концентрации компонентов и пор на диэлектрические потери в стеклокерамике
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1998)

Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs
за авторством: Губа, С.К.
Опубліковано: (1998)

Механизмы управляемого структурообразования поверхностей слоев Pd-Ag при облучении α-частицами
за авторством: Костенко, С.П.
Опубліковано: (1998)

Влияние концентрации компонентов и пор на электросопротивление стеклокерамики
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1998)

Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: диэлектрическая проницаемость
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1999)

Стеклокерамика с продуктом взаимодействия стекла и наполнителя: диэлектрические потери
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (1999)

Тенденции в материаловедении как перспектива появления новых электронных компонентов
за авторством: Костенко, С.П.
Опубліковано: (1999)

Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия
за авторством: Шутов, С.В.
Опубліковано: (1999)

Физико-химические и акустооптические свойства монокристаллов типа Cs₂HgC₄
за авторством: Данилов, В.В.
Опубліковано: (1999)

Акустооптические кристаллы типа Cs₂HgC₄
за авторством: Данилов, В.В.
Опубліковано: (1999)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs
за авторством: Мелебаев, Д., та інші
Опубліковано: (2008)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
за авторством: Melebayew, D., та інші
Опубліковано: (2008)

Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2002)

Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶
за авторством: Ткачук, А.И., та інші
Опубліковано: (2007)

Контактные системы на основе тугоплавких металлов в диодах миллиметрового диапазона
за авторством: Болтовец, Н.С., та інші
Опубліковано: (1999)

Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2003)

Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А4В6
за авторством: Tkachuk, A. I., та інші
Опубліковано: (2007)

Чистые металлы для ядерной энергетики
за авторством: Лавриненко, С.Д., та інші
Опубліковано: (2014)

Радиационные эффекты в арсенидгаллиевых поверхностно-барьерных структурах, возникающие под воздействием γ и β излучения
за авторством: Исмайлов, К.А., та інші
Опубліковано: (2001)

Чистые и особочистые металлы в атомной энергетике
за авторством: Ажажа, В.М., та інші
Опубліковано: (2007)

Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников
за авторством: Bobrenko, Yu. N., та інші
Опубліковано: (2012)

Проблемы кислородной нестехиометрии в соединениях с высокотемпературной проводимостью
за авторством: Недилько, С.А., та інші
Опубліковано: (2005)

О корреляционных эффектах в узкозонной модели с электрон-дырочной асимметрией
за авторством: Дидух, Л.Д., та інші
Опубліковано: (1999)

Спектр электронно-дырочной пары в полупроводниковых квантовых точках
за авторством: Покутний, С.И., та інші
Опубліковано: (2014)

Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2001)

Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения
за авторством: Мокрицкий, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)

Модель диссоциации электронно-дырочной пары в супрамолекулярных фоточувствительных полупроводниках
за авторством: Заболотный, М.А., та інші
Опубліковано: (2008)

Способы прогнозирования параметров стеклокерамики с межфазным слоем
за авторством: Дмитриев, М.В.
Опубліковано: (2001)

Математическое моделирование деградации керамических терморезисторов с отрицательным ТКС
за авторством: Балицкая, В.А., та інші
Опубліковано: (2002)

Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений
за авторством: Гаркавенко, А.С.
Опубліковано: (2001)

Когерентное сложение мощности в лавинно-генераторных диодах
за авторством: Лукин, К.А., та інші
Опубліковано: (2012)

Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения
за авторством: Абызов, А.С., та інші
Опубліковано: (2004)

ЭПР-спектрометр миллиметрового диапазона для исследования образцов с высокой проводимостью
за авторством: Бeкиров, Б.Э., та інші
Опубліковано: (2013)

Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 3. Бимолекулярная кинетика затухания радиационных эффектов в ХСП
за авторством: Вакив, Н.М.
Опубліковано: (2004)

Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
за авторством: Власенко, А.И., та інші
Опубліковано: (2004)

Электрофизические свойства наноструктурных материалов на основе дигидрофосфата калия с протонной проводимостью
за авторством: Гаркуша, О.М., та інші
Опубліковано: (2007)

Обнаружение заряженных эксимерных комплексов, излучающих в ВУФ диапазоне в криосплавах Хе–Nе
за авторством: Белов, А.Г., та інші
Опубліковано: (2004)

Конструкционные сверхлегкие пористые металлы (Обзор)
за авторством: Хохлов, М.А., та інші
Опубліковано: (2015)

Щелочные металлы – получение, свойства, применение
за авторством: Ажажа, В.М., та інші
Опубліковано: (2006)

Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe"
за авторством: Косяченко, Л.А., та інші
Опубліковано: (2002)