Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника
Предложено устройство и технология обработки поверхности полупроводника в едином технологическом цикле с нанесением металлизации барьерных и омических контактов. The device design has been presented and technology of GaAs surface treatment with low energy argon ions followed by barrier or ohmic cont...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2000 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70944 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника / А.В. Иващук, В.П. Кохан // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 4. — С. 35-37. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70944 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Иващук, А.В. Кохан В.П. 2014-11-16T20:04:58Z 2014-11-16T20:04:58Z 2000 Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника / А.В. Иващук, В.П. Кохан // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 4. — С. 35-37. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70944 Предложено устройство и технология обработки поверхности полупроводника в едином технологическом цикле с нанесением металлизации барьерных и омических контактов. The device design has been presented and technology of GaAs surface treatment with low energy argon ions followed by barrier or ohmic contacts in the single vacuum cycle without discapsulation of evaporation chamber has been described. It is shown that barrier contacts fabricated by the use of proposed technology process have the improved electrical parameters and thermal stability. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технология производства Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника Пристрій для очистки й легування поверхні напівпровідника The device for the cleaning and doping of semiconductor surface Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника |
| spellingShingle |
Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника Иващук, А.В. Кохан В.П. Технология производства |
| title_short |
Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника |
| title_full |
Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника |
| title_fullStr |
Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника |
| title_full_unstemmed |
Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника |
| title_sort |
устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника |
| author |
Иващук, А.В. Кохан В.П. |
| author_facet |
Иващук, А.В. Кохан В.П. |
| topic |
Технология производства |
| topic_facet |
Технология производства |
| publishDate |
2000 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Пристрій для очистки й легування поверхні напівпровідника The device for the cleaning and doping of semiconductor surface |
| description |
Предложено устройство и технология обработки поверхности полупроводника в едином технологическом цикле с нанесением металлизации барьерных и омических контактов.
The device design has been presented and technology of GaAs surface treatment with low energy argon ions followed by barrier or ohmic contacts in the single vacuum cycle without discapsulation of evaporation chamber has been described. It is shown that barrier contacts fabricated by the use of proposed technology process have the improved electrical parameters and thermal stability.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70944 |
| citation_txt |
Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника / А.В. Иващук, В.П. Кохан // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 4. — С. 35-37. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT ivaŝukav ustroistvodlâočistkiilegirovaniâpoverhnostipoluprovodnika AT kohanvp ustroistvodlâočistkiilegirovaniâpoverhnostipoluprovodnika AT ivaŝukav pristríidlâočistkiileguvannâpoverhnínapívprovídnika AT kohanvp pristríidlâočistkiileguvannâpoverhnínapívprovídnika AT ivaŝukav thedeviceforthecleaninganddopingofsemiconductorsurface AT kohanvp thedeviceforthecleaninganddopingofsemiconductorsurface |
| first_indexed |
2025-12-07T20:34:44Z |
| last_indexed |
2025-12-07T20:34:44Z |
| _version_ |
1850883109646499841 |