Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника
Предложено устройство и технология обработки поверхности полупроводника в едином технологическом цикле с нанесением металлизации барьерных и омических контактов. The device design has been presented and technology of GaAs surface treatment with low energy argon ions followed by barrier or ohmic cont...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2000 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70944 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника / А.В. Иващук, В.П. Кохан // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 4. — С. 35-37. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862744250891894784 |
|---|---|
| author | Иващук, А.В. Кохан В.П. |
| author_facet | Иващук, А.В. Кохан В.П. |
| citation_txt | Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника / А.В. Иващук, В.П. Кохан // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 4. — С. 35-37. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Предложено устройство и технология обработки поверхности полупроводника в едином технологическом цикле с нанесением металлизации барьерных и омических контактов.
The device design has been presented and technology of GaAs surface treatment with low energy argon ions followed by barrier or ohmic contacts in the single vacuum cycle without discapsulation of evaporation chamber has been described. It is shown that barrier contacts fabricated by the use of proposed technology process have the improved electrical parameters and thermal stability.
|
| first_indexed | 2025-12-07T20:34:44Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70944 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T20:34:44Z |
| publishDate | 2000 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Иващук, А.В. Кохан В.П. 2014-11-16T20:04:58Z 2014-11-16T20:04:58Z 2000 Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника / А.В. Иващук, В.П. Кохан // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 4. — С. 35-37. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70944 Предложено устройство и технология обработки поверхности полупроводника в едином технологическом цикле с нанесением металлизации барьерных и омических контактов. The device design has been presented and technology of GaAs surface treatment with low energy argon ions followed by barrier or ohmic contacts in the single vacuum cycle without discapsulation of evaporation chamber has been described. It is shown that barrier contacts fabricated by the use of proposed technology process have the improved electrical parameters and thermal stability. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технология производства Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника Пристрій для очистки й легування поверхні напівпровідника The device for the cleaning and doping of semiconductor surface Article published earlier |
| spellingShingle | Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника Иващук, А.В. Кохан В.П. Технология производства |
| title | Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника |
| title_alt | Пристрій для очистки й легування поверхні напівпровідника The device for the cleaning and doping of semiconductor surface |
| title_full | Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника |
| title_fullStr | Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника |
| title_full_unstemmed | Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника |
| title_short | Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника |
| title_sort | устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника |
| topic | Технология производства |
| topic_facet | Технология производства |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70944 |
| work_keys_str_mv | AT ivaŝukav ustroistvodlâočistkiilegirovaniâpoverhnostipoluprovodnika AT kohanvp ustroistvodlâočistkiilegirovaniâpoverhnostipoluprovodnika AT ivaŝukav pristríidlâočistkiileguvannâpoverhnínapívprovídnika AT kohanvp pristríidlâočistkiileguvannâpoverhnínapívprovídnika AT ivaŝukav thedeviceforthecleaninganddopingofsemiconductorsurface AT kohanvp thedeviceforthecleaninganddopingofsemiconductorsurface |