Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2000
• Main Authors: Иващук, А.В., Кохан В.П.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2000
• Subjects: Технология производства
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70944
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Устройство для очистки и легирования поверхности полупроводника / А.В. Иващук, В.П. Кохан // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 4. — С. 35-37. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Предложено устройство и технология обработки поверхности полупроводника в едином технологическом цикле с нанесением металлизации барьерных и омических контактов. The device design has been presented and technology of GaAs surface treatment with low energy argon ions followed by barrier or ohmic cont...