Транзисторные усилители с высоким КПД: общие условия реализации

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2000
• Hauptverfasser: Крыжановский, В.Г., Рассохина, Ю.В., Рудякова, А.Н., Шевченко, И.Н.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2000
• Schlagworte: Проектирование. Конструирование
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70951
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Транзисторные усилители с высоким КПД: общие условия реализации / В.Г. Крыжановский, Ю.В. Рассохина, А.Н. Рудякова, И.Н. Шевченко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2000. — № 5-6. — С. 5-8. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Рассмотрены спектральные соотношения между током и напряжением на выходе транзистора, необходимые для получения максимальной эффективности в усилителях с высоким КПД. Полученные условия являются общими для усилителей классов Е, F и других. Обосновывается введение для таких типов (классов работы) усилителей обобщающего термина — полиреактивные усилители. Показана роль и значение полиреактивных усилителей ВЧ- и СВЧ- диапазонов в совершенствовании радиоэлектронной аппаратуры. The spectral ratios between current and voltage on transistor output required to obtain maximum efficiency in the high efficiency amplifier have been considered. Obtained conditions are general for E, F classes amplifiers and others. It is grounded the introduction for such types (operation classes) of summarized term amplifiers - polyreaction amplifiers. The role and significance of RF/HF/VHF polyreaction amplifiers in improvement of radioelectronical equipment has been shown.