Cover Image

Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах

Доказывается возможность создания эффективных излучающих диодов на основе полупроводников типа A₂B₆, использующих барьер Шоттки. Известные преимущества высокого квантового выхода таких полупроводников не реализованы из-за трудности создания на их основе p—n-перехода и из-за малой дырочной составляющ...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:2000
Main Author: Гаркавенко, А.С.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2000
Subjects:
Материалы для компонентов
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70931
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах / А.С. Гаркавенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 2-3. — С. 60-61. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Similar Items